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先進高超音速飛行器及航空發(fā)動機性能的提高越發(fā)依賴于先進材料、工藝及相關(guān)結(jié)構(gòu)的應(yīng)用。傳統(tǒng)金屬材料因減重和耐溫空間有限,難滿足高推重比發(fā)動機對高溫部件的需求,急需發(fā)展CMC–SiC復(fù)合材料等**性新型耐高溫結(jié)構(gòu)材料,而隨著飛行器速度及航空發(fā)動機推重比的提高,必須對CMC–SiC復(fù)合材料進行基體或涂層抗氧化、抗燒蝕改性才能滿足更苛刻的服役環(huán)境。
CMC–SiC及其改性復(fù)合材料在國外高超音速飛行器及航空發(fā)動機上已實現(xiàn)應(yīng)用,國內(nèi)相應(yīng)研究尚處于起步階段,技術(shù)成熟度低,還需在改性材料體系、制備及修復(fù)工藝、考核評估等方面加強研究。 杭州陶飛侖研制的碳化硅陶瓷預(yù)制件無顆粒聚集缺陷。河南優(yōu)勢碳化硅預(yù)制件產(chǎn)業(yè)
SiC因為具備低熱膨脹系數(shù)、高熱導(dǎo)率、優(yōu)異的高溫化學(xué)、力學(xué)穩(wěn)定性及高的水通量、生物兼容性而在陶瓷膜的發(fā)展過程中受到***關(guān)注。由于SiC是共價化合物,純SiC需要在2000℃左右才能完成燒結(jié),這種制備方法燒結(jié)溫度過高,在實際生產(chǎn)中常通過添加低溫?zé)Y(jié)助劑的方式來有效降低其燒結(jié)溫度。高溫?zé)Y(jié)會產(chǎn)生二氧化硅玻璃相,對復(fù)合材料的導(dǎo)熱率有抑制影響,杭州陶飛侖新材料有限公司研究生產(chǎn)的鋁碳化硅復(fù)合材料,所采用的碳化硅多孔陶瓷預(yù)制件是采用的新型工藝,無二氧化硅玻璃相的產(chǎn)生。江蘇碳化硅預(yù)制件設(shè)備杭州陶飛侖新材料公司可為客戶提供高效率、低成本的多孔陶瓷生產(chǎn)方案。
立體光刻(SLA):SLA 技術(shù)是目前商用效果比較好的陶瓷 3D 打印技術(shù),常用于制備高精度、復(fù)雜形狀的陶瓷材料。 SLA 打印原理是采用陶瓷粉體、光固化樹脂以及添加劑(如光引發(fā)劑、稀釋劑等)均勻混合成打印漿料,保持漿料的固含量在 50% 以上以保證經(jīng)脫粘、燒結(jié)后的陶瓷零件能夠保持原形貌。首先將打印參數(shù)、3D 模型輸入計算機,由計算機控制打印頭移動,打印頭發(fā)射的激光選擇性地照射在漿料表面,光引發(fā)劑吸收對應(yīng)波長的激光后受激產(chǎn)生自由基,引發(fā)光固化樹脂的光聚合過程,將陶瓷粉體填充在固化后的樹脂骨架中,通常是點對線、線對層,一層打印完成后,打印臺向下移動,然后進行逐層打印,獲得陶瓷預(yù)制體,再通過脫粘、燒結(jié)等過程,得到**終陶瓷零件。
多孔陶瓷預(yù)制件具有良好的吸附能力和活性。被覆催化劑后,反應(yīng)流體通過泡沫陶瓷孔道,將**提高轉(zhuǎn)化效率和反應(yīng)速率。由于多孔陶瓷具有比表面積高、熱穩(wěn)定性好、耐磨、不易中毒、低密度等特點,作為汽車尾氣催化凈化器載體已被***使用除了作催化劑載體外,它還可以作為其它功能性載體,例如藥劑載體、微晶載體、氣體儲存等。根據(jù)成孔方法和孔隙結(jié)構(gòu),多孔陶瓷可分為三類:①粒狀陶瓷;②泡沫陶瓷;③蜂窩陶瓷。可以添加有機微球來造孔。杭州陶飛侖新材料公司可生產(chǎn)大尺寸多孔陶瓷結(jié)構(gòu)件。
碳化硅(SiC)陶瓷具有優(yōu)良的高溫強度、耐磨性、耐腐蝕性以及抗熱震性,其按結(jié)構(gòu)可以分為致密SiC陶瓷和多孔SiC陶瓷兩大類。多孔SiC陶瓷材料脆性大,通常使用彎曲強度或壓縮強度表征其力學(xué)性能。孔率及制備方式對多孔SiC陶瓷力學(xué)性能影響較大。孔率和孔隙形貌對多孔陶瓷的導(dǎo)熱性能影響較大。對于孔隙分布均勻的多孔陶瓷而言,隨著孔率提高,其熱導(dǎo)率逐步下降。但由于不同工藝制備的多孔陶瓷材料的孔隙形貌存在較大差異,因此傳熱過程也就相應(yīng)地多變而復(fù)雜。坯體燒結(jié)工藝曲線設(shè)計主要是根據(jù)坯體中所添加的造孔劑、粘結(jié)劑等物質(zhì)的熔點進行設(shè)計。北京多功能碳化硅預(yù)制件發(fā)展現(xiàn)狀
杭州陶飛侖新材料公司可生產(chǎn)結(jié)構(gòu)強度高、耐磨性能優(yōu)異的多孔陶瓷結(jié)構(gòu)件。河南優(yōu)勢碳化硅預(yù)制件產(chǎn)業(yè)
碳化硅的硬度很大,莫氏硬度為9.5級,*次于世界上**硬的金剛石(10級),具有優(yōu)良的導(dǎo)熱性能,是一種半導(dǎo)體,高溫時能抗氧化。
碳化硅歷程表1905年***次在隕石中發(fā)現(xiàn)碳化硅1907年***只碳化硅晶體發(fā)光二極管誕生1955年理論和技術(shù)上重大突破,LELY提出生長***碳化概念,從此將SiC作為重要的電子材料1958年在波士頓召開***次世界碳化硅會議進行學(xué)術(shù)交流1978年六、七十年代碳化硅主要由前蘇聯(lián)進行研究。到1978年***采用“LELY改進技術(shù)”的晶粒提純生長方法。
河南優(yōu)勢碳化硅預(yù)制件產(chǎn)業(yè)
杭州陶飛侖新材料有限公司致力于電子元器件,是一家生產(chǎn)型公司。公司業(yè)務(wù)涵蓋鋁碳化硅,鋁碳化硼,銅碳化硅,碳化硅陶瓷等,價格合理,品質(zhì)有保證。公司將不斷增強企業(yè)重點競爭力,努力學(xué)習(xí)行業(yè)知識,遵守行業(yè)規(guī)范,植根于電子元器件行業(yè)的發(fā)展。陶飛侖新材料秉承“客戶為尊、服務(wù)為榮、創(chuàng)意為先、技術(shù)為實”的經(jīng)營理念,全力打造公司的重點競爭力。