本發明涉及剝離液技術領域：，更具體的說是涉及一種光刻膠剝離液再生方法。背景技術：：電子行業飛速發展，光刻膠應用也越來越***。在半導體元器件制造過程中，經過涂敷-顯影-蝕刻過程，在底層金屬材料上蝕刻出所需線條之后，必須在除去殘余光刻膠的同時不能損傷任何基材，才能再進行下道工序。因此，光刻膠的剝離質量也有直接影響著產品的質量。而隨著電子行業的發展以及高世代面板的面世，光刻膠剝離液的使用越來越多。剝離液廢液中含有光刻膠樹脂、水和某些金屬雜質，而剝離液廢液的處理主要是通過焚燒或者低水平回收，其大量的使用但不能夠有效地回收，對環境、資源等都造成了比較大的影響。有鑒于此，申請人研發出以下的對使用后的光刻膠剝離液回收及再生方法。技術實現要素：本發明的目的是提供一種光刻膠剝離液再生方法。為了實現上述目的，本發明采用如下技術方案：本申請公開了一種高世代面板銅制程光刻膠剝離液，包括以下質量組分：光刻膠剝離液再生方法，包括以下步驟：s1：回收剝離液新液使用后的剝離液廢液，將剝離液廢液經過蒸餾、加壓工序，得出剝離液廢液的純化液體；純化液體中含有酰胺化合物、醇醚化合物以及胺化合物；s2：制備添加劑。剝離液應用于什么樣的場合？杭州中芯國際用剝離液報價

    所述卷邊輥與所述膠面收卷輥通過皮帶連接，所述收卷驅動電機與所述膠面收卷輥通過導線連接。進一步的，所述電加熱箱與所述干燥度感應器通過導線連接，所述電氣控制箱與所述液晶操作面板通過導線連接。進一步的，所述主支撐架由合金鋼壓制而成，厚度為5mm。進一步的，所述干燥度感應器與所述電氣控制箱通過導線連接。進一步的，所述防濺射擋板共有兩塊，傾斜角度為45°。進一步的，所述電氣控制箱與所述表面印刷結構通過導線連接，所述電氣控制箱與所述膠面剝離結構通過導線連接。本**技術的有益效果在于：采用黏合方式對印刷品膠面印刷進行剝離，同時能夠對印刷品膠面進行回收，節約了大量材料，降低了生產成本。附圖說明圖1是本**技術所述一種印刷品膠面印刷剝離復合裝置的主視結構簡圖；圖2是本**技術所述一種印刷品膠面印刷剝離復合裝置的電氣控制箱外觀結構簡圖；圖3是本**技術所述一種印刷品膠面印刷剝離復合裝置的表面印刷結構主視結構簡圖；圖4是本**技術所述一種印刷品膠面印刷剝離復合裝置的膠面剝離結構主視結構簡圖。附圖標記說明如下：1、主支撐架；2、橫向支架；3、伺服變頻電機；4、電機減速箱；5、印刷品傳送帶；6、印刷品放置箱；7、表面印刷結構?；葜菔忻嫔夏募覄冸x液銷售廠家哪家的剝離液性價比比較高？

    所述硫脲類緩蝕劑包括硫脲、苯基硫脲或月桂?；螂逯械囊环N。具體的，所述聚氧乙烯醚類非離子型表面活性劑為聚氧乙烯聚氧丙烯單丁基醚、壬基酚聚氧乙烯醚、辛基酚聚氧乙烯醚、十二烷基聚氧乙烯醚、二壬基酚聚氧乙烯醚中的一種。采用上述技術方案，本發明技術方案的有益效果是：本用于疊層晶圓的光刻膠剝離液具有較快的剝離速度，對金屬的腐蝕率低，而且使用壽命長。具體實施方式本發明涉及一種用于疊層晶圓的光刻膠剝離液，配方包括10～20wt％二甲基亞砜，10～20wt％一乙醇胺，5～11wt％四甲基氫氧化銨，～1wt％硫脲類緩蝕劑和～2wt％聚氧乙烯醚類非離子型表面活性劑，5～15wt％n-甲基吡咯烷酮和余量的去離子水。聚氧乙烯醚類非離子型表面活性劑因為分子中的醚鍵不易被酸、堿破壞，所以穩定性較高，水溶性較好，耐電解質，易于生物降解，泡沫小。硫脲類緩蝕劑呈現弱堿性，所以在酸性介質中能夠起到緩蝕的效果，另外與聚氧乙烯醚類非離子型表面活性劑和n-甲基吡咯烷酮配合可以起到提高處理量的作用。下面結合具體實施例對本發明作進一步詳細說明。

    采用此方法可以制備出負性光刻膠所能制備的任意結構，同時相比于傳統的加工，本方案加工效率可以提高上千倍，且圖形的結構越大相對的加工效率越高。本發明為微納制造領域，光學領域，電學領域，聲學領域，生物領域，mems制造，nems制造，集成電路等領域提供了一種新的有效的解決方案。附圖說明圖1為本發明制備用電子束在pmma上曝光出圓形陣列的輪廓；圖2為本發明用黏貼層撕走pmma輪廓以外的結構后得到的圓形柱狀陣列；圖3為實施例1步驟三的結構圖；圖4為實施例1步驟四的結構圖；圖5為實施例1步驟五的結構圖；圖6為實施例1步驟六的結構圖。具體實施方式為了使本發明的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合附圖對本發明作進一步詳細的描述。實施例1一種選擇性剝離光刻膠制備微納結構的方法，包括以下步驟：步驟一、提供襯底，并清洗；步驟二、使用十三氟正辛基硅烷利用高溫氣體修飾法對襯底進行修飾；步驟三、利用旋涂的方法在襯底上旋涂光刻膠pmma得到薄膜，如圖3。步驟四、在光刻膠上加工出所需結構的輪廓如圓形，如圖4所示。步驟五、在加工出結構輪廓的薄膜上面覆蓋一層黏貼層，如圖5。步驟六、揭開黏貼層及結構輪廓以外的薄膜，在襯底上留下輪廓內的微納尺度結構。好的剝離液的標準是什么。

砷化鎵也有容易被腐蝕的特點，比如堿性的氨水、酸性的鹽酸、硫酸、硝酸等。去膠，也成為光刻膠的剝離。即完成光刻鍍膜等處理之后，需要去除光刻膠之后進行下一步。有時直接采用**+異丙醇的方式就可以去除。但是對于等離子體處理過的光刻膠，一般就比較難去除干凈。有的人把**加熱到60℃，雖然去膠效果快了一些，但是**沸點是60℃，揮發的特別快，而且**蒸汽也有易燃的風險，因此找一款去膠效果好的光刻膠剝離液十分有必要。介紹常見的一款剝離液，該剝離液去膠效果好，但是對砷化鎵有輕微腐蝕，不易長時間浸泡。工藝參數因產品和光刻膠的種類而不同，但基本上都要加熱。華星光電用的哪家的剝離液？杭州銅蝕刻液剝離液廠家現貨

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    用顯微鏡觀察也難以看出的程度)3：有少量殘渣4：基本能剝離，但一部分殘渣多5：一半以上能剝離，但一部分殘渣多6：基本不能剝離，但一部分剝離7：不能剝離【表2】由該結果可知，在含有溶纖劑的抗蝕劑的剝離液中使用氫氧化鉀代替氫氧化鈉的本發明組成，與使用氫氧化鈉的比較組成相比，即使l/s狹窄，也能除去抗蝕劑。(3)剝離性能的評價方法將液溫設為50℃的各剝離液使用噴涂裝置向上述試驗片實施剝離處理，將試驗片的粘性部分的dfr以目視全部面積的90％以上被剝離的時刻作為剝離時間。另外，剝離片尺寸(長邊)是采集噴涂停止后附著于設置于試驗基板固定用的臺上的排渣用網眼的剝離片以目視實施的。此時的噴涂裝置的條件設為全錐噴嘴且流量5l/min、壓力。將其結果示于表3。(4)金屬的浸蝕性的評價方法利用上述評價方法實施將噴涂運行時間固定在10分鐘的處理。其后，將基板的鍍銅部位通過電子顯微鏡(日立高新技術制：s-3400n)按照以下的評價基準評價表面形狀。其結果也示于表3。<金屬浸蝕性的評價基準>(分數)(內容)1：沒有變化2：極略微有變化(用顯微鏡觀察也難以看出的程度)3：略有變化4：發生***變色【表3】剝離時間(sec)剝離片尺寸。杭州中芯國際用剝離液報價

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