圖1為本發明實施例提供的一種拋光減薄裝置的結構示意圖；圖2為本發明實施例提供的一種托盤和待加工部件的鍵合固定方式示意圖；圖3為本發明實施例提供的一種磁轉子的結構示意圖；圖4為本發明實施例提供一種磁轉子的旋轉方式的示意圖；圖5為本發明實施例提供的一種拋光減薄方法的流程示意圖。具體實施方式以上是本發明的思想，為使本發明的上述目的、特征和優點能夠更加明顯易懂，下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。本發明實施例提供了一種拋光減薄裝置，用于對inp基晶圓等部件進行拋光減薄，如圖1所示，包括托盤10、噴頭11和磁轉子12，當然，本發明實施例中的拋光減薄裝置還包括反應室13等，托盤10、噴頭11和磁轉子12等在反應室13內進行拋光和減薄反應。其中，托盤10，可選為石英托盤，用于固定待加工部件20，待加工部件20包括inp基晶圓。噴頭11用于向待加工部件20的待加工表面噴涂拋光液110，以對待加工表面進行拋光。專業減薄用清洗劑，讓您的生產更高效，成本更低。江蘇好用的減薄用清洗劑費用是多少

    產生不良次品；同時由于所述側支撐件44的移動，可帶動玻璃在所述玻璃加工治具4上的擺動，從而實現玻璃與噴淋液的充分均勻接觸。較佳的，所述底座41和實施支撐架42上均設置有若干流通孔，所述流通孔便于所述玻璃加工治具4上的所述噴淋液流至所述收集槽內。實施例四所述支撐架42包括對應設置的架體和第二架體，所述架體和所述第二架體均固定設置在所述底座41上，所述架體包括平行對應設置的兩豎直平板421，所述第二架體為與所述豎直平板421連接的對應兩側板422，所述架體和所述第二架體形成盛放部，玻璃設置在所述盛放部內；所述側板422和所述豎直平板421可均固定設置于所述底座41上，也可相互固定連接形成穩定的矩形框架。所述架體和所述第二架體均設置有若干所述側支撐件44，且所述側支撐件44對應所述底支撐件43設置。較佳的，所述架體上固定設置有若干固定孔，所述側支撐件44可根據玻璃的具體尺寸在相應所述固定孔上固定設置；所述第二架體上設置有調節槽，對應所述調節槽還設置有固定板423，所述固定板423的兩端分別設置在對應兩所述側板422的所述調節槽上，并可在所述調節槽內調節移動，從而可使所述玻璃加工治具4適用于不同尺寸的玻璃放置。一般的。哪家減薄用清洗劑價格哪家減薄用清洗劑的質量比較好。

    本發明涉及半導體制造技術領域，更具體地說，涉及一種拋光減薄裝置和拋光減薄方法。背景技術：采用iii-v族化合物制作的半導體器件和超高速數字/數模混合電路等憑借其優良的頻率特性，已經成為通訊、雷達、制導、空間防御、高速智能化武器及電子對抗等現代化裝備的部件之一。在眾多的iii-v族化合物中，inp(磷化銦)化合物具有獨特的優勢，這主要得益于其優良的材料特性，例如，inp和ingaas(銦鎵砷)之間的晶格失配很小，以及電子飽和速率很高等，所以不論是hemt(highelectronmobilitytransistor，高電子遷移率晶體管)結構還是hbt(heterojunctionbipolartransistor，異質結雙極晶體管)結構，都具有非常優異的高頻、大功率性能。但是，inp材料的物理性能卻很差，非常易碎，很小的碰撞或振動都會導致晶圓碎裂而前功盡棄，因此，inp材料的制造加工面臨著很多工藝上的難題。尤其是在超高頻率、大功率的inp基rfic(射頻集成電路)的制造工藝中，如何在對inp基晶圓進行減薄拋光時，減小或避免inp基晶圓的損傷是本領域技術人員亟待解決的問題之一。技術實現要素：有鑒于此，本發明提供了一種拋光減薄裝置和拋光減薄方法，以減小或避免inp基晶圓的減薄拋光損傷。為實現上述目的。

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    所述控制器控制所述玻璃加工治具4在所述蝕刻區3內作往復移動，所述主厚度測量儀32測量玻璃厚度并且將關于測得厚度的信息實時發送到所述控制器；當測得玻璃厚度達到預設目標厚度時，所述控制器停止在所述蝕刻區3中噴射噴淋液的減薄處理，并且控制所述玻璃加工治具4向所述沖洗區2移動。一般的，在所述腔室31內，減薄處理的具體工藝參數為：所述玻璃加工治具4的往復運動中單程單向時間設置為～4s，來回往復一次時間設置為3s～8s，往復移動幅度設置約為180mm左右；所述噴淋系統控制的噴淋液流量設置為1500lpm～2400lpm，在所述腔室31內的酸蝕溫度一般設置為20℃～40℃；在上述參數下，玻璃的酸蝕速率一般在μm/min～μm/min，可有效實現對玻璃的整體減薄處理。s2，完成減薄處理的所述玻璃加工治具4在所述沖洗區2內經減薄后初清洗后待機，所述控制器進行次減薄厚度確認操作；具體的，通過設置于所述沖洗區2內的所述輔助厚度測量儀，進行檢測厚度比較，從而實現所述減薄厚度確認操作，當所述減薄厚度未達到目標厚度時，所述控制器可控制所述玻璃加工治具4再次回撤至所述腔室31內進行再次減薄處理。s3，所述玻璃加工治具4移動至所述第三沖洗區2進行減薄后終清洗。江蘇好用的減薄用清洗劑費用是多少