AlSiC可制作出光電模塊封裝要求光學對準非常關鍵的復雜幾何圖形,精確控制圖形尺寸,關鍵的光學對準部分無需額外的加工,保證光電器件的對接,降低成本。此外,AlSiC有優良的散熱性能,能保持溫度均勻性,并優化冷卻器性能,改善光電器件的熱管理。
AlSiC金屬基復合材料正成為電子封裝所需高K值以及可調的低CTE、低密度、**度與硬度的理想材料,為各種微波和微電子以及功率器件、光電器件的封裝與組裝提供所需的熱管理,可望替代分別以Kovar和W-Cu、Mo-Cu為**的***、第二代**電子封裝合金,尤其在航空航天、***及民用電子器件的封裝方面需求迫切。 高體分鋁碳化硅已經用于天空二號太陽板支架中。浙江鋁碳化硅散熱器
IC產業的發展與其設計、測試、流片、封裝等 各環節密切相聯,**終在市場應用中體現價值認同,良性循環形成量產規模,實現經濟效益。封裝技術至關重要,尤其是***產品大多采用金屬封裝、陶瓷封裝結構,確保器件、模塊、組件、系統的整體可靠性。金屬封裝氣密性高,散熱性好,形狀可多樣化,有圓形、菱形、扁平形、淺腔與深腔形等,其材料難以滿足當今航空航天、艦船、雷達、電子戰、精確打擊、天基和?;到y對大功率、微波器件封裝的需求。按目前VLSI電路功耗的同一方法計算,未來的SoC芯片將達到太陽表面溫度,現有的設計和封裝方法已不能滿足功率SoC系統的需求。AlSiC恰好首先在這一領域發揮作用,現以***為主,進而推向其他市場。北京鋁碳化硅量大從優因鋁碳化硅具有輕量化、高剛度、熱穩定性優異的特點,在航空、航天領域已廣泛應用。
二、高體分鋁碳化硅(SiC體積比55%-75%)材料介紹與應用1、性能優勢及應用方向:(1)、低密度:(55%~75%)電子封裝及熱控元件用鋁碳化硅的密度一般在3.1g/cm3左右,密度**低于W/Cu合金({11~18}g/cm3)、Mo/Cu合金({9~10}g/cm3)和Kovar合金(8.3g/cm3),可有效減重。以替代W/Cu合金用作雷達微波功率管封裝底座為例,在同樣的強度和剛度條件下,可減重高達80%以上。(2)、低膨脹系數:(55%~75%)電子封裝及熱控元件用鋁碳化硅膨脹系數一般為(6~9)×10-6m/℃(-60℃~200℃),遠低于W/Cu合金({7~13}×10-6/K)、Mo/Cu合金({7~13}×10-6/K)等傳統封裝材料,與Si、GaAs、AlN等無機陶瓷基片材料熱匹配良好。
鋁碳化硅復合材料雖然有很多優點,但優點有時就是缺點,如鋁碳化硅材料抗磨,可做賽車、飛機的剎車件,但會造成機加的成本非常高。那么,整體零件一次鑄造成形,就成了鋁碳化硅零件的生產特征之一。另外,因為鋁碳化硅的鑄造環境相當**(普通的鑄造手段是無法把鋁液鑄造進陶瓷之中的),那么,通用的精密鑄造模具材料都不可使用,如精密鑄造**常見的陶瓷型殼,放到鋁碳化硅的鑄造環境下,鋁液會鑄造進型殼之中,無法打型出產品。但杭州陶飛侖新材料有限公司采用創新型工藝方法,可有效避免了此類問題的發生。鋁碳化硅可替代鋁、銅、銅鎢、銅鉬等應用于高功率封裝領域。
鋁碳化硅材料成型制造技術的發展趨勢:鋁碳化硅的材料成型方法還在不斷改進和發展,高效、低成本、批量生產的方法仍需研究開發,這將關系到鋁碳化硅材料的廣泛應用和發展。當前,現代制造技術的發展為鋁碳化硅復合材料的制備從理論研究到具體應用提供了有力的保證。計算機技術、現代測試技術、新材料技術的完善,使復合材料的制備技術、工藝不斷推出,這些工藝本身也有交叉并相互融合,鋁碳化硅材料制備技術的發展趨勢必將是多學科、多種技術相“復合”的綜合過程。鋁碳化硅已經應用于F16-腹鰭及蒙皮。有什么鋁碳化硅方法
鋁碳化硅可有效防止大功率元器件熱失效問題。浙江鋁碳化硅散熱器
鋁碳化硅在T/R組件中的應用:本世紀初,美國的AlSiC年產量超過100萬件,T/ R模塊已經由“磚”式封裝向很薄、邊長5cm或更小方塊形的“瓦”式封裝發展,進一步降低T/R模塊的尺寸、厚度、重量以及所產生的熱量。歐洲防務公司、法、英、德聯合開發機載AESA及T/R模塊技術,研制具有1200個T/R模塊全尺寸樣機的試驗工作,俄羅斯積極著手研制第4代戰斗機用AESA雷達,以色列、瑞典研制出輕型機載AESA預警雷達,機載AESA及 T/R模塊市場持續升溫。浙江鋁碳化硅散熱器
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