二極管普遍的功能就是只允許電流由單一方向通過（稱為順向偏壓），反向時阻斷（稱為逆向偏壓）。因此，二極管可以想成電子版的逆止閥。然而實際上二極管并不會表現出如此完美的開與關的方向性，而是較為復雜的非線性電子特征——這是由特定類型的二極管技術決定的。二極管使用上除了用做開關的方式之外還有很多其他的功能。早期的二極管包含“貓須晶體（"CatsWhisker"Crystals）”以及真空管(英國稱為“熱游離閥（ThermionicValves）”)。現今普遍的二極管大多是使用半導體材料如硅或鍺。1、正向性外加正向電壓時，在正向特性的起始部分，正向電壓很小，不足以克服PN結內電場的阻擋作用，正向電流幾乎為零，這一段稱為死區。這個不能使二極管導通的正向電壓稱為死區電壓。當正向電壓大于死區電壓以后，PN結內電場被克服，二極管正向導通，電流隨電壓增大而迅速上升。在正常使用的電流范圍內，導通時二極管的端電壓幾乎維持不變，這個電壓稱為二極管的正向電壓。2、反向性外加反向電壓不超過一定范圍時，通過二極管的電流是少數載流子漂移運動所形成反向電流。由于反向電流很小，二極管處于截止狀態。這個反向電流又稱為反向飽和電流或漏電流。 導通后二極管兩端的電壓基本上保持不變（鍺管約為0.3V，硅管約為0.7V），稱為二極管的“正向壓降”。甘肅進口艾賽斯IXYS二極管模塊廠家電話

    或在微波通信等電路中作整流二極管、小信號檢波二極管使用。2、肖特基二極管的結構肖特基二極管在結構原理上與PN結二極管有很大區別，它的內部是由陽極金屬（用鉬或鋁等材料制成的阻擋層）、二氧化硅（SiO2）電場消除材料、N外延層（砷材料）、N型硅基片、N陰極層及陰極金屬等構成。在N型基片和陽極金屬之間形成肖特基勢壘。當在肖特基勢壘兩端加上正向偏壓（陽極金屬接電源正極，N型基片接電源負極）時，肖特基勢壘層變窄，其內阻變小；反之，若在肖特基勢壘兩端加上反向偏壓時，肖特基勢壘層則變寬，其內阻變大。肖特基二極管分為有引線和表面安裝（貼片式）兩種封裝形式。采用有引線式封裝的肖特基二極管通常作為高頻大電流整流二極管、續流二極管或保護二極管使用。它有單管式和對管（雙二極管）式兩種封裝形式。肖特基對管又有：共陰（兩管的負極相連）、共陽（兩管的正極相連）和串聯（一只二極管的正極接另一只二極管的負極）三種管腳引出方式。采用表面封裝的肖特基二極管有單管型、雙管型和三管型等多種封裝形式，有A~19種管腳引出方式。3、常用的肖特基二極管常用的有引線式肖特基二極管，1N5817、1N5819、MBR1045、MBR20200等型號。也就是常說的插件封裝。 甘肅進口艾賽斯IXYS二極管模塊廠家電話包括MOSFET,IGBT,可控硅/二極管,整流橋,快速二極管,肖特基,電源管理IC等。

    可得如下圖(b)所示二極管反向電流、電壓關系特性。在上圖(b)所示反向特性中，當反向電壓不超過一定范圍(曲線OB段)時，反向電流十分微小并隨電壓增加而基本不變。小功率硅二極管的反向電流一般小于0．1m左右，通常可以忽略不計。當反向電壓增加到一定數值時，反向電流將急劇增加，稱為反向擊穿，此時的電壓稱為反向擊穿電壓。普通二極管被擊穿后，PN結不能恢復原有的性能，造成長久性損壞。綜上所述，二極管具有在正向偏置電壓下導通，反向偏置電壓下截止的特性，這個特性稱為單向導電性。[編輯]二極管的主要參數二極管的參數是評價二極管性能的重要指標，是正確選擇和使用二極管的依據，主要參數有：(1)大整流電流IFM指二極管長期工作時，允許通過二極管的大正向電流的平均值。當實際電流超過該值時，二極管會因過熱而損壞。(2)高反向工作電壓URM指保證二極管不被擊穿所允許施加的大反向電壓。實際使用中二極管反向電壓不應超過此電壓值，以防發生反向擊穿。(3)反向電流IR指二極管加反向電壓而未擊穿時的反向電流。如果該值較大，是不能正常使用的。反向電流愈小，二極管單向導電性愈好。

    幾安到幾十安），主要用于把交流電變換成直流電的“整流”電路中。平面型二極管是一種特制的硅二極管，它不僅能通過較大的電流，而且性能穩定可靠，多用于開關、脈沖及高頻電路中。[1]二極管原理發光二極管編輯發光二極管也是由一個PN結構成，具有單向導電性。但其正向工作電壓(開啟電壓)比普通二極管高，約為1～，反向擊穿電壓比普通二極管低，約5V左右。當正向電流達到1mA左右時開始發光，發光強度近似與工作電流成正比；但工作電流達到一定數值時，發光強度逐漸趨于飽和，與工作電流成非線性關系。一般小型發光二極管正向工作電流為10～20mA，大正向工作電流為30～50mA。發光二極管的外形可以做成矩形、圓形、字形、符號形等多種形狀，又有紅、綠、黃、橙、紅外等多種顏色。它具有體積小、功耗低、容易驅動、光效高、發光均勻穩定、響應速度快以及壽命長等特點，普遍用在指示燈及大屏幕顯示裝置中。 早期的真空電子二極管；它是一種能夠單向傳導電流的電子器件。

    導通電壓UD約為。在二極管加有反向電壓，當電壓值較小時，電流極小，其電流值為反向飽和電流IS。當反向電壓超過某個值時，電流開始急劇增大，稱之為反向擊穿，稱此電壓為二極管的反向擊穿電壓，用符號UBR表示。不同型號的二極管的擊穿電壓UBR值差別很大，從幾十伏到幾千伏[4]。二極管正向特性外加正向電壓時，在正向特性的起始部分，正向電壓很小，不足以克服PN結內電場的阻擋作用，正向電流幾乎為零，這一段稱為死區。這個不能使二極管導通的正向電壓稱為死區電壓。[4]當正向電壓大于死區電壓以后，PN結內電場被克服，二極管正向導通，電流隨電壓增大而迅速上升。在正常使用的電流范圍內，導通時二極管的端電壓幾乎維持不變，這個電壓稱為二極管的正向電壓。[4]當二極管兩端的正向電壓超過一定數值，內電場很快被削弱，特性電流迅速增長，二極管正向導通。叫做門坎電壓或閾值電壓，硅管約為，鍺管約為。硅二極管的正向導通壓降約為，鍺二極管的正向導通壓降約為。[4]二極管反向特性外加反向電壓不超過一定范圍時，通過二極管的電流是少數載流子漂移運動所形成反向電流。由于反向電流很小，二極管處于截止狀態。這個反向電流又稱為反向飽和電流或漏電流。 在電子電路中，將二極管的正極接在高電位端，負極接在低電位端，二極管會導通，這連接方式，稱為正向偏置。新疆代理艾賽斯IXYS二極管模塊廠家供應

二極管真空管或熱電子二極管是一種具有兩個電極，一個加熱的陰極和一個板的真空管。甘肅進口艾賽斯IXYS二極管模塊廠家電話

    正向導電，反向不導電）晶體二極管是一個由p型半導體和n型半導體形成的p-n結，在其界面處兩側形成了空間電荷層，并且建有自建電場，當不存在外加電壓時，因為p-n結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態。當產生正向電壓偏置時，外界電場與自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流（也就是導電的原因）。當產生反向電壓偏置時，外界電場與自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍中與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流I0（這也就是不導電的原因）。當外加的反向電壓高到一定程度時，p-n結空間電荷層中的電場強度達到臨界值產生載流子的倍增過程，產生大量電子空穴對，產生了數值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現象。二極管原理反向擊穿編輯反向擊穿按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢壘區寬度很小，反向電壓較大時，破壞了勢壘區內共價鍵結構，使價電子脫離共價鍵束縛，產生電子-空穴對，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢壘區寬度較寬，不容易產生齊納擊穿。雪崩擊穿另一種擊穿為雪崩擊穿。當反向電壓增加到較大數值時。 甘肅進口艾賽斯IXYS二極管模塊廠家電話