光刻膠又稱光致抗蝕劑,主要由感光樹脂、增感劑和溶劑三種成分組成。感光樹脂經(jīng)光照后,在曝光區(qū)能很快地發(fā)生光固化反應(yīng),使得這種材料的物理性能,特別是溶解性、親合性等發(fā)生明顯變化。經(jīng)曝光、顯影、刻蝕、擴(kuò)散、離子注入、金屬沉積等工藝將所需的微細(xì)圖形從掩模版轉(zhuǎn)移至加工的基板上、***通過去膠剝離液將未曝光部分余下的光刻膠清洗掉,從而完成整個(gè)圖形轉(zhuǎn)移過程。在液晶面板和amoled生產(chǎn)中***使用。現(xiàn)有的剝離液主要有兩種,分別是水性剝離液和有機(jī)剝離液,由于有機(jī)剝離液只能用于具有mo/al/mo結(jié)構(gòu)的制程中,無(wú)法用于ito/ag/ito;且乙醇胺的含量高達(dá)60%以上,有很強(qiáng)的腐蝕性,因此,常用的剝離液是水性剝離液,現(xiàn)有的水性剝離液主要成分為有機(jī)胺化合物、極性有機(jī)溶劑以及水,但現(xiàn)有的水性剝離液大都存在腐蝕金屬配線、光刻膠殘留、環(huán)境污染大、影響操作人員的安全性、剝離效果差等問題。 剝離液的發(fā)展趨勢(shì)如何。深圳半導(dǎo)體剝離液銷售公司
腔室10及過濾器30可以采用與現(xiàn)有技術(shù)相同的設(shè)計(jì)。處于剝離制程中的玻璃基板,按照玻璃基板傳送方向從當(dāng)前腔室101開始逐級(jí)由各腔室10向玻璃基板供給剝離液以進(jìn)行剝離制程。剝離液從當(dāng)前腔室101進(jìn)入相應(yīng)的存儲(chǔ)箱20,在剝離液的水平面超過預(yù)設(shè)高度后流入過濾器30,再經(jīng)過過濾器30的過濾將過濾后的剝離液傳送至下一級(jí)腔室102內(nèi)。其中,薄膜碎屑70一般為金屬碎屑或ito碎屑。其中,如圖2所示,圖2為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的剝離液機(jī)臺(tái)100的第二種結(jié)構(gòu)示意圖。閥門開關(guān)60設(shè)置在***管道40及第二管道50上。在過濾器30被阻塞時(shí),關(guān)閉位于過濾器30兩側(cè)的***管道40及第二管道50上的閥門開關(guān)60,可以保證當(dāng)前級(jí)腔室101對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)箱20內(nèi)剝離液不會(huì)流出,同時(shí)下一級(jí)腔室102內(nèi)的剝離液也不會(huì)流出。在一些實(shí)施例中,請(qǐng)參閱圖3,圖3為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的剝離液機(jī)臺(tái)100的第三種結(jié)構(gòu)示意圖。過濾器30包括多個(gè)并列排布的子過濾器301,所述***管道40包括多個(gè)***子管道401,每一所述***子管道401與一子過濾器301連通,且所述多個(gè)***子管道401與當(dāng)前級(jí)腔室101對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)箱20連通。在一些實(shí)施例中,第二管道50包括公共子管道501及多個(gè)第二子管道502,每一所述第二子管道502與一子過濾器301連通。合肥BOE蝕刻液剝離液價(jià)格剝離液適用于哪些行業(yè)。
形成帶有沉淀物的固液混合物,打開一級(jí)過濾罐進(jìn)料管路上的電磁閥18,固液混合物進(jìn)入一級(jí)過濾罐16的過濾筒中,先由一級(jí)過濾罐16的過濾筒過濾得到一級(jí)線性酚醛樹脂,濾液由提升泵6送往攪拌釜的循環(huán)料口7,往復(fù)3次數(shù)后,一級(jí)線性酚醛樹脂回收完成,關(guān)閉一級(jí)過濾罐進(jìn)料管路上的電磁閥18,利用提升泵6將一級(jí)過濾罐16中濾液抽取到攪拌釜10內(nèi)備用;2、向攪拌釜10中輸入酸性溶液,與前述濾液充分?jǐn)嚢杌旌显俅挝龀龀恋砦铮炊?jí)線性酚醛樹脂,利用ph計(jì)檢測(cè)溶液ph值,當(dāng)達(dá)到5-7范圍內(nèi)即可,打開二級(jí)過濾罐13進(jìn)料管路上的電磁閥17,帶有沉淀物的混合液進(jìn)入二級(jí)過濾罐13中,由其中的過濾筒過濾得到二級(jí)線性酚醛樹脂,廢液二級(jí)過濾罐底部的廢液出口20流出,送往剝離成分處理系統(tǒng)。上述過濾得到的一級(jí)線性酚醛樹脂可用于光刻膠產(chǎn)品的原料,而二級(jí)線性酚醛樹脂可用于其他場(chǎng)合。
光刻作為IC制造的關(guān)鍵一環(huán)常常被人重視,但是光刻膠都是作為層被去掉的,如何快速、干凈的去除工藝后的光刻膠是一個(gè)經(jīng)常被疏忽的問題,但是很重要,直接影響了產(chǎn)品質(zhì)量。如何快速有效的去除光刻膠。筆者**近就碰到一些去膠的問題,比如正膠和負(fù)膠去除需要的工藝有差別。去膠工藝還和光刻膠受過什么樣的工藝處理有關(guān),比如ICPRIE之后的光刻膠、還有濕法腐蝕后的光刻膠。市面上針對(duì)光刻膠去除的特殊配方的去膠液有很多種,但需要根據(jù)自身產(chǎn)品特性加以選擇。在做砷化鎵去除光阻的案例,砷化鎵是一種化合物半導(dǎo)體材料,分子式GaAs。立方晶系閃鋅礦結(jié)構(gòu),即由As和Ga兩種原子各自組成面心立方晶格套構(gòu)而成的復(fù)式晶格,其晶格常數(shù)是。室溫下禁帶寬度,是直接帶隙半導(dǎo)體,熔點(diǎn)1238℃,質(zhì)量密度,電容率。在其中摻入Ⅵ族元素Te、Se、S等或Ⅳ族元素Si,可獲得N型半導(dǎo)體,摻入Ⅱ族元素Be、Zn等可制得P型半導(dǎo)體,摻入Cr或提高純度可制成電阻率高達(dá)107~108Ω·cm的半絕緣材料。 哪家的剝離液比較好用點(diǎn)?
參考圖7),這種殘余物在覆蓋一系列柵極堆棧薄膜之后會(huì)被增強(qiáng)呈現(xiàn),傳遞到柵極成型工序時(shí)會(huì)對(duì)柵極圖形產(chǎn)生嚴(yán)重的影響,即在柵極曝光圖形成型之后形成埋層缺陷,在柵極刻蝕圖形成型之后造成柵極斷開或橋接,直接降低了產(chǎn)品良率。另外,在氧氣灰化階段,由于等離子氧可以穿透襯底表面上的氧化層到達(dá)襯底硅區(qū),直接與硅反應(yīng)產(chǎn)生二氧化硅,增加了硅損失,會(huì)影響器件閾值電壓及漏電流,也會(huì)影響產(chǎn)品良率。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:在發(fā)明內(nèi)容部分中引入了一系列簡(jiǎn)化形式的概念,該簡(jiǎn)化形式的概念均為本領(lǐng)域現(xiàn)有技術(shù)簡(jiǎn)化,這將在具體實(shí)施方式部分中進(jìn)一步詳細(xì)說明。本發(fā)明的發(fā)明內(nèi)容部分并不意味著要試圖限定出所要求保護(hù)的技術(shù)方案的關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征,更不意味著試圖確定所要求保護(hù)的技術(shù)方案的保護(hù)范圍。本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種用于包括但不限于半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝中,能降低光刻膠去除殘留物的光刻膠剝離去除方法。為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明提供的光刻膠剝離去除方法,包括以下步驟:s1,在半導(dǎo)體襯底上淀積介質(zhì)層;可選擇的,淀積介質(zhì)層為二氧化硅薄膜。可選的,進(jìn)一步改進(jìn),淀積二氧化硅薄膜厚度范圍為5埃~60埃。s2,旋涂光刻膠并曝光顯影,形成光刻圖形阻擋層。剝離液的技術(shù)指標(biāo)哪家比較好?廣東剝離液配方技術(shù)
哪家的剝離液性價(jià)比比較高?深圳半導(dǎo)體剝離液銷售公司
本實(shí)用新型涉及光刻膠生產(chǎn)設(shè)備,具體是一種光刻膠廢剝離液回收裝置。背景技術(shù):光刻膠是微電子技術(shù)中微細(xì)圖形加工的關(guān)鍵材料之一,其是由溶劑、感光樹脂、光引發(fā)劑和添加劑四種成分組成的對(duì)光敏感的混合液體。在紫外光、深紫外光、電子束、離子束等光照或輻射下,進(jìn)行光化學(xué)反應(yīng),經(jīng)曝光、顯影等過程,將所需要的微細(xì)圖形從掩模版轉(zhuǎn)移至待加工的襯底上,然后進(jìn)行蝕刻等工藝加工,終得到所需圖像。其中,溶劑使光刻膠具有流動(dòng)性,易揮發(fā),對(duì)于光刻膠的化學(xué)性質(zhì)幾乎沒有影響。感光樹脂是惰性的聚合物,用于把光刻膠中的不同材料聚在一起的粘合劑,給予光刻膠其機(jī)械和化學(xué)性質(zhì)。光引發(fā)劑是光刻膠中的光敏成分,對(duì)光能發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)。添加劑是控制光刻膠材料特殊方面的化學(xué)物質(zhì),用來控制和改變光刻膠材料的特定化學(xué)性質(zhì)或響應(yīng)特性。在光刻工藝中,一般步驟為勻膠—干燥—前烘--曝光—顯影—后烘—蝕刻—?jiǎng)冸x。在光刻膠剝離工序中會(huì)產(chǎn)生剝離廢液,光刻膠價(jià)格昂貴,如不對(duì)廢液中的光刻膠成分回收利用,會(huì)造成較大的資源浪費(fèi),因此企業(yè)通常將剝離廢液中的光刻膠樹脂進(jìn)行有效回收并應(yīng)用于再生產(chǎn)中。深圳半導(dǎo)體剝離液銷售公司