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來源: 發(fā)布時間:2023-05-19

    當(dāng)當(dāng)前級別腔室101對應(yīng)的過濾器30被薄膜碎屑阻塞后,通過閥門開關(guān)60關(guān)閉當(dāng)前級別腔室101對應(yīng)的存儲箱20與過濾器30之間的液體流通,從而可以在閥門開關(guān)60關(guān)閉后取下被阻塞的過濾器30進(jìn)行清理并不會導(dǎo)致之后的下一級腔室102的剝離進(jìn)程無法繼續(xù)。其中,腔室10用于按照處于剝離制程的玻璃基板的傳送方向逐級向玻璃基板分別提供剝離液;與多個腔室10分別對應(yīng)連接的多個存儲箱20,各級腔室10分別通過管道與相應(yīng)的存儲箱20連接,存儲箱20用于收集和存儲來自當(dāng)前級腔室101的經(jīng)歷剝離制程的剝離液;過濾器30用于過濾來自當(dāng)前級腔室101的存儲箱20的剝離液,并且過濾器30還可以通過管道與下一級腔室102連接,從而過濾器30可以將過濾后的剝離液輸送給下一級腔室102。各腔室10設(shè)計(jì)為適合進(jìn)行剝離制程,用于向制程中的玻璃基板供給剝離液,具體結(jié)構(gòu)可參考現(xiàn)有設(shè)計(jì)在此不再贅述。各級腔室10分別于相應(yīng)的存儲箱20通過管道連接,腔室10中經(jīng)歷剝離制程后的剝離液可以經(jīng)管道輸送至存儲箱20中,由存儲箱20來收集和存儲。各級腔室10的存儲箱20分別與相應(yīng)的過濾器30通過管道連接,經(jīng)存儲箱20處理后的剝離液再經(jīng)相應(yīng)的過濾器30過濾后才經(jīng)管道輸送至下一級腔室102。本申請中。哪家的剝離液性價比比較高?南通銅蝕刻液剝離液商家

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    采用此方法可以制備出負(fù)性光刻膠所能制備的任意結(jié)構(gòu),同時相比于傳統(tǒng)的加工,本方案加工效率可以提高上千倍,且圖形的結(jié)構(gòu)越大相對的加工效率越高。本發(fā)明為微納制造領(lǐng)域,光學(xué)領(lǐng)域,電學(xué)領(lǐng)域,聲學(xué)領(lǐng)域,生物領(lǐng)域,mems制造,nems制造,集成電路等領(lǐng)域提供了一種新的有效的解決方案。附圖說明圖1為本發(fā)明制備用電子束在pmma上曝光出圓形陣列的輪廓;圖2為本發(fā)明用黏貼層撕走pmma輪廓以外的結(jié)構(gòu)后得到的圓形柱狀陣列;圖3為實(shí)施例1步驟三的結(jié)構(gòu)圖;圖4為實(shí)施例1步驟四的結(jié)構(gòu)圖;圖5為實(shí)施例1步驟五的結(jié)構(gòu)圖;圖6為實(shí)施例1步驟六的結(jié)構(gòu)圖。具體實(shí)施方式為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚,下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的描述。實(shí)施例1一種選擇性剝離光刻膠制備微納結(jié)構(gòu)的方法,包括以下步驟:步驟一、提供襯底,并清洗;步驟二、使用十三氟正辛基硅烷利用高溫氣體修飾法對襯底進(jìn)行修飾;步驟三、利用旋涂的方法在襯底上旋涂光刻膠pmma得到薄膜,如圖3。步驟四、在光刻膠上加工出所需結(jié)構(gòu)的輪廓如圓形,如圖4所示。步驟五、在加工出結(jié)構(gòu)輪廓的薄膜上面覆蓋一層黏貼層,如圖5。步驟六、揭開黏貼層及結(jié)構(gòu)輪廓以外的薄膜,在襯底上留下輪廓內(nèi)的微納尺度結(jié)構(gòu)。江蘇銅鈦蝕刻液剝離液費(fèi)用質(zhì)量好的剝離液的公司聯(lián)系方式。

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    實(shí)施例1~6:按照表1配方將二甲基亞砜、一乙醇胺、四甲基氫氧化銨、硫脲類緩蝕劑、聚氧乙烯醚類非離子型表面活性劑、n-甲基吡咯烷酮和去離子水混合,得到用于疊層晶圓的光刻膠剝離液。表1:注:含量中不滿100wt%的部分由去離子水補(bǔ)足余量。以cna披露的光刻膠剝離液作為對照例,與實(shí)施例1~6所得用于疊層晶圓的光刻膠剝離液進(jìn)行比較試驗(yàn),對面積均為300cm2的疊層晶圓上的光刻膠進(jìn)行剝離并分別測定剝離周期、金屬鍍層的腐蝕率和過片量(剝離的面壁數(shù)量)。對比情況見表2:表2:剝離周期/s金屬腐蝕率/ppm過片量/片實(shí)施例1130~15015376實(shí)施例2130~15016583實(shí)施例3130~15017279實(shí)施例4130~15015675實(shí)施例5130~15016372實(shí)施例6130~15017681對照例180~20022664由表2可知,本用于疊層晶圓的光刻膠剝離液通過加入硫脲類緩蝕劑和聚氧乙烯醚類非離子型表面活性劑,使剝離效率有明顯的提升,對金屬腐蝕率降低20%以上,而且讓過片量提高10%以上。以上所述的*是本發(fā)明的一些實(shí)施方式。對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說,在不脫離本發(fā)明創(chuàng)造構(gòu)思的前提下,還可以做出若干變形和改進(jìn),這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。

微電子化學(xué)品***適用于先進(jìn)半導(dǎo)體封裝測試、TFT、FPD平板顯示、LED、晶體硅太陽能、PCB行業(yè)。類別品名英文名等級ELMOSUP溶劑類甲醇Methanol■  甲苯Toluene■  無水乙醇Ethanol■■  ■ 異丙醇IPA■■■**Acetone■■■N-甲基吡咯烷酮1-Methyl-2-pyrrolidinone■  ■ ■丙二醇甲醚PGME■  ■ ■丙二醇甲醚醋酸酯PGMEA■  ■ ■酸堿類硫酸Sulfuric Acid■■■鹽酸Hydrochloric Acid■■ 硝酸Nitric Acid■■■氫氟酸Hydrofluoric Acid■■■磷酸Phosphoric Acid■■ 冰乙酸Acetic Acid,Glacial■■■過氧化氫Hydrogen Peroxide■■■氟化銨Ammonium Fluoride■■■氨水Ammonium Hydroxide■■■氫氧化鉀Potassium Hydroxide Liquid■  氫氧化鈉Sodium Hydroxide Liquid■  功能化學(xué)品銅蝕刻液Copper Etchant■  鋁蝕刻液Aluminum Etchants■  BOE蝕刻液Amnonium Fluoride Etchants■■■ITO蝕刻液ITO Etchant■  IGZO蝕刻液IGZO  Etchant■  光刻膠剝離液(有機(jī)) Photoresist Stripper (Solvent)■  光刻膠剝離液(水系)Photoresist Stripper (Aqueous) ■  玻璃減薄液Glass Thinning Liquid■  玻璃清洗液Glass cleaning solution■  光刻膠顯影液Photoresist Developer■■■玻璃切削液Glass cutting fluid■  化學(xué)研磨液Chemical grinding fluid■  維信諾用的哪家的剝離液?

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    每一所述第二子管道502與所述公共子管道501連通,所述公共子管道501與所述下一級腔室102連通。其中,閥門開關(guān)60設(shè)置在每一***子管道301上。在一些實(shí)施例中,閥門開關(guān)60設(shè)置在每一***子管道401及每一所述第二子管道502上。在一些實(shí)施例中,閥門開關(guān)60設(shè)置在每一第二子管道502上。具體的,閥門開關(guān)60的設(shè)置位置可以設(shè)置在連接過濾器30的任意管道上,在此不做贅述。在一些實(shí)施例中,請參閱圖4,圖4為本申請實(shí)施例提供的剝離液機(jī)臺100的第四種結(jié)構(gòu)示意圖。第二管道50包括多個第三子管道503,每一所述第三子管道503與一子過濾器連通301,且每一所述第三子管道503與所述下一級腔室連通102。其中,閥門開關(guān)60設(shè)置在每一第三子管道503上。本申請實(shí)施例提供的剝離液機(jī)臺,包括:依次順序排列的多級腔室、每一級所述腔室對應(yīng)連接一存儲箱;過濾器,所述過濾器的一端設(shè)置通過***管道與當(dāng)前級腔室對應(yīng)的存儲箱連接,所述過濾器的另一端通過第二管道與下一級腔室連接;其中,至少在***管道或所述第二管道上設(shè)置有閥門開關(guān)。通過閥門開關(guān)控制連接每一級腔室的過濾器相互獨(dú)立,從而在過濾器被阻塞時通過閥門開關(guān)將被堵塞的過濾器取下并不影響整體的剝離進(jìn)程,提高生產(chǎn)效率。剝離液適用于哪些行業(yè)。池州什么剝離液溶劑

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    例如即使為50/50μm以下的線/間距、推薦10/10~40/40μm的線/間距也能除去抗蝕劑。實(shí)施例以下,舉出實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明,但本發(fā)明不受這些實(shí)施例任何限定。實(shí)施例1抗蝕劑的剝離液的制備:將以下的表1中記載的成分在水中混合、溶解而制備抗蝕劑的剝離液。【表1】(mol/l)氫氧化鉀氫氧化鈉異丙基溶纖劑硅酸鉀本發(fā)明組成:(1)基板制作方法為了提**膜抗蝕劑一基材間的密合,將覆銅層疊板(古河電工(株式會社)制:ccl:電解銅箔gts35μm箔)通過粗化處理(jcu制:ebakemuneobrownnbsii、蝕刻量μm)使表面粗度成為ra約μm。其后,使用干膜抗蝕劑(日立化成制:rd-1225(sap用):25μm厚)實(shí)施從層壓到圖案曝光、顯影。向本基板以15μm厚實(shí)施鍍銅(jcu制:cu-britevl)后,切出50×50mm2作為試驗(yàn)片。需要說明的是,該試驗(yàn)片是在一片上具有以下的表2的l/s的圖案部分和黏性部分的試驗(yàn)片。(2)圖案基板上殘留的抗蝕劑的評價方法上述評價方法中將噴涂運(yùn)行時間固定在4分鐘,按照以下的評價基準(zhǔn)評價l/s=20/20~40/40μm的圖案部分有無剝離殘?jiān)⑵浣Y(jié)果示于表2。<剝離殘?jiān)脑u價基準(zhǔn)>(分?jǐn)?shù))(內(nèi)容)1:無殘?jiān)?:有極少量殘?jiān)D贤ㄣ~蝕刻液剝離液商家

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