目前，鋁碳化硅制備工藝中，在制備55vol%~ 75vol% SiC高含量的封裝用AlSiC產品時多采用熔滲法，其實質是粉末冶金法的延伸。它通過先制備一定密度、強度的多孔碳化硅基體預制件，再滲以熔點比其低的金屬填充預制件，其理論基礎是在金屬液潤濕多孔基體時，在毛細管力作用下，金屬液會沿顆粒間隙流動填充多孔預制作孔隙，脫模無需機械加工，在其表面上覆蓋有一層0.13mm-0.25mm厚的完美鋁層，按用途電鍍上Ni、Au、Cd、Ag等，供封裝使用。高體分鋁碳化硅用于光學遙感衛星光學反射鏡中。使用鋁碳化硅技術規范

鋁碳化硅在T/R組件中的應用：本世紀初，美國的AlSiC年產量超過100萬件，T/ R模塊已經由“磚”式封裝向很薄、邊長5cm或更小方塊形的“瓦”式封裝發展，進一步降低T/R模塊的尺寸、厚度、重量以及所產生的熱量。歐洲防務公司、法、英、德聯合開發機載AESA及T/R模塊技術，研制具有1200個T/R模塊全尺寸樣機的試驗工作，俄羅斯積極著手研制第4代戰斗機用AESA雷達，以色列、瑞典研制出輕型機載AESA預警雷達，機載AESA及 T/R模塊市場持續升溫。安徽有什么鋁碳化硅產業鋁碳化硅已經應用于制動閥片。

二、高體分鋁碳化硅（SiC體積比55%-75%）材料介紹與應用1、性能優勢及應用方向：（1）、低密度：（55%～75%）電子封裝及熱控元件用鋁碳化硅的密度一般在3.1g/cm3左右，密度**低于W/Cu合金（｛11～18｝g/cm3）、Mo/Cu合金（｛9～10｝g/cm3）和Kovar合金（8.3g/cm3），可有效減重。以替代W/Cu合金用作雷達微波功率管封裝底座為例，在同樣的強度和剛度條件下，可減重高達80%以上。（2）、低膨脹系數：（55%～75%）電子封裝及熱控元件用鋁碳化硅膨脹系數一般為（6～9）×10-6m/℃（-60℃～200℃），遠低于W/Cu合金（｛7～13｝×10-6/K）、Mo/Cu合金（｛7～13｝×10-6/K）等傳統封裝材料，與Si、GaAs、AlN等無機陶瓷基片材料熱匹配良好。

超聲加工的主要特點是：

不受鋁碳化硅材料是否導電的限制；工具對鋁碳化硅工件的宏觀作用力小、熱影響小，因而可加工薄壁、窄縫和薄片工件；被加工材料的脆性越大越容易加工，材料越硬或強度、韌性越大則越難加工；由于鋁碳化硅工件材料的碎除主要靠磨料的作用，磨料的硬度應比被加工材料的硬度高，而超聲波加工過程中使用的工具的硬度可以低于工件材料；可以與其他多種加工方法結合應用，如超聲振動切削、超聲電火花加工和超聲電解加工。 高體分鋁碳化硅用于**慣性導航臺體中。

***代以塑料、金屬、陶瓷等為主的簡單封裝，主要的用途是將器件封裝在一起，起到包封、支撐、固定、絕緣等作用，這代封裝材料目前主要用于電子產品的封裝。2第二代封裝材料，以可伐（Kovar）合金、鎢銅合金產品為**，其對于航天、航空、****及以便攜、袖珍為主要趨勢的當代封裝業來講，有先天的劣勢。3第三代封裝材料即是以鋁碳化硅為**的產品。鋁碳化硅（AlSiC）是將金屬的高導熱性與陶瓷的低熱膨脹性相結合，能滿足多功能特性及設計要求，具有高導熱、低膨脹、高剛度、低密度、低成本等綜合優異性能，是當今芯片封裝的***型材料。目前已大量應用到航空航天、新能源汽車、電力火車，微電子封裝等領域。杭州陶飛侖新材料有限公司生產的鋁碳化硅顆粒分布均勻，無顆粒聚集情況，加工性能優異。江蘇多功能鋁碳化硅銷售電話

杭州陶飛侖經過不斷研究，創新性的開發出高效率、低成本的高體分大尺寸鋁碳化硅結構件制備工藝。使用鋁碳化硅技術規范

（2）、增強體SiC與基體鋁浸潤性差的問題：增強材料與基體浸潤性差是鋁碳化硅材料制造的又一關鍵技術，基體對增強材料浸潤性差，有時根本不發生潤濕現象。該問題主要解決方法：①、加入合金元素，優化基體組分，改善基體對增強體的浸潤性，常用的合金元素有：鎂、硅等；②、對增強材料SiC進行表面處理，涂敷一層可抑制界面反應的涂層，可有效改善其浸潤性，表面涂層涂覆方法較多，如化學氣相沉積，物***相沉積，溶膠－凝膠和電鍍或化學鍍等。使用鋁碳化硅技術規范

杭州陶飛侖新材料有限公司致力于電子元器件，以科技創新實現***管理的追求。公司自創立以來，投身于鋁碳化硅，鋁碳化硼，銅碳化硅，碳化硅陶瓷，是電子元器件的主力軍。陶飛侖新材料繼續堅定不移地走高質量發展道路，既要實現基本面穩定增長，又要聚焦關鍵領域，實現轉型再突破。陶飛侖新材料始終關注自身，在風云變化的時代，對自身的建設毫不懈怠，高度的專注與執著使陶飛侖新材料在行業的從容而自信。