【真空鍍膜機鍍塑料件時抽真空時間過長是什么原因？】 (1) 真空室有漏氣現象：da家都知道，真空蒸發鍍膜機是的基本條件是工件在真空狀態下才能進行鍍膜加工的，若真空室有漏氣現象而沒有經過檢漏找出漏氣位置，則真空鍍很長時間都不能抽得上來的；(2)即使真空室沒有漏氣，因為塑料產品的放氣量da，所以抽真空，特別是高真空很難達到。真空室內太臟放氣，而且由于塑料產品的放氣，造成真空室內鍍膜氣體的不純，有雜氣的存在，造成鍍膜產品的顏色發暗，發黃，發黑等。 （3）也許是真空機組的抽氣能力不夠了，油被污染或氧化了。 （4）真空室有漏水。 （5）抽空管道有漏氣。 真空鍍膜機的工作原理。山東真空鍍膜機廠家

【真空鍍膜機電控柜的操作】 1、玻璃真空鍍膜機開水泵、氣源 2、開總電源 3、開維持泵、真空計電源，真空計檔位置V1位置，等待其值小于10后，再進入下一步操作。約需5分鐘。 4、開機械泵、予抽，開渦輪分子泵電源、啟動，真空計開關換到V2位置，抽到小于2為止，約需20分鐘。 5、觀察渦輪分子泵讀數到達250以后，關予抽，開前機和高閥繼續抽真空，抽真空到達一定程度后才能開右邊的高真空表頭，觀察真空度。真空到達2×10-3以后才能開電子qiang電源。 河南多功能真空鍍膜機真空鍍膜機技術教程。

【真空鍍膜技術專業詞匯】真空鍍膜vacuum coating：在處于真空下的基片上制取膜層的一種方法。 基片substrate：膜層承受體。 試驗基片testing substrate：在鍍膜開始、鍍膜過程中或鍍膜結束后用作測量和（或）試驗的基片。 鍍膜材料coating material：用來制取膜層的原材料。 蒸發材料evaporation material：在真空蒸發中用來蒸發的鍍膜材料。 濺射材料sputtering material：有真空濺射中用來濺射的鍍膜材料。 膜層材料(膜層材質)film material：組成膜層的材料。 蒸發速率evaporation rate：在給定時間間隔內,蒸發出來的材料量,除以該時間間隔 濺射速率sputtering rate：在給定時間間隔內,濺射出來的材料量,除以該時間間隔。 沉積速率deposition rate：在給定時間間隔內,沉積在基片上的材料量,除以該時間間隔和基片表面積。 鍍膜角度coating angle：入射到基片上的粒子方向與被鍍表面法線之間的夾角。

【真空鍍膜機之卷繞式鍍膜機】鍍膜產品廣fan用于裝飾、包裝、電容器等領域中，可鍍光學、電學、電磁、導電等多種薄膜。所用基材有PE、PET、PI、PP、OPP、BOPP、紙、泡沫塑料及布等。一般塑料基薄膜材料含水量為1%～2%，紙含水量更da，一般為5%-7%，經涂布烘干后，含水量仍有3%。由于基材含水量高，故鍍膜室由初始的單室發展到目前雙室或多室結構。蒸發源可以是電阻式、感應式、電子柬式以及磁控濺射式。雙室結構應用普遍，其優點是：①可以蒸鍍放氣量較da的紙基材，并能保障鍍膜質量。紙放出的da量氣體從卷繞室中被排走。由于卷繞室與蒸鍍室之間隔板窄縫很小，使放出來的氣體不易進入蒸鍍室中；②單室結構必須配置較da的排氣系統才能保障蒸鍍時的工作壓力，而雙室結構中的蒸鍍室氣體量較小，可配小型抽氣機組，使設備成本降低，并節約能源；③卷繞室與蒸鍍室分別抽氣，可縮短抽氣時間。 　　卷繞式真空鍍膜機在結構上除了有一般鍍膜機所有的結構外，必須有一個為了實現連續鍍膜而設置的卷繞機構。由于被鍍基體是紙或塑料，放氣量較da，因此，在真空室的結構上又有單室和多室之分。 真空鍍膜機公司的排名。

【真空鍍膜機之真空泵的安裝和指導】真空泵安裝指導 1、泵應安裝在地面結實堅固的場所，周圍應留有充分的余地，便于檢查、維護、保養。 2、泵底座下應保持地基水平，底座四角處建議墊減震橡皮或用螺栓澆制安裝，確保泵運轉平穩，振動小。 3、泵與系統的連接管道應密封可靠，對小泵可采用金屬管路連接密封墊采用耐油橡膠，對小泵可采用真空膠管連接，管道管徑不得小于泵吸氣口徑，且要求管路短而少彎頭。（焊接管路時應qing除管道中焊渣，嚴禁焊渣進入泵腔。） 4、在連接管路中，用戶可在泵進氣口上方安裝閥門及真空計，隨時可檢查泵的極限壓力。 5、按電動機標牌規定連接電源，并接地線和安裝合適規格的熔斷器及熱繼電器。 6、泵通電試運轉時，須取下電機皮帶，確認泵轉向符合規定方向方可投入使用，以防泵反轉噴油。（轉向按防護罩指示方向） 7、對于有冷卻水的泵，按規定接通冷卻水。 8、如泵口安裝電磁閥時，閥與泵應同時動作。 9、當泵排出氣體影響工作環境時，可在排氣口裝接管道引離或裝接油霧過濾器。　 真空鍍膜機抽真空步驟。云南求購二手真空鍍膜機

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【真空鍍膜之離子束濺射鍍膜】離子束濺射沉積法在離子源內由惰性氣體(通常為氬)產生具有較高能量的離子轟擊靶材料，把靶材料沉積到基片上的方法。離子束濺射沉積法的一da優點是基片相對于離子源和靶是du立的，它的溫度可以單獨控制。基片通常接地位，它和靶與高頻電路無關，不會象陰極濺射鍍膜那樣受到高能電子的轟擊，因而溫度較低。所以只要配置一臺較好的恒溫循環器(如HX1050型，控溫范圍為-10℃~50℃，精度≤0。5℃)，實現對樣品臺的單獨控溫，就可以根據不同樣品的要求以及薄膜生長不同階段的溫度需要進行適當調節。根據現有離子束濺射設備的構造，設計、加工了專門的金屬樣品架，放上樣品后蓋上金屬壓片，用螺絲緊密地固定在鍍膜腔體的樣品臺上，可使樣品和控溫的樣品臺有良好的熱接觸。并在樣品架中放置了一個測溫鉑電阻，用螺絲把金屬壓片連同其下的鉑電阻一起固定壓緊，再用導線引出與高精度的萬用表相連，以監測薄膜生長過程中的樣品溫度。山東真空鍍膜機廠家

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