二極管將失去單方向導電特性，這種狀態稱為二極管的擊穿。二極管的主要參數用來表示二極管的性能好壞和適用范圍的技術指標，稱為二極管的參數。不同類型的二極管有不同的特性參數。對初學者而言，必須了解以下幾個主要參數：1、額定正向工作電流是指二極管長期連續工作時允許通過的大正向電流值。因為電流通過管子時會使管芯發熱，溫度上升，溫度超過容許限度(硅管為140左右，鍺管為90左右)時，就會使管芯過熱而損壞。所以，二極管使用中不要超過二極管額定正向工作電流值。例如，常用的IN4001-4007型鍺二極管的額定正向工作電流為1A。2、高反向工作電壓加在二極管兩端的反向電壓高到一定值時，會將管子擊穿，失去單向導電能力。為了保證使用安全，規定了高反向工作電壓值。例如，IN4001二極管反向耐壓為50V，IN4007反向耐壓為1000V。3、反向電流反向電流是指二極管在規定的溫度和高反向電壓作用過二極管的反向電流。反向電流越小，管子的單方向導電性能越好。值得注意的是反向電流與溫度有著密切的關系，大約溫度每升高10，反向電流增大一倍。例如2AP1型鍺二極管，在25時反向電流若為250uA，溫度升高到35，反向電流將上升到500uA，依此類推，在75時，它的反向電流已達8mA。 大部分二極管所具備的電流方向性我們通常稱之為“整流（Rectifying）”功能。代理艾賽斯IXYS二極管模塊哪里有賣的

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    二極管的反向飽和電流受溫度影響很大。[4]一般硅管的反向電流比鍺管小得多，小功率硅管的反向飽和電流在nA數量級，小功率鍺管在μA數量級。溫度升高時，半導體受熱激發，少數載流子數目增加，反向飽和電流也隨之增加。[4]二極管擊穿特性外加反向電壓超過某一數值時，反向電流會突然增大，這種現象稱為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為二極管反向擊穿電壓。電擊穿時二極管失去單向導電性。如果二極管沒有因電擊穿而引起過熱，則單向導電性不一定會被長久破壞，在撤除外加電壓后，其性能仍可恢復，否則二極管就損壞了。因而使用時應避免二極管外加的反向電壓過高。[5]反向擊穿按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢壘區寬度很小，反向電壓較大時，破壞了勢壘區內共價鍵結構，使價電子脫離共價鍵束縛，產生電子-空穴對，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢壘區寬度較寬，不容易產生齊納擊穿。[5]另一種擊穿為雪崩擊穿。當反向電壓增加到較大數值時，外加電場使電子漂移速度加快，從而與共價鍵中的價電子相碰撞，把價電子撞出共價鍵，產生新的電子-空穴對。新產生的電子-空穴被電場加速后又撞出其它價電子。

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    肖特基勢壘的特性使得肖特基二極管的導通電壓降較低，而且可以提高切換的速度。肖特基二極體的導通電壓非常低。一般的二極管在電流流過時，會產生約，不過肖特基二極管的電壓降只有，因此可以提升系統的效率。肖特基二極管和一般整流二極管大的差異在于反向恢復時間，也就是二極管由流過正向電流的導通狀態，切換到不導通狀態所需的時間。一般整流二極管的反向恢復時間大約是數百nS，若是高速二極管則會低于一百nS，肖特基二極管沒有反向恢復時間，因此小信號的肖特基二極管切換時間約為數十pS，特殊的大容量肖特基二極管切換時間也才數十pS。由于一般整流二極管在反向恢復時間內會因反向電流而造成EMI噪聲。肖特基二極管可以立即切換，沒有反向恢復時間及反相電流的問題。 二極管又稱晶體二極管,簡稱二極管(diode)，另外，還有早期的真空電子二極管。河北進口艾賽斯IXYS二極管模塊哪家好

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    所以電子便從濃度高的B中向濃度低的A中擴散。顯然，金屬A中沒有空穴，也就不存在空穴自A向B的擴散運動。隨著電子不斷從B擴散到A，B表面電子濃度逐漸降低，表面電中性被破壞，于是就形成勢壘，其電場方向為B→A。但在該電場作用之下，A中的電子也會產生從A→B的漂移運動，從而消弱了由于擴散運動而形成的電場。當建立起一定寬度的空間電荷區后，電場引起的電子漂移運動和濃度不同引起的電子擴散運動達到相對的平衡，便形成了肖特基勢壘。特基二極管和整流二極管的區別肖特基（Schottky）二極管是一種快恢復二極管，它屬一種低功耗、超高速半導體器件。其明顯的特點為反向恢復時間極短（可以小到幾納秒），正向導通壓降。肖特基（Schottky）二極管多用作高頻、低壓、大電流整流二極管、續流二極管、保護二極管，也有用在微波通信等電路中作整流二極管、小信號檢波二極管使用。常用在彩電的二次電源整流，高頻電源整流中。肖特基二極管與一般整流二極管有什么區別呢？肖特基二極管與一般整流二極管相比特別之處在于哪里？就讓我們一起學習一下。肖特基二極管是利用金屬-半導體接面作為肖特基勢壘，以產生整流的效果，和一般二極管中由半導體-半導體接面產生的P-N接面不同。 代理艾賽斯IXYS二極管模塊哪里有賣的