可控硅工作原理：可控硅是可控硅整流元件的簡稱,是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件,一般由兩晶閘管反向連接而成.它的功用不僅是整流,還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷電路,實現將直流電變成交流電的逆變,將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等.可控硅和其它半導體器件一樣,其有體積小、效率高、穩定性好、工作可靠等優點.它的出現,使半導體技術從弱電領域進入了強電領域,成為工業、農業、交通運輸、科研以至商業、民用電器等方面爭相采用的元件.普通可控硅的三個電極可以用萬用表歐姆擋R×100擋位來測。內蒙古代理西門康SEMIKRON可控硅代理商

可控硅模塊又叫晶閘管(SiliconControlledRectifier,SCR)。自從20世紀50年代問世以來已經發展成了一個大的家族，它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導晶閘管、可關斷晶閘管、快速晶閘管，等等。大家使用的是單向晶閘管，也就是人們常說的普通晶閘管，它是由四層半導體材料組成的，有三個PN結，對外有三個電極：第1層P型半導體引出的電極叫陽極A，第三層P型半導體引出的電極叫控制極G，第四層N型半導體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號可以看到，它和二極管一樣是一種單方向導電的器件，關鍵是多了一個控制極G，這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。江蘇哪里有西門康SEMIKRON可控硅哪里有賣的它有管芯是P型導體和N型導體交迭組成的四層結構，共有三個PN結。

    答；可控硅有兩種叫法，精細一點叫晶閘管。常用的電力半導體器件有；普通可控硅（SCR）、門極（GTO）關斷可控硅、電力可控硅（GTR）、電力MoS場效應晶體管（MosFET）、絕緣柵雙極型晶體管、（lGBT）、Mos柵控可控硅等等。可控硅模塊；是根據不同的用途與技術要求，將單向可控進行組合。兩只單向可控硅的串聯（一只的陽極A與另一只的陰極K相接）這樣就組成了一個可控硅模塊。常用于大功率三相橋式、單相橋式整流電路之中。兩只單相可控硅反向并聯（就是一只的陽極A與另一只的陰極K聯接，另一端點一只陰極k與一只陽極A相接）組成一只雙向可控硅模塊。常用于大功率三相或單相交流調壓電路中。例如軟啟動器中改變電壓控制電動機啟動的電路中。無論是什么結構，它們的控制端都是由陰極K與門極G有二根線引出來控制的。下面簡述一下GT0門極可關斷可控硅的組成。見下面圖門極可關斷晶閘管簡稱可關斷晶閘管，用GTO表示。它是一種耐高電壓大電流全控器件。它屬全控型三端器件。GT0可控硅的基本結構與普通可控硅ScR類似，它的三個極也是陽極A、陰極k、門極G。其內部結構及符號如上圖所示。其陽極伏安特性如下圖所示。當陽極加有正電壓、陰極加有負電壓時。

    普通晶閘管基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成晶閘管，就可以構成可控整流電路、逆變、電機調速、電機勵磁、無觸點開關及自動控制等方面。現在我畫一個簡單的單相半波可控整流電路〔圖4(a)〕。在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的控制極沒有輸入觸發脈沖Ug，VS仍然不能導通，只有在U2處于正半周，在控制極外加觸發脈沖Ug時，晶閘管被觸發導通。現在，畫出它的波形圖〔圖4(c)及(d)〕，可以看到，只有在觸發脈沖Ug到來時，負載RL上才有電壓UL輸出(波形圖上陰影部分)。Ug到來得早，晶閘管導通的時間就早；Ug到來得晚，晶閘管導通的時間就晚。通過改變控制極上觸發脈沖Ug到來的時間，就可以調節負載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小)。在電工技術中，常把交流電的半個周期定為180°，稱為電角度。這樣，在U2的每個正半周，從零值開始到觸發脈沖到來瞬間所經歷的電角度稱為控制角α；在每個正半周內晶閘管導通的電角度叫導通角θ。很明顯，α和θ都是用來表示晶閘管在承受正向電壓的半個周期的導通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或導通角θ，改變負載上脈沖直流電壓的平均值UL，實現了可控整流。 別可控硅三個極的方法很簡單，根據P-N結的原理，只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以。

可控硅模塊從內部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類；從具體的用途上區分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX\MTK\MTA）、普通整流管模塊（MDC）、普通晶閘管、整流管混合模塊（MFC）、快速晶閘管、整流管及混合模塊（MKC\MZC）、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊（也就是通常所說的電焊機模塊MTG\MDG）、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS）、單相（三相）整流橋模塊（MDQ）、單相半控橋（三相全控橋）模塊（MTS）以及肖特基模塊等。雙向可控硅在結構上相當于兩個單向可控硅反向連接，這種可控硅具有雙向導通功能。安徽進口西門康SEMIKRON可控硅

在規定環境溫度和散熱條件下，允許通過陰極和陽極的電流平均值。內蒙古代理西門康SEMIKRON可控硅代理商

    4、控制極觸發電流Ig1、觸發電壓VGT在規定的環境溫度下，陽極---陰極間加有一定電壓時，可控硅從關斷狀態轉為導通狀態所需要的小控制極電流和電壓。5、維持電流IH在規定溫度下，控制極斷路，維持可控硅導通所必需的小陽極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問世，如適于高頻應用的快速可控硅，可以用正或負的觸發信號控制兩個方向導通的雙向可控硅，可以用正觸發信號使其導通，用負觸發信號使其關斷的可控硅等等。可控硅工作原理在分析可控硅工作原理時，我們經常將這種四層P1N1P2N2結構看作由一個PNP管和NPN管構成，如下圖所示。當陽極A端加上正向電壓時，BG1和BG2管均處于放大狀態，此時由控制極G端輸入正向觸發信號，使得BG2管有基極電流ib2通過，經過BG2管的放大后，其集電極電流為ic2=β2ib2。而ic2沿電路流至BG1的基極，故有ib1=ic2，電流又經BG1管的放大作用后，得到BG1的集電極電流為ic1=β1ib1=β1β2ib2。此電流又流回BG2的基極，使得BG2的基極電流ib2增大，從而形成正向反饋使電流劇增，進而使得可控硅飽和并導通。由于在電路中形成了正反饋，所以可控硅一旦導通后無法關斷，即使控制極G端的電流消失，可控硅仍能繼續維持這種導通的狀態。 內蒙古代理西門康SEMIKRON可控硅代理商