目前，常用金屬封裝材料與CaAs芯片的微波器件封裝需求存在性能上的差距，使得研發一種新型輕質金屬封裝材料,滿足航空航天用器件封裝成為急需，引發相關部門調試重視。經過近些年來研究所和企業的深入研究，AlSiC取得了較大的產業化進展，相繼推動高體分碳化硅與鋁合金的復合材料SiC/Al實用化進程。將SiC與Al合金按一定比例和工藝結合成AlSiC后，可克服目前金屬封裝材料的不足，獲得高K值、低 CTE、高比強度、低密度、導電性好的封裝材料。杭州陶飛侖致力于新型特種陶瓷、金屬陶瓷復合材料的研發、生產、銷售和技術服務為一體的高科技企業。北京通用鋁碳化硅技術規范

中體分鋁碳化硅的功能化特性比較突出，即不僅具有比鋁合金和鈦合金高出一倍的比剛度，還有著與鈹材及鋼材接近的低膨脹系數和優于鈹材的尺寸穩定性。因此，其可替代鈹材用作慣性導航系統器件，被譽為“第三代航空航天慣性器件材料”。其已被正式用于美國某型號慣性環形激光陀螺制導系統，并已形成美國的國軍標（MIL-M-46196）。此外，還替代鈹材被成功地用于三叉戟導彈的慣性導航向地球及其慣性測量單元（IMU）的檢查口蓋，并取得比鈹材的成本低三分之二的效果。微屈服（MYS）是表征材料尺寸穩定性的主要指標，而該種復合材料的微屈服度為118MPa，該值是國產真空熱壓鈹材的5倍，且已超過美國布拉什公司研制的高尺寸穩定性新型光學儀表級**I-250鈹材。北京通用鋁碳化硅技術規范杭州陶飛侖制備的大尺寸結構件不僅材料性能優異，且大幅提高了材料的可加工性能。

在長期使用中，許多封裝尺寸、外形都已標準化、系列化，存在的主要缺陷是無法適應高性能芯片封裝要求。例如，Kovar ( 一種Fe-Co-Vi合金)和Invar (一種Fe-Ni合金）的CTE低，與芯片材料相近，但其K值差、密度高、比剛度低，無法***滿足電子封裝小型化、高密度、熱量易散發的應用需求。合金是由兩種或兩種以上的金屬元素或金屬與非金屬元素所組成的金屬材料，具有其綜合的優勢性能。隨之發展的Mo80Cu20、Cu/ Invar/Cu、Cu/ Mo/Cu 等合金在熱傳導方面優于Kovar，但其密度大于Kovar，仍不適合用作航空航天所需輕質的器件封裝材料。

AESA由數以千計的T/R模塊（有的高達9 000 個左右）構成，在每個T/R模塊內部都有用GaAs 技術制作的功率發射放大器、低噪聲接收放大器、T/ R開關、多功能增益/相位控制等電路芯片，**終生產關鍵在其封裝技術上，因機載對其體積與重量的限制極為苛刻。AlSiC集低熱脹、高導熱、輕質于一體，采用AlSiC外殼封裝T/R模塊，包括S、C、X、Ku波段產品，可滿足實用需求。雷達APG-77是一部典型多功能、多工作方式雷達，其AESA直 徑約1m，用2 000個T/R模塊構成，每個T/R模塊 輸出功率10W，移相器6位，接收噪聲系數2.9dB，體積6.4cm3，重14.88g,平均故障間隔MTBF20萬h，其發射功率比初期產品增加16倍，接收噪聲系數降低1倍，體積重量減少83%,成本下降82%。以1000個T/R模塊構成機載AESA雷達為例，用 AlSiC替代Kovar，雷達重量可減輕34kg，而熱導率比Kovar提高10余倍，且提高整機可靠性MTBF達2000h以上。試驗表明，即使AESA中10%的T/R模塊產生故障，對系統無***影響，30%失效時，仍可維持基本工作性能，具有所謂的“完美降級” 能力。鋁碳化硅已經應用于機床-主軸、導軌。

（3）、高比模量：（55%～75%）電子封裝及熱控元件用鋁碳化硅比模量是W/Cu和Kovar合金的4倍、Mo/Cu的2倍。（4）、高熱導率：（55%～75%）電子封裝及熱控元件用鋁碳化硅熱導率可達（180～240）W/m·K，比Kovar合金提升了（8～9）倍，可有效地擴散熱控元件的熱量。（5）、主要應用方向及**零件：可同時運用于***和民用領域的熱管理材料領域，**零件如***電子IGBT基板、印刷電路板（PCB）基板、封裝散熱底板、電子元件基座及外殼、功率放大模塊外殼及底座等，可替代W/Cu、Mo/Cu、Kovar合金等。鋁碳化硅已經應用于玉兔號行走裝置。河南優勢鋁碳化硅結構設計

因鋁碳化硅具有輕量化、高剛度、熱穩定性優異的特點，在航空、航天領域已廣泛應用。北京通用鋁碳化硅技術規范

在國內，隨著AESA產品的定型，T/R模塊出現批量生產需求，其基板、殼體的生產極為關鍵，采用近凈成形技術，研制出小批量T/R模塊封裝外殼樣品。用無壓溶滲AlSiC制作基座替代W-Cu基座，封裝微波功率器件，按GJB33A-97和GJB128A-97軍標嚴格考核，器件的微波性能、熱性能無變化，可完全滿足應用要求，前者的重量只及W-Cu基座的 20%,且成本*為后者的1/3左右，有望在封裝領域大量替代W-Cu、Mo-Cu等材料。國產L波段功率器件月批量生產累計上千只，實現某型號雷達***國產化、固態化，今后幾年會持續批量生產，S、C波段功率模塊怎樣低成本生產，將涉及AlSiC封裝材料的研發應用。北京通用鋁碳化硅技術規范

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