【真空鍍膜真空蒸發鍍膜原理】:真空蒸發法的原理是：在真空條件下，用蒸發源加熱蒸發材料，使之蒸發或升華進入氣相，氣相粒子流直接射向基片上沉積或結晶形成固態薄膜；由于環境是真空，因此，無論是金屬還是非金屬，在這種情況下蒸發要比常壓下容易得多。真空蒸發鍍膜是發展較早的鍍膜技術，其特點是：設備相對簡單，沉積速率快，膜層純度高，制膜材料及被鍍件材料范圍很廣，鍍膜過程可以實現連續化，應用相當guang泛。按蒸發源的不同，主要分為：電阻加熱蒸發、電子束蒸發、電弧蒸發和激光蒸發等。電子束蒸發真空鍍膜設備是什么？貴州匯成真空鍍膜設備

在真空鍍膜設備中需要鍍膜的被成為基片，鍍的材料被成為靶材。基片與靶材同在真空腔中。蒸發鍍膜一般是加熱靶材使表面組分以原子團或離子形式被蒸發出來，并且沉降在基片表面，通過成膜過程形成薄膜。真空鍍膜機對于濺射類鍍膜，可以簡單理解為利用電子或高能激光轟擊靶材，并使表面組分以原子團或離子形式被濺射出來，并且終沉積在基片表面，經歷成膜過程，終形成薄膜。爐體可選擇由不銹鋼、碳鋼或它們的組合制成的雙層水冷結構。北京臥式真空鍍膜設備真空鍍膜設備機組介紹。

【濺射的四要素】：①靶材物質，②電磁場，③底物，④一整套完整配備的鍍膜設備 【濺射收益】：1)離子每一次撞擊靶材時，靶材所釋放出的靶材原子；2)影響濺射收益的因素： ①等離子體中離子動能, ②入射離子的入射角度; 3)Zui大濺射收益的決定因素：①入射角度在45°&50°左右,②取決于靶材物質; 4)入射角度的影響因素 ①由電場決定,②靶材表面于入射源的相對角度。 【濺射率】： 定義：每單位時間內靶材物質所釋放出的原子個數。 濺射率的影響因素：①離子動能（取決于電源電壓和氣體壓力）②等離子密度（取決于氣體壓力和電流）。統計學公式：Rs(統計學)=d/t。 注：濺射原子溢出角度大部分在0~10度之間，因此在腔室內所有區域都可能被鍍上一層膜，久之會產生污染。所以真空濺射腔室內必須進行定期清潔。

【離子鍍膜法之活性反應蒸鍍法】：活性反應蒸鍍法(ABE):利用電子束加熱使膜材氣化；依靠正偏置探極和電子束間的低壓等離子體輝光放電或二次電子使充入的氧氣、氮氣、乙炔等反應氣體離化。這種方法的特點是：基板溫升小，要對基板加熱，蒸鍍效率高，能獲得三氧化鋁(AL2O3)、氮化鈦(TiN)、碳化鈦(TiC)等薄膜；可用于鍍機械制品、電子器件、裝飾品。【離子鍍膜法之空心陰極離子鍍(HCD)】：空心陰極離子鍍(HCD):利用等離子電子束加熱使膜材氣化；依靠低壓大電流的電子束碰撞使充入的氣體Ar或其它惰性氣體、反應氣體離化。這種方法的特點是：基板溫升小，要對基板加熱，離化率高，電子束斑較大，能鍍金屬膜、介質膜。真空鍍膜設備的主要應用。

【真空鍍膜真空濺射法】：真空濺射法是物理qi相沉積法中的后起之秀。隨著高純靶材料和高純氣體制備技術的發展，濺射鍍膜技術飛速發展，在多元合金薄膜的制備方面顯示出獨到之處。其原理為：稀薄的空氣在異常輝光放電產生的等離子體在電場的作用下，對陰極靶材料表面進行轟擊，把靶材料表面的分子、原子、離子及電子等濺射出來，被濺射出來的粒子帶有一定的動能，沿一定的方法射向基體表面，在基體表面形成鍍層。特點為：鍍膜層與基材的結合力強；鍍膜層致密、均勻；設備簡單，操作方便，容易控制。主要的濺射方法有直流濺射、射頻濺射、磁控濺射等。目前應用較多的是磁控濺射法。真空鍍膜設備參數怎么調？遼寧馮阿登納真空鍍膜設備

真空鍍膜機使用時，需要注意哪些問題?貴州匯成真空鍍膜設備

【真空鍍膜設備之渦輪分子泵】： 渦輪分子泵：渦輪分子泵是利用高速旋轉的動葉輪將動量傳給氣體分子，使氣體產生定向流動而抽氣的真空泵。主要用于高真空或超高真空，屬于干泵，極限真空10&7~10&8Torr，烘烤后可到10&10Torr，抽速可從50L/S~3500L/S。分子泵是靠高速轉動的渦輪轉子攜帶氣體分子而獲得高真空、超高真空的一種機械真空泵。泵的轉速為10000轉/分到50000轉/分，這種泵的抽速范圍很寬，但不能直接對大氣排氣，需要配置前級泵。分子泵抽速與被抽氣體的種類有關，如對氫的抽速比對空氣的抽速大20%。 貴州匯成真空鍍膜設備