TO-220ABTO-220F全塑封MBR20200CT20A,200V,TO-220ABTO-220F全塑封MBR3045CT30A,45V,TO-220ABTO-220F全塑封MBR3060CT30A,60V,TO-220ABTO-220F全塑封MBR30100CT30A,100V,TO-220ABTO-220F全塑封MBR30150CT30A,150V,TO-220ABTO-220F全塑封MBR30200CT30A,200V,TO-220ABTO-220F全塑封MBR3045PT30A,45V,TO-247TO-3PMBR3060PT30A,60V,TO-247TO-3PMBR30100PT30A,100VTO-247、TO-3PMBR30150PT30A,150VTO-247、TO-3PMBR30200PT30A,200VTO-247、TO-3PMBR4045PT40A,45VTO-247、TO-3PMBR4060PT40A,60VTO-247、TO-3PMBR40100PT40A,100VTO-247、TO-3PMBR40150PT40A,150VTO-247、TO-3PMBR40200PT40A,200VTO-247、TO-3PMBR6045PT60A,45VTO-247、TO-3PMBR6060PT60A,60VTO-247、TO-3PMBR60100PT60A。 當加在二極管兩端的正向電壓很小時，二極管仍然不能導通，流過二極管的正向電流十分微弱。安徽艾賽斯IXYS二極管模塊推薦貨源

    或在微波通信等電路中作整流二極管、小信號檢波二極管使用。2、肖特基二極管的結構肖特基二極管在結構原理上與PN結二極管有很大區別，它的內部是由陽極金屬（用鉬或鋁等材料制成的阻擋層）、二氧化硅（SiO2）電場消除材料、N外延層（砷材料）、N型硅基片、N陰極層及陰極金屬等構成。在N型基片和陽極金屬之間形成肖特基勢壘。當在肖特基勢壘兩端加上正向偏壓（陽極金屬接電源正極，N型基片接電源負極）時，肖特基勢壘層變窄，其內阻變小；反之，若在肖特基勢壘兩端加上反向偏壓時，肖特基勢壘層則變寬，其內阻變大。肖特基二極管分為有引線和表面安裝（貼片式）兩種封裝形式。采用有引線式封裝的肖特基二極管通常作為高頻大電流整流二極管、續流二極管或保護二極管使用。它有單管式和對管（雙二極管）式兩種封裝形式。肖特基對管又有：共陰（兩管的負極相連）、共陽（兩管的正極相連）和串聯（一只二極管的正極接另一只二極管的負極）三種管腳引出方式。采用表面封裝的肖特基二極管有單管型、雙管型和三管型等多種封裝形式，有A~19種管腳引出方式。3、常用的肖特基二極管常用的有引線式肖特基二極管，1N5817、1N5819、MBR1045、MBR20200等型號。也就是常說的插件封裝。 陜西哪里有艾賽斯IXYS二極管模塊銷售PN結不可分割的點接觸型和肖特基型，也被列入一般的二極管的范圍內。

    溫敏二極管PN結的壓降是溫度的函數，溫度每升高一度，溫敏二極管PN結正向壓降下降2mV。用于測溫電路。精密二極管簡稱PD，精密二極管是一種具有穩定電壓和穩定電流的高精度二極管。它的工作溫度寬，線性好，穩定性非常高。常用于各種電子路中的恒流源或恒壓源。光敏二極管有光照時，電阻小，電流大，無光照時，電阻大，電流小紅外發射二極管紅外發光二極管是一種能發出紅外線的二極管，通常應用于遙控器等場合激光二極管激光二極管的特色之一，是能直接從電流調制其輸出光的強弱。因為輸出光功率與輸入電流之間多為線性關系，所以激光二極管可以采用模擬或數字電流直接調制輸出光的強弱防雷二極管常常用來保護對電壓很敏感的電信設備，防止雷擊和設備開關動作時產生的瞬態浪涌電壓將它們損壞。GDT是高阻抗的元件檢波二極管檢波二極管是用于把疊加在高頻載波上的低頻信號檢出來的器件。

    肖特基二極管(SBD)是肖特基勢壘二極管(SchottkyBarrierDiode，縮寫成SBD)的簡稱，是以其發明人肖特基博士(Schottky)命名的半導體器件。肖特基二極管是低功耗、大電流、超高速半導體器件，它不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理制作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬-半導體結原理制作的。因此，SBD也稱為金屬-半導體(接觸)二極管或表面勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。新聞網頁微信知乎圖片視頻明醫英文問問百科更多>>登錄幫助首頁精彩百科知識圖譜城市百科抗戰百科高校百科任務任務中心用戶蜜蜂團領域小組熱詞團公益百科積分商城個人中心添加義項同義詞收藏分享分享到QQ空間新浪微博人人網肖特基二極管編輯詞條肖特基二極管（SBD）是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode，縮寫成SBD）的簡稱，是以其發明人肖特基博士（Schottky）命名的半導體器件。肖特基二極管是低功耗、大電流、超高速半導體器件，它不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理制作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬－半導體結原理制作的。因此，SBD也稱為金屬－半導體（接觸）二極管或表面勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。 在N型鍺或硅的單晶片上，通過合金銦、鋁等金屬的方法制作PN結而形成的。

    二極管的反向飽和電流受溫度影響很大。[4]一般硅管的反向電流比鍺管小得多，小功率硅管的反向飽和電流在nA數量級，小功率鍺管在μA數量級。溫度升高時，半導體受熱激發，少數載流子數目增加，反向飽和電流也隨之增加。[4]二極管擊穿特性外加反向電壓超過某一數值時，反向電流會突然增大，這種現象稱為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為二極管反向擊穿電壓。電擊穿時二極管失去單向導電性。如果二極管沒有因電擊穿而引起過熱，則單向導電性不一定會被長久破壞，在撤除外加電壓后，其性能仍可恢復，否則二極管就損壞了。因而使用時應避免二極管外加的反向電壓過高。[5]反向擊穿按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢壘區寬度很小，反向電壓較大時，破壞了勢壘區內共價鍵結構，使價電子脫離共價鍵束縛，產生電子-空穴對，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢壘區寬度較寬，不容易產生齊納擊穿。[5]另一種擊穿為雪崩擊穿。當反向電壓增加到較大數值時，外加電場使電子漂移速度加快，從而與共價鍵中的價電子相碰撞，把價電子撞出共價鍵，產生新的電子-空穴對。新產生的電子-空穴被電場加速后又撞出其它價電子。 大多數二極管是由硅制成的，但也使用了砷化鎵和鍺等其他半導體材料。湖南艾賽斯IXYS二極管模塊

整流器、二極管的形式可用于諸如從無線電接收機中的無線電信號提取調制之類的任務。安徽艾賽斯IXYS二極管模塊推薦貨源

    一、肖特基二極管特性1、肖特基（Schottky）二極管的正向壓降比快恢復二極管正向壓降低很多，所以自身功耗較小，效率高。2、由于反向電荷恢復時間極短，所以適宜工作在高頻狀態下。3、能耐受高浪涌電流。4、目前市場上常見的肖特基管高結溫分100℃、125℃、150％、175℃幾種(結溫越高表示產品抗高溫特性越好。即工作在此溫度以下不會引起失效。5、它也有一些缺點：是其耐壓較低及反向漏電流稍大。選型時要全考慮。肖特基二極管一般用在電源次級輸出整流上面。二、肖特基常見型號封裝圖關于封裝通過型號識別封裝外形：MBR10100:TO-220AC,單芯片，兩引腳，MBR10100CT:TO-220AB,雙芯片，三引腳，型號后綴帶CTMBRB10100CT:TO-263（D2PAK）、貼片。型號前面第四個字母B,TO-263,國際通用命名。雙芯片，三引腳，型號后綴帶CTMBRD1045CT:TO-252（DPAK）、貼片。MBRD與MBRB都是貼片，D:TO-252,B:"PT"TO-3P封裝，原MOTOROLA（今ON）叫做SOT-93SD1045:D表示TO-251三、肖特基二極管常見型號及參數1、肖特基它是一種低功耗、超高速半導體器件，廣泛應用于開關電源、變頻器、驅動器等電路，作高頻、低壓、大電流整流二極管、續流二極管、保護二極管使用。 安徽艾賽斯IXYS二極管模塊推薦貨源