真空壓力浸滲法
工藝流程;多孔SiC陶瓷制備—模具裝配—盛鋁坩堝裝爐—抽真空、升溫、浸滲—工裝拆解—鋁碳化硅熱處理—機加(—表面處理)
工藝設備:真空壓力浸滲爐
工藝優勢:1、可實現近凈成型加工,尤其是復雜的零件;2、組織致密度高,材料性能好;3、相對于粉末冶金,其工藝過程易于控制。
工藝不足:1、對成型設備要求高;2、受限于設備尺寸,制造大尺寸零件困難;3、組織易粗大。
適應性:高體分鋁碳化硅、中體分鋁碳化硅的應用。 杭州陶飛侖經過不斷研究,創新性的開發出高效率、低成本的高體分大尺寸鋁碳化硅結構件制備工藝。浙江使用鋁碳化硅產品介紹
在國內,隨著AESA產品的定型,T/R模塊出現批量生產需求,其基板、殼體的生產極為關鍵,采用近凈成形技術,研制出小批量T/R模塊封裝外殼樣品。用無壓溶滲AlSiC制作基座替代W-Cu基座,封裝微波功率器件,按GJB33A-97和GJB128A-97軍標嚴格考核,器件的微波性能、熱性能無變化,可完全滿足應用要求,前者的重量只及W-Cu基座的 20%,且成本*為后者的1/3左右,有望在封裝領域大量替代W-Cu、Mo-Cu等材料。國產L波段功率器件月批量生產累計上千只,實現某型號雷達***國產化、固態化,今后幾年會持續批量生產,S、C波段功率模塊怎樣低成本生產,將涉及AlSiC封裝材料的研發應用。河南使用鋁碳化硅產業化杭州陶飛侖新材料有限公司研制的產品表面金屬化焊接孔隙率小于3%。
杭州陶飛侖新材料有限公司是一家同時集成低、高體分鋁碳化硅材料設計、材料制造(陶瓷制備、復合成型、機械加工和后處理)于一身的****。已在該方向擁有多項**。采取多孔陶瓷預制體+真空壓力浸滲+機械加工的技術路徑來制備鋁碳化硅復合材料。具有多種技術優勢,如燒結周期短(燒結周期縮短為1/4以內)、熱導率高、高速成型、高精密加工(尺寸精度±0.005mm;平行度、垂直度、平面度±5μm;表面光潔度≤Ra0.01;RMS≤20nm;鉆孔直徑≥0.5mm、攻絲≥M2.5、ST2.5、槽寬≥0.5mm):此外,還有多項創新儲備技術將陸續產業化。
倒裝芯片封裝FCP技術優勢在于能大幅度提高產品的電性能、散熱效能,適合高引腳數、高速、多功 能的器件。AlSiC的CTE能夠與介電襯底、焊球陣列、低溫燒結陶瓷以及印刷電路板相匹配,同時還具有髙熱傳導率、**度和硬度,是倒裝焊蓋板的理想材料,為芯片提供高可靠保護。AlSiC可制作出復雜的外形,例如,AlSiC外殼產品有多個空腔,可容納多塊芯片,用于提供器件連接支柱、填充材料的孔以及不同的凸緣設計。AlSiC外形表面支持不同的標識和表面處理方法,包括激光打印、油漆、油墨、絲網印刷、電鍍,完全滿足FCP工藝要求。鋁碳化硅已經應用于發動機缸套。
中體分鋁碳化硅(SiC體積比35%-55%):1、性能優勢及應用方向:(1)、高微屈服強度:(35%~55%)光學儀表級鋁碳化硅的微屈強度服度可達(110~120)MPa水平,是國產真空熱壓鈹材的5倍,且無毒,可確保慣性導航系統中陀螺儀有效屏蔽小幅震動,保證穩定性。(2)、高比強度、高比剛度:(35%~55%)光學儀表級鋁碳化硅的高比強度特性可以降低結構件質量,實現武器裝備的輕量化,高比剛度可保證零件的面型(如反射鏡鏡面)精度。(3)、低膨脹系數:(35%~55%)光學儀表級鋁碳化硅具有低熱膨脹系數(9~11)×10-6/K,可以保證結構件在較大溫差變化的情況下仍保持穩定的尺寸。(4)、高導熱性:(35%~55%)光學儀表級鋁碳化硅具有高導熱性率({120-180}W/m·K),可快速散熱,可避免零件過熱對機能的降低。(5)、主要應用方向及**零件:可應用于航空航天及**行業中的光學反射鏡、慣性導航系統零件,可替代鈹材、微晶玻璃、石英玻璃等。鋁碳化硅可有效防止大功率元器件熱失效問題。安徽使用鋁碳化硅廠家現貨
鋁碳化硅可替代鋁合金、不銹鋼、鈦合金等用于高精度精密結構件中。浙江使用鋁碳化硅產品介紹
(3)、激光加工:目前國內外學者對鋁基復合材料激光加工技術的研究主要集中在打孔、切割、劃線和型腔加工等方面。用自行研制的機械斬光盤調脈沖激光器切割試驗表明,在高峰值能量、短脈沖寬度、高脈沖頻率和適當的平均功率條件下,采用高速多次重復走刀切割工藝,可以得到無裂紋的精細切口。有研究采用氧氣作輔助氣體,用800W的連續波CO2激光在厚度13.5mm的復合材料上加工出了直徑0.72mm的無損傷深孔,深徑比達18.75。有研究提出了基于裂紋加工單元的激光銑削方法,他們采用激光對復合材料進行了基于裂紋加工單元的激光銑削加工,并在零件上加工出了形狀較復雜的型腔。研究結果表明,采用該方法進行激光銑削所需要的功率比通常的方法低。浙江使用鋁碳化硅產品介紹
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