鋁碳化硅的浸滲式鑄造有什么特點，如何設計產品，才能在保障產品的可用性前提下盡量降低成本呢？下面羅列出一些設計原則，作為設計人員的參考（當然，您也可以完全不必操心這些事情，把您的產品圖紙、用途和使用環境郵件發送給我們，我們會遵循鋁碳化硅的生產工藝原則，為您設計出產品圖，發回給您審核）：

1：尺寸精度：鋁碳化硅材料為各向同性材料，不論在哪個方向上，零件的鑄造尺寸公差應大于1.5/1000。

2.平面度：產品平面度可以做到0.75/1000。

3.表面光潔度：形狀簡單的產品，表面光潔度可以做到1.6微米；形狀復雜的產品，如齒板的齒，表面光潔度可以做到3.2微米。如需要更高光潔度，可以加拋光工序。

4.盡量不設計螺絲孔、通孔、沉孔等孔類結構在零件上，能用U形孔替代，則盡量使用U形孔。 鋁碳化硅已經應用于機床-主軸、導軌。安徽好的鋁碳化硅產品介紹

(3)、激光加工：目前國內外學者對鋁基復合材料激光加工技術的研究主要集中在打孔、切割、劃線和型腔加工等方面。用自行研制的機械斬光盤調脈沖激光器切割試驗表明，在高峰值能量、短脈沖寬度、高脈沖頻率和適當的平均功率條件下，采用高速多次重復走刀切割工藝，可以得到無裂紋的精細切口。有研究采用氧氣作輔助氣體，用800W的連續波CO2激光在厚度13.5mm的復合材料上加工出了直徑0.72mm的無損傷深孔，深徑比達18.75。有研究提出了基于裂紋加工單元的激光銑削方法，他們采用激光對復合材料進行了基于裂紋加工單元的激光銑削加工，并在零件上加工出了形狀較復雜的型腔。研究結果表明，采用該方法進行激光銑削所需要的功率比通常的方法低。河北好的鋁碳化硅量大從優高體分鋁碳化硅用于光學遙感衛星光學反射鏡中。

2、高體分鋁碳化硅的主要應用領域——電子封裝：高體分鋁碳化硅為第三代半導體封裝材料，已率先實現電子封裝材料的規模產業化，滿足半導體芯片集成度沿摩爾定律提高導致芯片發熱量急劇升高、使用壽命下降以及電子封裝的“輕薄微小”的發展需求。尤其在航空航天、微波集成電路、功率模塊、***射頻系統芯片等封裝方面作用極為凸顯，成為封裝材料應用開發的重要趨勢。

（1）、封裝類AlSiC特性：封裝材料用作支撐和保護半導體芯片的金屬底座與外殼，混合集成電路HIC的基片、底板、外殼，構成導熱性能比較好，總耗散功率提高到數十瓦,全氣密封性，堅固牢靠的封裝結構，為芯片、HIC提供一個高可靠穩定的工作環境，具體材料性能是個優先關鍵問題。常用于封裝的電子金屬材料的主要特性如下表所示，可見封裝類鋁碳化硅綜合性能***優于其他材料。

鋁碳化硅復合材料雖然有很多優點，但優點有時就是缺點，如鋁碳化硅材料抗磨，可做賽車、飛機的剎車件，但會造成機加的成本非常高。那么，整體零件一次鑄造成形，就成了鋁碳化硅零件的生產特征之一。另外，因為鋁碳化硅的鑄造環境相當**（普通的鑄造手段是無法把鋁液鑄造進陶瓷之中的），那么，通用的精密鑄造模具材料都不可使用，如精密鑄造**常見的陶瓷型殼，放到鋁碳化硅的鑄造環境下，鋁液會鑄造進型殼之中，無法打型出產品。但杭州陶飛侖新材料有限公司采用創新型工藝方法，可有效避免了此類問題的發生。杭州陶飛侖新材料有限公司可大批量生產高性能的鋁碳化硅復合材料。

此外，AlSiC可將多種電子封裝材料并存集成，用作封裝整體化，發展其他功能及用途。研制成功將高性能、散熱快的Cu基封裝材料塊（Cu-金剛石、Cu-石墨、Cu-BeO等）嵌人SiC預制件中，通過金屬Al熔滲制作并存集成的封裝基片。在AlSiC并存集成過程中，可在**需要的部位設置這些成本相對較高的快速散熱材料，降低成本，擴大生產規模，嵌有快速散熱材料的AlSiC倒裝片系統正在接受測試和評估。另外，還可并存集成48號合金、Kovar和不銹鋼等材料，此類材料或插件、引線、密封環、基片等，在熔滲之前插入SiC預成形件內，在AlSiC復合成形過程中，經濟地完成并存集成，方便光電器件封裝的激光連接。杭州陶飛侖新材料有限公司鋁碳化硅產品覆蓋輕質耐磨/高精密結構件、微波電子/光電/大功率 IGBT 模塊封裝等。河南好的鋁碳化硅供應

鋁碳化硅可替代鋁、銅、銅鎢、銅鉬等應用于高功率封裝領域。安徽好的鋁碳化硅產品介紹

碳化硅是鋁基碳化硅顆粒增強復合材料的簡稱，它充分結合了碳化硅陶瓷和金屬鋁的不同優勢，具有高導熱性、與芯片相匹配的熱膨脹系數、密度小、重量輕，以及高硬度和高抗彎強度，是新一代電子封裝材料中的佼佼者。鋁碳化硅封裝材料滿足了封裝的輕便化、高密度化等要求，適用于航空、航天、高鐵及微波等領域，是解決熱學管理問題的優先材料，其可為各種微波和微電子以及功率器件、光電器件的封裝與組裝提供所需的熱管理，新材料——鋁碳化硅的應用也因此具有很大的市場潛力。安徽好的鋁碳化硅產品介紹

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