AlSiC可制作出光電模塊封裝要求光學對準非常關鍵的復雜幾何圖形,精確控制圖形尺寸,關鍵的光學對準部分無需額外的加工,保證光電器件的對接,降低成本。此外,AlSiC有優良的散熱性能,能保持溫度均勻性,并優化冷卻器性能,改善光電器件的熱管理。
AlSiC金屬基復合材料正成為電子封裝所需高K值以及可調的低CTE、低密度、**度與硬度的理想材料,為各種微波和微電子以及功率器件、光電器件的封裝與組裝提供所需的熱管理,可望替代分別以Kovar和W-Cu、Mo-Cu為**的***、第二代**電子封裝合金,尤其在航空航天、***及民用電子器件的封裝方面需求迫切。 鋁碳化硅已經應用于玉兔號行走裝置。河北有什么鋁碳化硅推薦廠家
AESA由數以千計的T/R模塊(有的高達9 000 個左右)構成,在每個T/R模塊內部都有用GaAs 技術制作的功率發射放大器、低噪聲接收放大器、T/ R開關、多功能增益/相位控制等電路芯片,**終生產關鍵在其封裝技術上,因機載對其體積與重量的限制極為苛刻。AlSiC集低熱脹、高導熱、輕質于一體,采用AlSiC外殼封裝T/R模塊,包括S、C、X、Ku波段產品,可滿足實用需求。雷達APG-77是一部典型多功能、多工作方式雷達,其AESA直 徑約1m,用2 000個T/R模塊構成,每個T/R模塊 輸出功率10W,移相器6位,接收噪聲系數2.9dB,體積6.4cm3,重14.88g,平均故障間隔MTBF20萬h,其發射功率比初期產品增加16倍,接收噪聲系數降低1倍,體積重量減少83%,成本下降82%。以1000個T/R模塊構成機載AESA雷達為例,用 AlSiC替代Kovar,雷達重量可減輕34kg,而熱導率比Kovar提高10余倍,且提高整機可靠性MTBF達2000h以上。試驗表明,即使AESA中10%的T/R模塊產生故障,對系統無***影響,30%失效時,仍可維持基本工作性能,具有所謂的“完美降級” 能力。安徽好的鋁碳化硅推薦廠家鋁碳化硅已經應用于飛機的油箱口蓋。
在長期使用中,許多封裝尺寸、外形都已標準化、系列化,存在的主要缺陷是無法適應高性能芯片封裝要求。例如,Kovar ( 一種Fe-Co-Vi合金)和Invar (一種Fe-Ni合金)的CTE低,與芯片材料相近,但其K值差、密度高、比剛度低,無法***滿足電子封裝小型化、高密度、熱量易散發的應用需求。合金是由兩種或兩種以上的金屬元素或金屬與非金屬元素所組成的金屬材料,具有其綜合的優勢性能。隨之發展的Mo80Cu20、Cu/ Invar/Cu、Cu/ Mo/Cu 等合金在熱傳導方面優于Kovar,但其密度大于Kovar,仍不適合用作航空航天所需輕質的器件封裝材料。
目前,常用金屬封裝材料與CaAs芯片的微波器件封裝需求存在性能上的差距,使得研發一種新型輕質金屬封裝材料,滿足航空航天用器件封裝成為急需,引發相關部門調試重視。經過近些年來研究所和企業的深入研究,AlSiC取得了較大的產業化進展,相繼推動高體分碳化硅與鋁合金的復合材料SiC/Al實用化進程。將SiC與Al合金按一定比例和工藝結合成AlSiC后,可克服目前金屬封裝材料的不足,獲得高K值、低 CTE、高比強度、低密度、導電性好的封裝材料。杭州陶飛侖可根據客戶產品技術要求定制化制備滿足客戶要求的鋁碳化硅產品。
熔滲法是AlSiC制備的關鍵,一般分為有壓力滲透和無壓力滲透,前者根據生產過程中壓力施加的大小、方式的不同,又分為擠壓熔滲、氣壓壓力熔滲、離心熔滲鑄造法等,主要特點是需要真空和高壓設備,滲透時間較短,有效控制Al與SiC的界面反應,同時與精度的模具相配套,獲得實用性發展。后者是將Al合金錠放置在SiC預制件上,在合金熔點以上保溫,Al合金液依托毛細管力的作用自發滲入預制件中,所需設備簡單,易于低成本制備,但產品的機械性能與熱性能略低,對基體合金的成分有較為嚴格的要求,浸透需要在保護氣氛中進行。粉末冶金法對SiC體積分數可在15% ~ 75%之間調節,SiC承載量大,但較難實現材料的一次成形。鋁碳化硅已經應用于豐田發動機缸體。上海通用鋁碳化硅行業標準
杭州陶飛侖制備的大尺寸結構件不僅材料性能優異,且大幅提高了材料的可加工性能。河北有什么鋁碳化硅推薦廠家
鋁碳化硅是目前金屬基復合材料中**常見、**重要的材料之一。鋁碳化硅是一種顆粒增強金屬基復合材料,采用Al合金作基體,按設計要求,以一定形式、比例和分布狀態,用SiC顆粒作增強體,構成有明顯界面的多組相復合材料,兼具單一金屬不具備的綜合優越性能。鋁碳化硅研發較早,理論描述較為完善,其主要分類一般按照碳化硅體積含量可分為高體分鋁碳化硅(SiC體積比55%-75%)、中體分鋁碳化硅(SiC體積比35%-55%)、低體分鋁碳化硅(SiC體積比5%-35%)。河北有什么鋁碳化硅推薦廠家
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