因此負載獲得較少的電功率。這個典型的電功率無級調整電路在日常生活中有很多電氣產品中都應用它。可控硅主要參數有：1、額定通態平均電流在一定條件下，陽極---陰極間可以連續通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。2、正向阻斷峰值電壓在控制極開路未加觸發信號，陽極正向電壓還未超過導能電壓時，可以重復加在可控硅兩端的正向峰值電壓。可控硅承受的正向電壓峰值，不能超過手冊給出的這個參數值。3、反向陰斷峰值電壓當可控硅加反向電壓，處于反向關斷狀態時，可以重復加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時，不能超過手冊給出的這個參數值。4、控制極觸發電流在規定的環境溫度下，陽極---陰極間加一定電壓，使可控硅從關斷狀態轉為導通狀態所需要的小控制極電流和電壓。5、維持電流在規定溫度下，控制極斷路，維持可控硅導通所必需的小陽極正向電流。采用可控硅技術對照明系統進行控制具有：電壓調節速度快，精度高，可分時段實時調整，有穩壓作用，采用電子元件，相對來說體積小、重量輕、成本低。但該調壓方式存在一致命缺陷，由于斬波，使電壓無法實現正弦波輸出，還會出現大量諧波，形成對電網系統諧波污染，危害極大，不能用在有電容補償電路中。。 這種裝置的優點是控制電路簡單，沒有反向耐壓問題，因此特別適合做交流無觸點開關使用。安徽西門康SEMIKRON可控硅

    可控硅模塊是晶體閘流管(Thyristor)的簡稱，谷稱可控硅模塊，它是1種大功率開關型半導體元器件，在線路中用字母符號為“V”、“VT”表達（舊標準中用字母“SCR”表達）。可控硅模塊具備硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下運行，且其運行過程可以控制、被普遍使用于可控整流、交流調壓、無觸點電子開關、逆變及變頻等電子線路中。可控硅模塊有很多種分類方法。（一）按關斷、導通及控制方式分類可控硅模塊按其關斷、導通及控制方式可分成普通可控硅模塊、雙向可控硅、逆導可控硅模塊、門極關斷可控硅模塊（GTO）、BTG可控硅模塊、溫控可控硅模塊和光控可控硅模塊等很多種。（二）按引腳和極性分類可控硅模塊按其引腳和極性可分成二極可控硅模塊、三極可控硅模塊和四極可控硅模塊。（三）按封裝形式分類可控硅模塊按其封裝形式可分成金屬封裝可控硅模塊、塑封可控硅模塊和陶瓷封裝可控硅模塊3種類型。當中，金屬封裝可控硅模塊又分成螺栓形、平板形、圓殼形等很多種；塑封可控硅模塊又分成帶散熱片型和不帶散熱片型2種。（四）按電流容量分類可控硅模塊按電流容量可分成大功率可控硅、率可控硅模塊和小功率可控硅模塊3種。通常，大功率可控硅多選用金屬殼封裝。 河南進口西門康SEMIKRON可控硅銷售可控硅一般做成螺栓形和平板形，有三個電極，用硅半導體材料制成的管芯由PNPN四層組成。

    可控硅一經觸發導通后，由于循環反饋的原因，流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1，而是經過BG1、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib1）這一電流遠大于Ib1，足以保持BG1的持續導通。此時觸發信號即使消失，可控硅仍保持導通狀態只有斷開電源Ea或降低Ea，使BG1、BG2中的集電極電流小于維持導通的最小值時，可控硅方可關斷。當然，如果Ea極性反接，BG1、BG2由于受到反向電壓作用將處于截止狀態。這時，即使輸入觸發信號，可控硅也不能工作。反過來，Ea接成正向，而觸動發信號是負的，可控硅也不能導通。另外，如果不加觸發信號，而正向陽極電壓大到超過一定值時，可控硅也會導通，但已屬于非正常工作情況了。

    現代照明設計要求規定，照明系統率因數必須達到，而氣體放電燈的功率因數在一般在，所以都設計用電容補償功率因數）在國外發達國家，已有明文規定對電氣設備諧波含量的限制，在國內，北京、上海、廣州等大城市，已對諧波含量超標的設備限制并入電網使用。采用可控硅技術對照明系統進行照度控制時，可通過加裝濾波設備來有效降低諧波污染。近年來，許多新型可控硅元件相繼問世，如適于高頻應用的快速可控硅，可以用正或負的觸發信號控制兩個方向導通的雙向可控硅，可以用正觸發信號使其導通，用負觸發信號使其關斷的可控硅等等。應用介紹------可控硅在調光器中的應用：可控硅調光器是目前舞臺照明、環境照明領域的主流設備。在照明系統中使用的各種調光器實質上就是一個交流調壓器，老式的變壓器和變阻器調光是采用調節電壓或電流的幅度來實現的，如下圖所示。u1是未經調壓的220V交流電的波形，經調壓后的電壓波形為u2，由于其幅度小于u1，使燈光變暗。在這種調光模式中，雖然改變了正弦交流電的幅值，但并未改變其正弦波形的本質。與變壓器、電阻器相比，可控硅調光器有著完全不同的調光機理，它是采用相位控制方法來實現調壓或調光的。對于普通反向阻斷型可控硅。 可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種。

    4、控制極觸發電流Ig1、觸發電壓VGT在規定的環境溫度下，陽極---陰極間加有一定電壓時，可控硅從關斷狀態轉為導通狀態所需要的小控制極電流和電壓。5、維持電流IH在規定溫度下，控制極斷路，維持可控硅導通所必需的小陽極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問世，如適于高頻應用的快速可控硅，可以用正或負的觸發信號控制兩個方向導通的雙向可控硅，可以用正觸發信號使其導通，用負觸發信號使其關斷的可控硅等等。可控硅工作原理在分析可控硅工作原理時，我們經常將這種四層P1N1P2N2結構看作由一個PNP管和NPN管構成，如下圖所示。當陽極A端加上正向電壓時，BG1和BG2管均處于放大狀態，此時由控制極G端輸入正向觸發信號，使得BG2管有基極電流ib2通過，經過BG2管的放大后，其集電極電流為ic2=β2ib2。而ic2沿電路流至BG1的基極，故有ib1=ic2，電流又經BG1管的放大作用后，得到BG1的集電極電流為ic1=β1ib1=β1β2ib2。此電流又流回BG2的基極，使得BG2的基極電流ib2增大，從而形成正向反饋使電流劇增，進而使得可控硅飽和并導通。由于在電路中形成了正反饋，所以可控硅一旦導通后無法關斷，即使控制極G端的電流消失，可控硅仍能繼續維持這種導通的狀態。 在應用可控硅時，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽極電流或電壓。河南進口西門康SEMIKRON可控硅銷售

硅PNP管和硅NPN管相應的電流放大系數a1和a2隨其發射極電流的改變而急劇變化。安徽西門康SEMIKRON可控硅

    一、可控硅的結構和特性■可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種（見圖表-25）。螺旋式的應用較多。■可控硅有三個電極----陽極（A）陰極（C）和控制極（G）。它有管芯是P型導體和N型導體交迭組成的四層結構，共有三個PN結。其結構示意圖和符號見圖表-26。■從圖表-26中可以看到，可控硅和只有一個PN結的硅整流二極度管在結構上迥然不同。可控硅的四層結構和控制極的引用，為其發揮“以小控大”的優異控制特性奠定了基礎。在應用可控硅時，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽極電流或電壓。目前已能制造出電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。■可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢？下面我們用圖表-27來簡單分析可控硅的工作原理。 安徽西門康SEMIKRON可控硅