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來源: 發(fā)布時(shí)間:2024-01-31

    處于正向?qū)顟B(tài)的肖特基二極管可以使得施加在C1點(diǎn)的交流信號(hào)通過肖特基二極管,并在C2的輸出出呈現(xiàn)出來。這就是二極管導(dǎo)通時(shí)的狀態(tài),我們也可稱它為開關(guān)的“導(dǎo)通”狀態(tài)。這是一個(gè)簡單的電路,通過直流偏置的狀態(tài)來調(diào)節(jié)肖特基二極管的導(dǎo)通狀態(tài)。從而實(shí)現(xiàn)對交流信號(hào)的控制。在實(shí)用的過程中,通常是保證一邊的電平不變,而調(diào)節(jié)另一方的電平高低,從而實(shí)現(xiàn)控制二極管的導(dǎo)通與否。在射頻電路中,這種設(shè)計(jì)多會(huì)在提供偏置的線路上加上防止射頻成分混入邏輯/供電線路的措施以減少干擾,但總的來說這種設(shè)計(jì)還是很常見的。3、肖特基二極管的作用及其接法-限幅所謂限幅肖特基二極管就是將信號(hào)的幅值限制在所需要的范圍之內(nèi)。由于通常所需要限幅的電路多為高頻脈沖電路、高頻載波電路、中高頻信號(hào)放大電路、高頻調(diào)制電路等,故要求限幅肖特基二極管具有較陡直的U-I特性,使之具有良好的開關(guān)性能。限幅肖特基二極管的特點(diǎn):1、多用于中、高頻與音頻電路;2、導(dǎo)通速度快,恢復(fù)時(shí)間短;3、正偏置下二極管壓降穩(wěn)定;4、可串、并聯(lián)實(shí)現(xiàn)各向、各值限幅;5、可在限幅的同時(shí)實(shí)現(xiàn)溫度補(bǔ)償。肖特基二極管正向?qū)ê螅恼驂航祷颈3植蛔儯ü韫転椋N管為)。利用這一特性。 IXYS成立于1983年,是一家總部位于德國并在美國納斯達(dá)上市的世界半導(dǎo)體生產(chǎn)商。安徽艾賽斯IXYS二極管模塊銷售

    正向?qū)щ姡聪虿粚?dǎo)電)晶體二極管是一個(gè)由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體形成的p-n結(jié),在其界面處兩側(cè)形成了空間電荷層,并且建有自建電場,當(dāng)不存在外加電壓時(shí),因?yàn)閜-n結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴(kuò)散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當(dāng)產(chǎn)生正向電壓偏置時(shí),外界電場與自建電場的互相抑消作用使載流子的擴(kuò)散電流增加引起了正向電流(也就是導(dǎo)電的原因)。當(dāng)產(chǎn)生反向電壓偏置時(shí),外界電場與自建電場進(jìn)一步加強(qiáng),形成在一定反向電壓范圍中與反向偏置電壓值無關(guān)的反向飽和電流I0(這也就是不導(dǎo)電的原因)。當(dāng)外加的反向電壓高到一定程度時(shí),p-n結(jié)空間電荷層中的電場強(qiáng)度達(dá)到臨界值產(chǎn)生載流子的倍增過程,產(chǎn)生大量電子空穴對,產(chǎn)生了數(shù)值很大的反向擊穿電流,稱為二極管的擊穿現(xiàn)象。二極管原理反向擊穿編輯反向擊穿按機(jī)理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下,因勢壘區(qū)寬度很小,反向電壓較大時(shí),破壞了勢壘區(qū)內(nèi)共價(jià)鍵結(jié)構(gòu),使價(jià)電子脫離共價(jià)鍵束縛,產(chǎn)生電子-空穴對,致使電流急劇增大,這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低,勢壘區(qū)寬度較寬,不容易產(chǎn)生齊納擊穿。雪崩擊穿另一種擊穿為雪崩擊穿。當(dāng)反向電壓增加到較大數(shù)值時(shí)。 四川哪里有艾賽斯IXYS二極管模塊廠家直銷二極管可以被視為止回閥的電子版本。這種單向行為稱為整流,用于將交流電(ac)轉(zhuǎn)換為直流電(dc)。

    可得如下圖(b)所示二極管反向電流、電壓關(guān)系特性。在上圖(b)所示反向特性中,當(dāng)反向電壓不超過一定范圍(曲線OB段)時(shí),反向電流十分微小并隨電壓增加而基本不變。小功率硅二極管的反向電流一般小于0.1m左右,通常可以忽略不計(jì)。當(dāng)反向電壓增加到一定數(shù)值時(shí),反向電流將急劇增加,稱為反向擊穿,此時(shí)的電壓稱為反向擊穿電壓。普通二極管被擊穿后,PN結(jié)不能恢復(fù)原有的性能,造成長久性損壞。綜上所述,二極管具有在正向偏置電壓下導(dǎo)通,反向偏置電壓下截止的特性,這個(gè)特性稱為單向?qū)щ娦浴編輯]二極管的主要參數(shù)二極管的參數(shù)是評價(jià)二極管性能的重要指標(biāo),是正確選擇和使用二極管的依據(jù),主要參數(shù)有:(1)大整流電流IFM指二極管長期工作時(shí),允許通過二極管的大正向電流的平均值。當(dāng)實(shí)際電流超過該值時(shí),二極管會(huì)因過熱而損壞。(2)高反向工作電壓URM指保證二極管不被擊穿所允許施加的大反向電壓。實(shí)際使用中二極管反向電壓不應(yīng)超過此電壓值,以防發(fā)生反向擊穿。(3)反向電流IR指二極管加反向電壓而未擊穿時(shí)的反向電流。如果該值較大,是不能正常使用的。反向電流愈小,二極管單向?qū)щ娦杂谩?

    空穴為少數(shù)載流子。[6]因此,在本征半導(dǎo)體的兩個(gè)不同區(qū)域摻入三價(jià)和PN結(jié)五價(jià)雜質(zhì)元素,便形成了P型區(qū)和N型區(qū),根據(jù)N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體的特性,可知在它們的交界處就出現(xiàn)了電子和空穴的濃度差異,電子和空穴都要從濃度高的區(qū)域向濃度低的區(qū)域擴(kuò)散,它們的擴(kuò)散使原來交界處的電中性被破壞。[6]二極管PN結(jié)單向?qū)щ娦栽赑N結(jié)外加正向電壓V,在這個(gè)外加電場的作用下,PN結(jié)的平衡狀態(tài)被打破,P區(qū)中的空穴和N區(qū)的電子都要PN結(jié)移動(dòng),空穴和PN結(jié)P區(qū)的負(fù)離子中和,電子和PN結(jié)N區(qū)的正離子中和,這樣就使PN結(jié)變窄。隨著外加電場的增加,擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)進(jìn)一步增強(qiáng),漂移運(yùn)動(dòng)減弱。當(dāng)外加電壓超過門檻電壓,PN結(jié)相當(dāng)于一個(gè)阻值很小的電阻,也就是PN結(jié)導(dǎo)通。[6]二極管主要分類編輯二極管點(diǎn)接觸型二極管點(diǎn)接觸型二極管的PN結(jié)接觸面積小,不能通過較大的正向電流和承受較高的反向電壓,但它的高頻性能好,適宜在高頻檢波電路和開關(guān)電路中使用[5]。二極管面接觸型二極管面接觸型二極管的PN結(jié)接觸面積大,可以通過較大的電流,也能承受較高的反向電壓,適宜在整流電路中使用[5]。二極管平面型二極管平面型二極管在脈沖數(shù)字電路中作開關(guān)管使用時(shí)PN結(jié)面積小,用于大功率整流時(shí)PN結(jié)面積較大[5]。 二極管是常用的電子元件之一,他比較大的特性就是單向?qū)щ姡簿褪请娏髦豢梢詮亩O管的一個(gè)方向流過。

    外加電場使電子漂移速度加快,從而與共價(jià)鍵中的價(jià)電子相碰撞,把價(jià)電子撞出共價(jià)鍵,產(chǎn)生新的電子-空穴對。新產(chǎn)生的電子-空穴被電場加速后又撞出其它價(jià)電子,載流子雪崩式地增加,致使電流急劇增加,這種擊穿稱為雪崩擊穿。無論哪種擊穿,若對其電流不加限制,都可能造成PN結(jié)長久性損壞。[1]二極管原理應(yīng)用編輯1.整流整流二極管主要用于整流電路,即把交流電變換成脈動(dòng)的直流電。整流二極管都是面結(jié)型,因此結(jié)電容較大,使其工作頻率較低,一般為3kHZ以下。2.開關(guān)二極管在正向電壓作用下電阻很小,處于導(dǎo)通狀態(tài),相當(dāng)于一只接通的開關(guān);在反向電壓作用下,電阻很大,處于截止?fàn)顟B(tài),如同一只斷開的開關(guān)。利用二極管的開關(guān)特性,可以組成各種邏輯電路。3.限幅二極管正向?qū)ê螅恼驂航祷颈3植蛔儯ü韫転椋N管為)。利用這一特性,在電路中作為限幅元件,可以把信號(hào)幅度限制在一定范圍內(nèi)。4.續(xù)流在開關(guān)電源的電感中和繼電器等感性負(fù)載中起續(xù)流作用。5.檢波檢波二極管的主要作用是把高頻信號(hào)中的低頻信號(hào)檢出。它們的結(jié)構(gòu)為點(diǎn)接觸型。其結(jié)電容較小,工作頻率較高,一般都采用鍺材料制成。6.阻尼阻尼二極管多用在高頻電壓電路中。 二極管重要的特性就是單方向?qū)щ娦浴T陔娐分校娏髦荒軓亩O管的正極流入,負(fù)極流出。天津哪里有艾賽斯IXYS二極管模塊聯(lián)系方式

由于二極管具有非線性電流-電壓特性,因此其行為可能比這種簡單的開關(guān)動(dòng)作更為復(fù)雜。安徽艾賽斯IXYS二極管模塊銷售

    二極管的反向飽和電流受溫度影響很大。[4]一般硅管的反向電流比鍺管小得多,小功率硅管的反向飽和電流在nA數(shù)量級,小功率鍺管在μA數(shù)量級。溫度升高時(shí),半導(dǎo)體受熱激發(fā),少數(shù)載流子數(shù)目增加,反向飽和電流也隨之增加。[4]二極管擊穿特性外加反向電壓超過某一數(shù)值時(shí),反向電流會(huì)突然增大,這種現(xiàn)象稱為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為二極管反向擊穿電壓。電擊穿時(shí)二極管失去單向?qū)щ娦浴H绻O管沒有因電擊穿而引起過熱,則單向?qū)щ娦圆灰欢〞?huì)被長久破壞,在撤除外加電壓后,其性能仍可恢復(fù),否則二極管就損壞了。因而使用時(shí)應(yīng)避免二極管外加的反向電壓過高。[5]反向擊穿按機(jī)理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下,因勢壘區(qū)寬度很小,反向電壓較大時(shí),破壞了勢壘區(qū)內(nèi)共價(jià)鍵結(jié)構(gòu),使價(jià)電子脫離共價(jià)鍵束縛,產(chǎn)生電子-空穴對,致使電流急劇增大,這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低,勢壘區(qū)寬度較寬,不容易產(chǎn)生齊納擊穿。[5]另一種擊穿為雪崩擊穿。當(dāng)反向電壓增加到較大數(shù)值時(shí),外加電場使電子漂移速度加快,從而與共價(jià)鍵中的價(jià)電子相碰撞,把價(jià)電子撞出共價(jià)鍵,產(chǎn)生新的電子-空穴對。新產(chǎn)生的電子-空穴被電場加速后又撞出其它價(jià)電子。 安徽艾賽斯IXYS二極管模塊銷售