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來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2024-05-13

    以及測(cè)試電壓vs的影響而產(chǎn)生信號(hào)的失真,即避免了公共柵極單元100因?qū)Φ仉娢蛔兓斐傻钠睿瑥亩岣吡藱z測(cè)電流的精度。本發(fā)明實(shí)施例提供的igbt芯片,在igbt芯片上設(shè)置有:工作區(qū)域、電流檢測(cè)區(qū)域和接地區(qū)域;igbt芯片還包括第1表面和第二表面,且,第1表面和第二表面相對(duì)設(shè)置;第1表面上設(shè)置有工作區(qū)域和電流檢測(cè)區(qū)域的公共柵極單元,以及,工作區(qū)域的第1發(fā)射極單元、電流檢測(cè)區(qū)域的第二發(fā)射極單元和第三發(fā)射極單元,其中,第三發(fā)射極單元與第1發(fā)射極單元連接,公共柵極單元與第1發(fā)射極單元和第二發(fā)射極單元之間通過(guò)刻蝕方式進(jìn)行隔開(kāi);第二表面上設(shè)有工作區(qū)域和電流檢測(cè)區(qū)域的公共集電極單元;接地區(qū)域設(shè)置于第1發(fā)射極單元內(nèi)的任意位置處;電流檢測(cè)區(qū)域和接地區(qū)域分別用于與檢測(cè)電阻連接,以使檢測(cè)電阻上產(chǎn)生電壓,并根據(jù)電壓檢測(cè)工作區(qū)域的工作電流。本申請(qǐng)避免了柵電極因?qū)Φ仉娢蛔兓斐傻钠睿岣吡藱z測(cè)電流的精度。進(jìn)一步的,電流檢測(cè)區(qū)域20包括取樣igbt模塊,其中,取樣igbt模塊中雙極型三極管的集電極和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管的漏電極斷開(kāi),以得到第二發(fā)射極單元201和第三發(fā)射極單元202。具體地,如圖6所示。 模塊可以用于率封裝,比如450A,600A,800A等。陜西進(jìn)口英飛凌infineonIGBT模塊貨源充足

    當(dāng)散熱風(fēng)扇損壞中散熱片散熱不良時(shí)將導(dǎo)致IGBT模塊發(fā)熱,而發(fā)生故障。因此對(duì)散熱風(fēng)扇應(yīng)定期進(jìn)行檢查,一般在散熱片上靠近IGBT模塊的地方安裝有溫度感應(yīng)器,當(dāng)溫度過(guò)高時(shí)將報(bào)警或停止IGBT模塊工作。三、IGBT驅(qū)動(dòng)電路IGBT驅(qū)動(dòng)電路的作用主要是將單片機(jī)脈沖輸出的功率進(jìn)行放大,以達(dá)到驅(qū)動(dòng)IGBT功率器件的目的。在保證IGBT器件可靠、穩(wěn)定、安全工作的前提,驅(qū)動(dòng)電路起到至關(guān)重要的作用。IGBT的等效電路及符合如圖1所示,IGBT由柵極正負(fù)電壓來(lái)控制。當(dāng)加上正柵極電壓時(shí),管子導(dǎo)通;當(dāng)加上負(fù)柵極電壓時(shí),管子關(guān)斷。IGBT具有和雙極型電力晶體管類似的伏安特性,隨著控制電壓UGE的增加,特性曲線上移。開(kāi)關(guān)電源中的IGBT通過(guò)UGE電平的變化,使其在飽和與截止兩種狀態(tài)交替工作。(1)提供適當(dāng)?shù)恼聪螂妷?使IGBT能可靠地開(kāi)通和關(guān)斷。當(dāng)正偏壓增大時(shí)IGBT通態(tài)壓降和開(kāi)通損耗均下降,但若UGE過(guò)大,則負(fù)載短路時(shí)其IC隨UGE增大而增大,對(duì)其安全不利,使用中選UGEν15V為好。負(fù)偏電壓可防止由于關(guān)斷時(shí)浪涌電流過(guò)大而使IGBT誤導(dǎo)通,一般選UGE=-5V為宜。(2)IGBT的開(kāi)關(guān)時(shí)間應(yīng)綜合考慮。快速開(kāi)通和關(guān)斷有利于提高工作頻率,減小開(kāi)關(guān)損耗。但在大電感負(fù)載下,IGBT的開(kāi)頻率不宜過(guò)大。 江蘇哪里有英飛凌infineonIGBT模塊工廠直銷6單元的三項(xiàng)全橋IGBT拓?fù)?以FS開(kāi)頭。

    20-電流檢測(cè)區(qū)域;201-第二發(fā)射極單元;202-第三發(fā)射極單元;30-接地區(qū)域;100-公共柵極單元;200-公共集電極單元;40-檢測(cè)電阻;2-第1發(fā)射極單元金屬;3-空穴收集區(qū)電極金屬;4-氧化物;5-多晶硅;6-n+源區(qū);7-p阱區(qū);8-空穴收集區(qū);9-n型耐壓漂移層;11-p+區(qū);12-公共集電極金屬;13-接觸多晶硅;50-半導(dǎo)體功率模塊;51-igbt芯片;52-驅(qū)動(dòng)集成塊;521-模塊引線端子;522-導(dǎo)線;60-dcb板。具體實(shí)施方式為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚,下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。如圖1所示,igbt器件是由bjt(bipolarjunctiontransistor,雙極型三極管)和mos(metaloxidesemiconductor,絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件。在實(shí)際應(yīng)用中,igbt器件兼有mosfet(metal-oxide-semiconductorfield-effecttransistor,金氧半場(chǎng)效晶體管)的高輸入阻抗和gtr(gianttransistor,電力晶體管)的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。

    IGBT模塊旁的續(xù)流二極管續(xù)流二極管二極管通常是指反向并聯(lián)在IGBT模塊兩端的一個(gè)二極管,它的作用是在電路中電壓或電流出現(xiàn)突變時(shí),對(duì)電路中其它元件起保護(hù)作用。如在變頻驅(qū)動(dòng)電動(dòng)機(jī)運(yùn)行時(shí),與IGBT并聯(lián)的快恢復(fù)二極管使IGBT在關(guān)斷時(shí)電動(dòng)機(jī)定子繞組中的儲(chǔ)存的能量能提供一個(gè)繼續(xù)流通的路徑,避免激起高壓損壞IGBT。二極管除繼續(xù)流通正向電流外,更重要的反向恢復(fù)特性,因?yàn)樗苯雨P(guān)系到逆變橋上下臂IGBT換流時(shí)的動(dòng)態(tài)特性。對(duì)于感性負(fù)載而言,由于感生電壓的存在,在IGBT的S或D極結(jié)點(diǎn)上,總會(huì)有流入和流出的電流存在。那個(gè)二極管就負(fù)責(zé)流出電流通路的。從IGBT的結(jié)構(gòu)原理可知,它只能單向?qū)āA硪粋€(gè)方向就要借助和它并聯(lián)的二極管實(shí)現(xiàn)。電感線圈可以經(jīng)過(guò)它給負(fù)載提供持續(xù)的電流,以免負(fù)載電流突變,起到平滑電流的作用!在IGBT開(kāi)關(guān)電源中,就能見(jiàn)到一個(gè)由二極管和電阻串連起來(lái)構(gòu)成的的續(xù)流電路。這個(gè)電路與變壓器原邊并聯(lián)當(dāng)開(kāi)關(guān)管關(guān)斷時(shí),續(xù)流電路可以釋放掉變壓器線圈中儲(chǔ)存的能量,防止感應(yīng)電壓過(guò)高,擊穿開(kāi)關(guān)管。電路連接圖IGBT模塊并聯(lián)二極管的使用事項(xiàng)一般選擇快速恢復(fù)二極管或者肖特基二極管。 第五代IGBT命名后綴為5。

    一、IGBT是什么IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。通俗來(lái)講:IGBT是一種大功率的電力電子器件,是一個(gè)非通即斷的開(kāi)關(guān),IGBT沒(méi)有放大電壓的功能,導(dǎo)通時(shí)可以看做導(dǎo)線,斷開(kāi)時(shí)當(dāng)做開(kāi)路。三大特點(diǎn)就是高壓、大電流、高速。二、IGBT模塊IGBT是InsulatedGateBipolarTransistor(絕緣柵雙極型晶體管)的縮寫(xiě),IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件,其輸入極為MOSFET,輸出極為PNP晶體管,它融和了這兩種器件的優(yōu)點(diǎn),既具有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率小和開(kāi)關(guān)速度快的優(yōu)點(diǎn),又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點(diǎn),其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間,可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi)。 第四代IGBT能耐175度的極限高溫。陜西進(jìn)口英飛凌infineonIGBT模塊貨源充足

這些IGBT是汽車級(jí)別的,屬于特種模塊,價(jià)格偏貴。陜西進(jìn)口英飛凌infineonIGBT模塊貨源充足

    本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種半導(dǎo)體功率模塊,如圖15所示,半導(dǎo)體功率模塊50配置有上述igbt芯片51,還包括驅(qū)動(dòng)集成塊52和檢測(cè)電阻40。具體地,如圖16所示,igbt芯片51設(shè)置在dcb板60上,驅(qū)動(dòng)集成塊52的out端口通過(guò)模塊引線端子521與igbt芯片51中公共柵極單元100連接,以便于驅(qū)動(dòng)工作區(qū)域10和電流檢測(cè)區(qū)域20工作;si端口通過(guò)模塊引線端子521與檢測(cè)電阻40連接,用于獲取檢測(cè)電阻40上的電壓;以及,gnd端口通過(guò)模塊引線端子521與電流檢測(cè)區(qū)域的第1發(fā)射極單元101引出的導(dǎo)線522連接,檢測(cè)電阻40的另一端還分別與電流檢測(cè)區(qū)域的第二發(fā)射極單元201和接地區(qū)域連接,從而通過(guò)si端口獲取檢測(cè)電阻40上的測(cè)量電壓,并根據(jù)該測(cè)量電壓檢測(cè)工作區(qū)域的工作電流。本發(fā)明實(shí)施例提供的半導(dǎo)體功率模塊,設(shè)置有igbt芯片,其中,igbt芯片上設(shè)置有:工作區(qū)域、電流檢測(cè)區(qū)域和接地區(qū)域;其中,igbt芯片還包括第1表面和第二表面,且,第1表面和第二表面相對(duì)設(shè)置;第1表面上設(shè)置有工作區(qū)域和電流檢測(cè)區(qū)域的公共柵極單元,以及,工作區(qū)域的第1發(fā)射極單元、電流檢測(cè)區(qū)域的第二發(fā)射極單元和第三發(fā)射極單元,其中,第三發(fā)射極單元與第1發(fā)射極單元連接。 陜西進(jìn)口英飛凌infineonIGBT模塊貨源充足