對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發明實施例提供的一種igbt器件的結構圖;圖2為本發明實施例提供的一種電流敏感器件的結構圖;圖3為本發明實施例提供的一種kelvin連接示意圖;圖4為本發明實施例提供的一種檢測電流與工作電流的曲線圖;圖5為本發明實施例提供的一種igbt芯片的結構示意圖;圖6為本發明實施例提供的另一種igbt芯片的結構示意圖;圖7為本發明實施例提供的一種igbt芯片的表面結構示意圖;圖8為本發明實施例提供的另一種igbt芯片的表面結構示意圖;圖9為本發明實施例提供的另一種igbt芯片的表面結構示意圖;圖10為本發明實施例提供的另一種igbt芯片的表面結構示意圖;圖11為本發明實施例提供的另一種igbt芯片的表面結構示意圖;圖12為本發明實施例提供的另一種igbt芯片的表面結構示意圖;圖13為本發明實施例提供的另一種igbt芯片的表面結構示意圖;圖14為本發明實施例提供的另一種igbt芯片的表面結構示意圖;圖15為本發明實施例提供的一種半導體功率模塊的結構示意圖;圖16為本發明實施例提供的一種半導體功率模塊的連接示意圖。圖標:1-電流傳感器;10-工作區域;101-第1發射極單元。 封裝后的IGBT模塊直接應用于變頻器、UPS不間斷電源等設備上。四川SEMIKRON西門康IGBT模塊銷售
該igbt芯片上設置有:工作區域、電流檢測區域和接地區域;其中,igbt芯片還包括第1表面和第二表面,且,第1表面和第二表面相對設置;第1表面上設置有工作區域和電流檢測區域的公共柵極單元,以及,工作區域的第1發射極單元、電流檢測區域的第二發射極單元和第三發射極單元,其中,第三發射極單元與第1發射極單元連接,公共柵極單元與第1發射極單元和第二發射極單元之間通過刻蝕方式進行隔開;第二表面上設有工作區域和電流檢測區域的公共集電極單元;接地區域設置于第1發射極單元內的任意位置處;電流檢測區域和接地區域分別用于與檢測電阻連接,以使檢測電阻上產生電壓,并根據電壓檢測工作區域的工作電流。第二方面,本發明實施例還提供一種半導體功率模塊,半導體功率模塊配置有第1方面的igbt芯片,還包括驅動集成塊和檢測電阻;其中,驅動集成塊與igbt芯片中公共柵極單元連接,以便于驅動工作區域和電流檢測區域工作;以及,還與檢測電阻連接,用于獲取檢測電阻上的電壓。本發明實施例帶來了以下有益效果:本發明實施例提供了igbt芯片及半導體功率模塊,igbt芯片上設置有:工作區域、電流檢測區域和接地區域;其中。 吉林進口SEMIKRON西門康IGBT模塊工廠直銷在IGBT導通后的大部分漏極電流范圍內,Id與Ugs呈線性關系。
igbt功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管(igbt)構成的功率模塊。由于igbt模塊為mosfet結構,igbt的柵極通過一層氧化膜與發射極實現電隔離,具有出色的器件性能。廣泛應用于伺服電機,變頻器,變頻家電等領域。目錄1特點2應用3注意事項4發展趨勢IGBT功率模塊特點編輯igbt功率模塊是電壓型控制,輸入阻抗大,驅動功率小,控制電路簡單,開關損耗小,通斷速度快,工作頻率高,元件容量大等優點。實質是個復合功率器件,它集雙極型功率晶體管和功率mosfet的優點于一體化。又因先進的加工技術使它通態飽和電壓低,開關頻率高(可達20khz),這兩點非常顯著的特性,近西門子公司又推出低飽和壓降()的npt-igbt性能更佳,相繼東芝、富士、ir,摩托羅拉亦己在開發研制新品種。IGBT功率模塊應用編輯igbt是先進的第三代功率模塊,工作頻率1-20khz,主要應用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路,即dc/ac變換中。例電動汽車、伺服控制器、ups、開關電源、斬波電源、無軌電車等。問世迄今有十年多歷史,幾乎己替代一切其它功率器件,例,單個元件電壓可達(pt結構)一(npt結構),電流可達。IGBT功率模塊注意事項編輯a,柵極與任何導電區要絕緣,以免產生靜電而擊穿。
并在檢測電阻40上得到檢測信號。因此,這種將檢測電阻40通過引線直接與主工作區的源區金屬相接,可以避免主工作區的工作電流接地電壓對測試的影響。但是,這種方式得到的檢測電流曲線與工作電流曲線并不對應,如圖4所示,得到的檢測電流與工作電流的比例關系不固定,在大電流時,檢測電流與工作電流的偏差較大,此時,電流傳感器1的靈敏性較低,從而導致檢測電流的精度和敏感性比較低。針對上述問題,本發明實施例提供了igbt芯片及半導體功率模塊,避免了柵電極因對地電位變化造成的偏差,提高了檢測電流的精度。為便于對本實施例進行理解,下面首先對本發明實施例提供的一種igbt芯片進行詳細介紹。實施例一:本發明實施例提供了一種igbt芯片,圖5為本發明實施例提供的一種igbt芯片的結構示意圖,如圖5所示,在igbt芯片上設置有:工作區域10、電流檢測區域20和接地區域30;其中,在igbt芯片上還包括第1表面和第二表面,且,第1表面和第二表面相對設置;第1表面上設置有工作區域10和電流檢測區域20的公共柵極單元100,以及,工作區域10的第1發射極單元101、電流檢測區域20的第二發射極單元201和第三發射極單元202,其中,第三發射極單元202與第1發射極單元101連接。 IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)。
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),是由BJT(雙極結型晶體三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型-電壓驅動式-功率半導體器件,其具有自關斷的特征。簡單講,是一個非通即斷的開關,IGBT沒有放大電壓的功能,導通時可以看做導線,斷開時當做開路。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優點,如驅動功率小和飽和壓降低等。IGBT模塊是由IGBT與FWD(續流二極管芯片)通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產品,具有節能、安裝維修方便、散熱穩定等特點。IGBT是能源轉換與傳輸的器件,是電力電子裝置的“CPU”。采用IGBT進行功率變換,能夠提高用電效率和質量,具有高效節能和綠色環保的特點,是解決能源短缺問題和降低碳排放的關鍵支撐技術。IGBT是以GTR為主導元件,MOSFET為驅動元件的達林頓結構的復合器件。其外部有三個電極,分別為G-柵極,C-集電極,E-發射極。在IGBT使用過程中,可以通過控制其集-射極電壓UCE和柵-射極電壓UGE的大小,從而實現對IGBT導通/關斷/阻斷狀態的控制。1)當IGBT柵-射極加上加0或負電壓時,MOSFET內溝道消失,IGBT呈關斷狀態。2)當集-射極電壓UCE<0時,J3的PN結處于反偏,IGBT呈反向阻斷狀態。3)當集-射極電壓UCE>0時。 正式商用的IGBT器件的電壓和電流容量還很有限,遠遠不能滿足電力電子應用技術發展的需求。四川SEMIKRON西門康IGBT模塊貨源充足
IGBT的開啟電壓約3~4V,和MOSFET相當。四川SEMIKRON西門康IGBT模塊銷售
晶閘管等元件通過整流來實現。除此之外整流器件還有很多,如:可關斷晶閘管GTO,逆導晶閘管,雙向晶閘管,整流模塊,功率模塊IGBT,SIT,MOSFET等等,這里只探討晶閘管。晶閘管又名可控硅,通常人們都叫可控硅。是一種功率半導體器件,由于它效率高,控制特性好,壽命長,體積小等優點,自上個世紀六十長代以來,獲得了迅猛發展,并已形成了一門單獨的學科。“晶閘管交流技術”。晶閘管發展到,在工藝上已經非常成熟,品質更好,成品率大幅提高,并向高壓大電流發展。目前國內晶閘管大額定電流可達5000A,國外更大。我國的韶山電力機車上裝載的都是我國自行研制的大功率晶閘管。晶閘管的應用:一、可控整流如同二極管整流一樣,可以把交流整流為直流,并且在交流電壓不變的情況下,方便地控制直流輸出電壓的大小即可控整流,實現交流——可變直流二、交流調壓與調功利用晶閘管的開關特性代替老式的接觸調壓器、感應調壓器和飽和電抗器調壓。為了消除晶閘管交流調壓產生的高次諧波,出現了一種過零觸發,實現負載交流功率的無級調節即晶閘管調功器。交流——可變交流。三、逆變與變頻直流輸電:將三相高壓交流整流為高壓直流,由高壓直流遠距離輸送以減少損耗。 四川SEMIKRON西門康IGBT模塊銷售