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    所述支撐條431和所述第二支撐條432一一平行對應設(shè)置，所述連接部433活動連接所述支撐條431和所述第二支撐條432，所述支撐條431固定設(shè)置于所述底座41上，所述接觸部434均勻設(shè)置在所述第二支撐條432上。同時可通過設(shè)置所述支撐條431的高度或所述支撐條431的固定位置從而調(diào)節(jié)所述底支撐件43的高度，如通過將上述支撐條431的兩端固定在兩所述豎直平板421上。較佳的，所述支撐條431和所述第二支撐條432上設(shè)置有磁性組，所述支撐條431和所述第二支撐條432在所述磁性組提供的磁性斥力作用下具有調(diào)節(jié)間隙。所述磁性組包括磁性件435和第二磁性件436，所述磁性件435和所述第二磁性件436分別設(shè)置于所述支撐條431和所述第二支撐條432上，且所述磁性件435和所述第二磁性件436之間具有磁性斥力，從而使所述第二支撐條432懸浮于所述支撐條431的上方。所述連接部433設(shè)置有限位孔437，所述限位孔437設(shè)置為腰型孔，所述支撐條431的水平兩側(cè)均設(shè)置有若干限位塊438，所述第二支撐條432的水平兩側(cè)均設(shè)置有若干第二限位塊439，所述限位塊438和所述第二限位塊439一一對應設(shè)置，對應設(shè)置的所述限位塊438和所述第二限位塊439均設(shè)置在同一所述連接部433的所述限位孔437內(nèi)。

    在本發(fā)明的一個實施例中，拋光液110的主要成分包括：碳化硅顆粒，顆粒直徑為50nm～200nm，體積比為3％～5％；次氯酸鹽，體積比為30％～40％；氫溴酸，體積比為5％～7％，di水，體積比50～60％。本發(fā)明的一個實施例中，如圖3所示，磁轉(zhuǎn)子12包括截面為半圓形的柱狀磁性結(jié)構(gòu)120和位于柱狀磁性結(jié)構(gòu)120的底部平面的研磨層121，以通過研磨層121對待加工部件20的待加工表面進行機械研磨。當然，本發(fā)明并不僅限于此，在其他實施例中，可以根據(jù)實際需求選擇合適的磁轉(zhuǎn)子形狀。可選地，研磨層121為金屬氧化物層，進一步可選地，金屬氧化物層包括三氧化二鋁層。可選地，研磨層121的厚度為10μm。本發(fā)明實施例中，如圖4所示，磁轉(zhuǎn)子12沿箭頭所示方向旋轉(zhuǎn)，如沿逆時針或順時針方向旋轉(zhuǎn)，并且，磁轉(zhuǎn)子12的長度近似等于待加工部件20如inp基晶圓的直徑，以對整個待加工表面進行研磨。本發(fā)明實施例中，拋光減薄裝置還包括控制部件。控制部件與磁轉(zhuǎn)子12和噴頭11相連，用于控制噴頭11和磁轉(zhuǎn)子12交替工作，以對待加工表面交替進行拋光和減薄。其中，控制部件通過脈沖方式控制噴頭11和磁轉(zhuǎn)子12交替工作。可選地，控制部件控制磁轉(zhuǎn)子12的轉(zhuǎn)速為80rpm～200rpm。質(zhì)量比較好的減薄用清洗劑的公司找誰？

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