真空壓力浸滲法

工藝流程；多孔SiC陶瓷制備—模具裝配—盛鋁坩堝裝爐—抽真空、升溫、浸滲—工裝拆解—鋁碳化硅熱處理—機加（—表面處理）

工藝設備：真空壓力浸滲爐

工藝優勢：1、可實現近凈成型加工，尤其是復雜的零件；2、組織致密度高，材料性能好；3、相對于粉末冶金，其工藝過程易于控制。

工藝不足：1、對成型設備要求高；2、受限于設備尺寸，制造大尺寸零件困難；3、組織易粗大。

適應性：高體分鋁碳化硅、中體分鋁碳化硅的應用。 鋁碳化硅已經應用于直升機模鍛件。上海好的鋁碳化硅量大從優

SiC顆粒與Al有良好的界面接合強度，復合后的CTE隨SiC含量的變化可在一定范圍內進行調節， 由此決定了產品的競爭力，相繼開發出多種制備方法。用于封裝AlSiC的預制件的SiC顆粒大小多在1 um-80um范圍選擇，要求具有低密度、低CTE、 高彈性模量等特點，其熱導率因純度和制作制作方法的差異在80W ( m·K ) -280W ( m·K )之間變化。基體是強度的主要承載體，一般選用6061、 6063、2124、A356等**度Al合金，與SiC按一定比例和不同工藝結合成AlSiC，解決SiC與Al潤濕性差，高SiC含量難于機加工成形等問題，成為理想的封裝材料。河北質量鋁碳化硅銷售公司杭州陶飛侖公司鋁碳化硅相關方產品主要應用于航空、航天、電子、電力等多個行業。

3）、增強體SiC在基體中均勻分布的問題：按結構設計需求，使增強材料SiC均勻地分布于基體中也是鋁碳化硅材料制造中的關鍵技術之一。尤其是在低體份鋁碳化硅攪拌法、真空壓力浸滲法、粉末冶金法中，SiC顆粒的團聚，以及不同尺寸SiC顆粒均勻分布為一項難點。該問題主要解決方法：①、對增強體SiC進行適當的表面處理，使其浸漬基體速度加快；②、加入適當的合金元素改善基體的分散性；③、施加適當的壓力，使其分散性增大；④、施加外場(磁場,超聲場等)。

鋁碳化硅材料成型制造技術的發展趨勢：鋁碳化硅的材料成型方法還在不斷改進和發展，高效、低成本、批量生產的方法仍需研究開發，這將關系到鋁碳化硅材料的廣泛應用和發展。當前，現代制造技術的發展為鋁碳化硅復合材料的制備從理論研究到具體應用提供了有力的保證。計算機技術、現代測試技術、新材料技術的完善，使復合材料的制備技術、工藝不斷推出，這些工藝本身也有交叉并相互融合，鋁碳化硅材料制備技術的發展趨勢必將是多學科、多種技術相“復合”的綜合過程。高體分鋁碳化硅復合材料具有強度高、高導熱、低熱膨脹系數等優異性能。

杭州陶飛侖新材料有限公司是一家同時集成低、高體分鋁碳化硅材料設計、材料制造（陶瓷制備、復合成型、機械加工和后處理）于一身的****。已在該方向擁有多項**。采取多孔陶瓷預制體+真空壓力浸滲+機械加工的技術路徑來制備鋁碳化硅復合材料。具有多種技術優勢，如燒結周期短（燒結周期縮短為1/4以內）、熱導率高、高速成型、高精密加工（尺寸精度±0.005mm；平行度、垂直度、平面度±5μm；表面光潔度≤Ra0.01；RMS≤20nm；鉆孔直徑≥0.5mm、攻絲≥M2.5、ST2.5、槽寬≥0.5mm）：此外，還有多項創新儲備技術將陸續產業化。鋁碳化硅可替代鋁合金、不銹鋼、鈦合金等用于高精度精密結構件中。河北質量鋁碳化硅銷售公司

高體分鋁碳化硅用于**慣性導航臺體中。上海好的鋁碳化硅量大從優

AESA由數以千計的T/R模塊（有的高達9 000 個左右）構成，在每個T/R模塊內部都有用GaAs 技術制作的功率發射放大器、低噪聲接收放大器、T/ R開關、多功能增益/相位控制等電路芯片，**終生產關鍵在其封裝技術上，因機載對其體積與重量的限制極為苛刻。AlSiC集低熱脹、高導熱、輕質于一體，采用AlSiC外殼封裝T/R模塊，包括S、C、X、Ku波段產品，可滿足實用需求。雷達APG-77是一部典型多功能、多工作方式雷達，其AESA直 徑約1m，用2 000個T/R模塊構成，每個T/R模塊 輸出功率10W，移相器6位，接收噪聲系數2.9dB，體積6.4cm3，重14.88g,平均故障間隔MTBF20萬h，其發射功率比初期產品增加16倍，接收噪聲系數降低1倍，體積重量減少83%,成本下降82%。以1000個T/R模塊構成機載AESA雷達為例，用 AlSiC替代Kovar，雷達重量可減輕34kg，而熱導率比Kovar提高10余倍，且提高整機可靠性MTBF達2000h以上。試驗表明，即使AESA中10%的T/R模塊產生故障，對系統無***影響，30%失效時，仍可維持基本工作性能，具有所謂的“完美降級” 能力。上海好的鋁碳化硅量大從優

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