【光譜分光不良的補救（補色）之其他情況】： 分光不良分為二種情況：一是全部膜系鍍制完成后，經測試分光不良，此類不良主要按六節所述方法處理，一般減反膜難以補救。但對于高反膜、帶通濾光膜等可以通過加層的方法補救。二是鍍制中途中斷（包括發現錯誤中斷）造成的分光不良，一般都可以通過后續努力補救。后續方法正確，補救成功率比較高。 中斷的原因形式之其他情況： 對于用錯程序，錯誤操作（預熔未關閉擋板等）人為中斷需要補救的；以及反光膜、濾光膜鍍后需要補救的情況處理方案： 模擬：將實測分光數據輸入計算機膜系設計程序的優化目標值。通過計算機模擬（一般是Zui后一層的膜厚確認），找到與實現測試值結果相應的膜系數據。 優化：根據模擬得到的膜系數據，輸入產品要求的優化目標值，通過加層、優化后續膜層的方法，重新優化設計一個補救膜系。 試鍍：確認、完善補救膜系效果 補救鍍：完成補救工作 真空鍍膜設備廠家排名。河北真空鍍膜設備功能

【真空鍍膜產品常見不良分析及改善對策之單片膜色不均勻】： 原因：主要是由于基片凹凸嚴重，與傘片曲率差異較大，基片上部、或下部法線與蒸發源構成的蒸發角差異較大。造成一片鏡片上各部位接受膜料的條件差異大，形成的膜厚差異大。另外鏡片被鏡圈（碟片）邊緣部遮擋、鏡圈（碟片）臟在蒸鍍時污染鏡片等也會造成膜色差異問題。 改善對策：改善鏡片邊緣的蒸發角 1. 條件許可，用行星夾具 2. 選用傘片平坦（R大）的機臺 3. 根據傘片孔位分布，基片形狀，制作專門的鋸齒形修正板。 4. 如果有可能，把蒸發源往真空室中間移動，也可改善單片的膜色均勻性。 5. 改善鏡圈（碟片），防止遮擋。 6. 注意旋轉傘架的相應部位對邊緣鏡片的部分遮擋 7. 清潔鏡圈（碟片） 8. 改善膜料蒸發狀況。海南真空鍍膜設備維護真空鍍膜設備的應用。

【為什么要在真空中鍍膜】： 1.鍍的過程中不會受空氣分子碰撞,有較大的動量到達待鍍件表面 2.防止氣體“污染”.如：鍍金屬膜時可以防止氧化 3.成膜過程不受氣體影響,致密牢固 4.真空（負壓）狀態下,鍍膜材料的熔點教常壓下低,易于融化蒸發（對于蒸發類型的鍍膜） 真空鍍膜技術是一種新穎的材料合成與加工的新技術，是表面工程技術領域的重要組成部分。真空鍍膜技術是利用物理、化學手段將固體表面涂覆一層特殊性能的鍍膜，從而使固體表面具有耐磨損、耐高溫、耐腐蝕、抗氧化、防輻射、導電、導磁、絕緣和裝飾等許多優于固體材料本身的優越性能，達到提高產品質量、延長產品壽命、節約能源和獲得明顯技術經濟效益的作用。因此真空鍍膜技術被譽為Zui具發展前途的重要技術之一，并已在高技術產業化的發展中展現出誘人的市場前景。這種新興的真空鍍膜技術已在國民經濟各個領域得到應用，如航空、航天、電子、信息、機械、石油、化工、環保、Jun事等領域。

【近些年來出現的新的鍍膜方法】： 除蒸發法和濺射法外，人們又綜合了這兩種方法的優缺點，取長補短，發展出一些新的方法，如：等離子體束濺射等。這種嶄新的技術結合了蒸發鍍的高效和濺射鍍的高性能特點，特別在多元合金以及磁性薄膜的制備方面，具有其它手段無可比擬的優點。高效率等離子體濺射(High Target Utilization Plasma Sputtering(HiTUS))實際上是由利用射頻功率產生的等離子體聚束線圈、偏壓電源組成的一個濺射鍍膜系統。這種離子體源裝置在真空室的側面。如圖1所示。圖2為實際的鍍膜機照片。該等離子體束在電磁場的作用下被引導到靶上，在靶的表面形成高密度等離子體。同時靶連接有DC/RF偏壓電源，從而實現高效可控的等離子體濺射。等離子體發生裝置與真空室的分離設計是實現濺射工藝參數寬范圍可控的關鍵，而這種廣闊的可控性使得特定的應用能確定工藝參數Zui優化。 與通常的磁控濺射相比，由于磁控靶磁場的存在而在靶材表面形成刻蝕環不同，HiTUS系統由于取消了靶材背面的磁鐵，從而能對靶的材料實現全mian積均勻。 真空鍍膜設備產業集群。

【濺射鍍膜定義】： 定義：所謂濺射，就是這充滿腔室的工藝氣體在高電壓的作用下，形成氣體等離子體（輝光放電），其中的陽離子在電場力作用下高速向靶材沖擊，陽離子和靶材進行能量交換，使靶材原子獲得足夠的能量從靶材表面逸出（其中逸出的還可能包含靶材離子）。這一整個的動力學過程，就叫做濺射。入射離子轟擊靶面時，將其部分能量傳輸給表層晶格原子，引起靶材中原子的運動。有的原子獲得能量后從晶格處移位，并克服了表面勢壘直接發生濺射；有的不能脫離晶格的束縛，只能在原位做振動并波及周圍原子，結果使靶的溫度升高；而有的原子獲得足夠大的能量后產生一次反沖，將其臨近的原子碰撞移位，反沖繼續下去產生高次反沖，這一過程稱為級聯碰撞。級聯碰撞的結果是部分原子達到表面，克服勢壘逸出，這就形成了級聯濺射，這就是濺射機理。當級聯碰撞范圍內反沖原子密度不高時，動態反沖原子彼此間的碰撞可以忽略，這就是線性級聯碰撞。真空鍍膜設備真空四個階段。重慶微型真空鍍膜設備

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【真空鍍膜濺射種類】： 1、反應濺射：氧化物，氮化物作為沉積物質 現象：①：靶材分子分裂，其于工藝氣體離子發生反應，形成化合物 ②：膜層性能改變 ③：靶材有可能中毒 2、二極濺射：二極濺射是一種經典的標準濺射技術，其中等離子體和電子均只沿著電場方向運動。 特征：①：無磁場 ②：濺射率低 ③：放電電壓高（＞500V） ④：鍍膜底物受熱溫度極易升高（＞500°C） 用途：主要用于金屬靶材、絕緣靶材、磁性靶材等的濺射鍍。 3、磁控濺射：暗區無等離子體產生，在磁控濺射下，電子呈螺旋形運動，不會直接沖向陽極。而是在電場力和磁場力的綜合作用在腔室內做螺旋運動。同時獲的能量而和工藝氣體以及濺射出的靶材原子進行能量交換，使氣體及靶材原子離子化，dada提高氣體等離子體密度，從而提高了濺射速率（可提高10—20倍）和濺射均勻性。 河北真空鍍膜設備功能

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