本實用新型屬于電磁閥技術領域，尤其是涉及一種電磁閥的帶整流橋繞組塑封機構。背景技術：大多數家用電器上使用的需要實現全波整流功能的進水電磁閥，普遍將整流橋堆設置在電腦板等外部設備上，占用了電腦板上有限的空間，造成制造成本偏高，且有一定的故障率，一旦整流橋堆失效，整塊電腦板都將報廢。雖然目前市場上出現了內嵌整流橋堆的進水電磁閥，但有些由于繞組塑封的結構不合理，金屬件之間的爬電距離設置過小，導致產品的電氣性能較差，安全性較差，在一些嚴酷條件下使用很容易損壞塑封，引起產品失效，嚴重的會燒毀家用電器；有些由于工藝過于復雜，橋堆跟線圈在同一側，導致橋堆在線圈發熱時損傷。技術實現要素：本實用新型為了克服現有技術的不足，提供一種電氣性能和可靠性高的電磁閥的帶整流橋繞組塑封機構。為了實現上述目的，本實用新型采用以下技術方案：一種電磁閥的帶整流橋繞組塑封機構，包括線圈架、設于所述線圈架上的繞組、設于所述線圈架上的插片組件及套設于所述線圈架外的塑封殼，所述插片組件設于線圈架上部的一插片和與所述線圈架上部插接配合的多個第二插片；所述一插片與所述第二插片通過整流橋堆電連。推薦的，所述一插片為兩個。 可將交流發動機產生的交流電轉變為直流電，以實現向用電設備供電和向蓄電池進行充電。山東進口西門康SEMIKRON整流橋模塊貨源充足

    這種多層保護使電力半導體器件芯片的性能穩定可靠。半導體芯片直接焊在DBC基板上，而芯片正面都焊有經表面處理的鉬片或直接用鋁絲鍵合作為主電極的引出線，而部分連線是通過DBC板的刻蝕圖形來實現的。根據三相整流橋電路共陽和共陰的連接特點，FRED芯片采用三片是正燒(即芯片正面是陰極、反面是陽極)和三片是反燒(即芯片正面是陽極、反面是陰極)，并利用DBC基板的刻蝕圖形，使焊接簡化。同時，所有主電極的引出端子都焊在DBC基板上，這樣使連線減少，模塊可靠性提高。4、外殼：殼體采用抗壓、抗拉和絕緣強度高以及熱變溫度高的，并加有40％玻璃纖維的聚苯硫醚(PPS)注塑型材料組成，它能很好地解決與銅底板、主電極之間的熱脹冷縮的匹配問題，通過環氧樹脂的澆注固化工藝或環氧板的間隔，實現上下殼體的結構連接，以達到較高的防護強度和氣閉密封，并為主電極引出提供支撐。 山東進口西門康SEMIKRON整流橋模塊貨源充足整流橋的結--殼熱阻一般都比較大（通常為℃/W）。

    整流橋在電路中也是非常常見的一種器件，特別是220V供電的設備中，由于220V是交流電，我們一般使用的電子器件是弱電，所以需要降壓整流，***和大家談談，整流橋在電路中起什么作用？步驟閱讀方法/步驟1首先看下整流橋的工作原理，它是由四個二極管組成，對交流電進行整流為直流電。步驟閱讀2進過整流橋直接整流過的電壓還不夠穩定，還需要濾波電路對整流過的電壓進行過濾已達到穩定的電壓。步驟閱讀3為了減少的電壓的波動，一般還需要LDO的配合來達到更加精細和穩定的電壓，比如7805就是常見的LDO。步驟閱讀4上面三點再加上變壓器，變壓器對220V或者更高的交流電壓進行***次降壓，這就是我們平常**常見的電源電路。步驟閱讀5整流橋的選型也是至關重要的，后級電流如果過大，整流橋電流小，這樣就會導致整流橋發燙嚴重。步驟閱讀6如果為了減低成本，也可以使用4顆二極管來自己搭建整流橋。

    整流橋是橋式整流電路的實物產品，那么實物產品該如何應用到實際電路中呢？一般來講整流橋4個腳位都會有明顯的極性說明，工程設計電路畫板的時候已經將安裝方式固定下來了，那么在實際應用過程中只需要，對應線路板的安裝孔就好了。下面我們就工程畫板時的方法也就是整流橋電路接法介紹給大家。整流橋接法整流橋連接方法主要分兩種情況來理解，一個是實物產品與電路圖的對應方式。如上圖所示：左側為橋式整流電路內部結構圖，B3作為整流正極輸出，C4作為整流負極輸出，A1與A2共同作為交流輸入端。右側為整流橋實物產品圖樣式，A1與A2集成在了中間位置，正負極在**外側。實際運用中我們只需要將實物C4負極腳位對應連接電路圖C4點，實物B3正極腳位與電路圖B3相連接。上訴方式即為整流橋實物產品與電路原理圖的連接方式。整流橋連接方式第二個則是對于實物產品在電路中的接法。一般來說現在大多數電路采用高壓整流方式居多，下面我們就重點介紹下高壓整流橋的電路接法。整流橋前端是交流220V輸入，進入整流橋AC交流端，由正極直流輸出連接負載用電器正極，經負載用電器負極連接整流橋負極形成回路，完成整個電源整流的路徑。 二極管只允許電流單向通過，所以將其接入交流電路時它能使電路中的電流只按單向流動。

    高壓端口hv通過金屬引線連接所述高壓供電基島13，進而實現與所述高壓供電管腳hv的連接，接地端口gnd通過金屬引線連接所述信號地基島14，進而實現與所述信號地管腳gnd的連接。需要說明的是，所述邏輯電路122可根據設計需要設置在不同的基島上，與所述控制芯片12的設置方式類似，在此不一一贅述作為本實施例的一種實現方式，所述漏極管腳drain的寬度大于，進一步設置為～1mm，以加強散熱，達到封裝熱阻的作用。本實施例的合封整流橋的封裝結構采用三基島架構，將整流橋、功率開關管、邏輯電路及高壓續流二極管集成在一個引線框架內，由此降低封裝成本。如圖4所示，本實施例還提供一種電源模組，所述電源模組包括：本實施例的合封整流橋的封裝結構1，第二電容c2，第三電容c3，一電感l1，負載及第二采樣電阻rcs2。如圖4所示，所述合封整流橋的封裝結構1的火線管腳l連接火線，零線管腳n連接零線，信號地管腳gnd接地。如圖4所示，所述第二電容c2的一端連接所述合封整流橋的封裝結構1的高壓供電管腳hv，另一端接地。如圖4所示，所述第三電容c3的一端連接所述1高壓供電管腳hv，另一端經由所述一電感l1連接所述合封整流橋的封裝結構1的漏極管腳drain。如圖4所示。 整流橋一般帶有足夠大的電感性負載，因此整流橋不出現電流斷續。山東進口西門康SEMIKRON整流橋模塊貨源充足

利用半導體材料將其制作在一起成為整流橋元件。山東進口西門康SEMIKRON整流橋模塊貨源充足

    金屬引線的一端設置在與管腳連接的導電部件上)，能實現電連接即可，不限于本實施例。需要說明的是，所述整流橋可基于不同類型的器件選擇不同的基島實現，不限于本實施例，任意可實現整流橋連接關系的設置方式均可，在此不一一贅述。如圖1所示，在本實施例中，所述功率開關管及所述邏輯電路集成于控制芯片12內。具體地，所述功率開關管的漏極作為所述控制芯片12的漏極端口d，源極連接所述邏輯電路的采樣端口，柵極連接所述邏輯電路的控制信號輸出端(輸出邏輯控制信號)；所述邏輯電路的采樣端口作為所述控制芯片12的采樣端口cs，高壓端口連接所述功率開關管的漏極，接地端口作為所述控制芯片12的接地端口gnd。所述控制芯片12的接地端口gnd連接所述信號地管腳gnd，漏極端口d連接所述漏極管腳drain，采樣端口cs連接所述采樣管腳cs。在本實施例中，所述控制芯片12的底面為襯底，通過導電膠或錫膏粘接于所述信號地基島14上，所述控制芯片12的接地端口gnd采用就近原則，通過金屬引線連接所述信號地基島14，進而實現與所述信號地管腳gnd的連接；漏極端口d通過金屬引線連接所述漏極管腳drain；采樣端口cs通過金屬引線連接所述采樣管腳cs。 山東進口西門康SEMIKRON整流橋模塊貨源充足