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來源: 發布時間:2024-06-11

    光控晶閘管又稱光觸發晶閘管,是利用一定波長的光照信號來代替電信號對器件進行觸發。光控晶閘管的伏安特性和普通晶閘管一樣,只是隨著光照信號變強其正向轉折電壓逐漸變低。[1]中文名光控晶閘管外文名LightTriggeredThyristor簡稱LTT別稱光觸發晶閘管特點以光信號代替電信號進行觸發導通學科電子技術目錄1簡述2結構3工作原理4特性光控晶閘管簡述編輯光控晶閘管又稱光觸發晶閘管,它是一種以光信號代替電信號來進行觸發導通的特殊觸發型晶閘管,其伏安特性曲線與普通晶閘管完全一樣,只是觸發方式不同。而由于它采用光信號觸發,避免了主回路對控制回路的干擾,適用于要求信號源與主回路高度絕緣的大功率高壓裝置,如高壓直流輸電裝置、高壓核聚變裝置等。[2]光控晶閘管是利用一定波長的光照信號控制的開關器件,其結構也是由四層半導體(PNPN)構成。小功率光控晶閘管只有兩個電極(陽極A和陰極K),而大功率光控晶閘管除陽極和陰極之外,還帶有光纜,光纜上裝有發光二極管或半導體激光器作為觸發光源。光控晶閘管結構編輯光控晶閘管也稱GK型光開關管,是一種光敏器件。通常晶閘管有3個電極,控制極G、陽極A和陰極K。由于圖1光控晶閘管光控晶閘管的控制信號來自光的照射。 根據晶閘管的工作特性,常見的應用就是現場用的不間斷應急燈。北京Infineon英飛凌晶閘管推薦貨源

    1957年又開發了全球用于功率轉換和控制的可控硅整流器(SCR)。由于它們具有體積小、重量輕、效率高、壽命長的優勢,尤其是SCR能以微小的電流控制較大的功率,令半導體電力電子器件成功從弱電控制領域進入了強電控制領域、大功率控制領域。在整流器的應用上,晶閘管迅速取代了整流器(引燃管),實現整流器的固體化、靜止化和無觸點化,并獲得巨大的節能效果。從1960年代開始,由普通晶閘管相繼衍生出了快速晶閘管、光控晶閘管、不對稱晶閘管及雙向晶閘管等各種特性的晶閘管,形成一個龐大的晶閘管家族。晶閘管在應用中有效率高、控制特性好、壽命長、體積小、功能強等優點,其能承受的電壓和電流容量是目前電力電子器件中高的,而且工作可靠。因晶閘管的上述優點,國外對晶閘管在脈沖功率源領域內應用的研究做了大量的工作,很多脈沖功率能源模塊已經使用晶閘管作為主開關。而國內的大功率晶閘管主要應用在高壓直流輸電的工頻環境下,其工頻工作條件下的技術參數指標不足以準確反映其在脈沖電源這種高電壓、大電流、高陡度的環境下的使用情況,對其在脈沖脈沖功率電源領域中的應用研究很少,尚處于試驗探索階段。[1]在大功率半導體開關器件中。 黑龍江哪里有Infineon英飛凌晶閘管哪里有賣的大功率晶閘管多采用金屬殼封裝,而中、小功率晶閘管則多采用塑封或陶瓷封裝。

    晶閘管智能模塊編輯鎖定討論本詞條缺少概述圖,補充相關內容使詞條更完整,還能快速升級,趕緊來編輯吧!晶閘管智能模塊指的是一種特殊的模板,采用了采用全數字移相觸發集成電路。中文名晶閘管智能模塊特點三相交流模塊輸出對稱性好等優點功耗低,效率高等適用溫度-25℃~+45℃目錄1模塊特點2模塊規格3注意事項4模塊參數晶閘管智能模塊模塊特點編輯(1)本產品均采用全數字移相觸發集成電路,實現了控制電路和晶閘管主電路集成一體化,使模塊具備了弱電控制強電的電力調控作用。(2)采用進口方形芯片,模塊壓降小、功耗低,效率高;采用進口貼片元件,保證觸發控制電路的可靠性;采用(DCB)陶瓷覆銅板,導熱性能好,熱循環負載次數高于國家標準近10倍;采用高級導熱絕緣封裝材料,絕緣、防潮性能優良。(3)觸發控制電路、主電路和導熱底板相互隔離,導熱底板不帶電,絕緣強度≥2500V(RMS),保證人身安全。(4)三相交流模塊輸出對稱性好,直流分量小。大規格模塊具有過熱、過流、缺相保護作用。(5)輸入0~10V直流控制信號或0~5V直流控制信號、4~20mA儀表信號,均可實現對主電路輸出電壓進行平滑調節;可手動、儀表或微機控制。(6)適用于阻性和感性負載。

    產生波形失真和噪聲。可關斷晶閘管克服了上述缺陷,它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優點,以具有自關斷能力,使用方便,是理想的高壓、大電流開關器件。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管(GTR),只是工作頻率比GTR低。目前,GTO已達到3000A、4500V的容量。大功率可關斷晶閘管已用于斬波調速、變頻調速、逆變電源等領域,顯示出強大的生命力。可關斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件,其結構及等效電路和普通晶閘管相同,因此圖1繪出GTO典型產品的外形及符號。大功率GTO大都制成模塊形式。盡管GTO與SCR的觸發導通原理相同,但二者的關斷原理及關斷方式截然不同。這是由于普通晶閘管在導通之后即處于深度飽和狀態,而GTO在導通后只能達到臨界飽和,所以GTO門極上加負向觸發信號即可關斷。GTO的一個重要參數就是關斷增益,βoff,它等于陽極大可關斷電流IATM與門極大負向電流IGM之比,有公式βoff=IATM/IGMβoff一般為幾倍至幾十倍。βoff值愈大,說明門極電流對陽極電流的控制能力愈強。很顯然,βoff與昌盛的hFE參數頗有相似之處。下面分別介紹利用萬用表判定GTO電極、檢查GTO的觸發能力和關斷能力、估測關斷增益βoff的方法。判定GTO的電極將萬用表撥至R×1檔。 本產品均采用全數字移相觸發集成電路,實現了控制電路和晶閘管主電路集成一體化。

    單向晶閘管主要有3CT系列和KP系列,雙向晶閘管主要有3CTS系列和KS系列,高頻晶閘管主要有KK系列。晶體閘流管具有3個引腳。單向晶閘管的3個引腳分別是陽極A、陰極K和控制極G,常見單向晶閘管的引腳如圖4-44所示,使用中應注意識別,不要搞錯。雙向晶閘管的3個引腳分別是控制極G、主電極T1和主電極T2,如圖4-45所示。由于雙向品閘管的兩個主電極T1和T2是對稱的,因此使用中可以任意互換。晶閘管有什么特點晶體閘流管的特點是具有可控制的單向導電性,即不但具有一般二極管單向導電的整流作用,而且可以對導通電流進行控制,就好像閘門一樣,起到控制電流有無和大小的作用。晶體閘流管的這一特點是由其特殊的結構所決定的。(1)單向晶閘管工作原理單向晶閘管是PNPN閃層結構,形成三個PN結,具有陽極人、陰極K和控制極G三個外電極。單向品閘管可等效為PNP,NPN兩個晶體管組成的復合管,如圖4-46所示。在陽極A之間加上正電壓后,晶閘管并不導通。只有在控制極G加上觸發電壓時,VT1、VT2相繼迅速導通,并且互相提供基極電流維持晶閘管導通。此時即使去掉控制極上的觸發電壓,晶閘管仍維持導通狀態,直至所通過的電流小于晶閘管的維持電流時,晶閘管才關斷。。 晶閘管的陽極電流等于兩管的集電極電流和漏電流的總和。福建代理Infineon英飛凌晶閘管哪里有賣的

晶閘管分為螺栓形和平板形兩種。北京Infineon英飛凌晶閘管推薦貨源

    高可承受電流上升率di/dt為20kA/us。門極可承受觸發電流大值為2000A,觸發電流上升率di/dt大為1000A/us。但是此種開關所能承受的反向電壓較低,因此還只能在特定的脈沖電源中使用。[1]但晶閘管本身存在兩個制約其繼續發展的重要因素。一是控制功能上的欠缺,普通的晶閘管屬于半控型器件,通過門極(控制極)只能控制其開通而不能控制其關斷,導通后控制極即不再起作用,要關斷必須切斷電源,即令流過晶閘管的正向電流小于維持電流。由于晶閘管的關斷不可控的特性,必須另外配以由電感、電容及輔助開關器件等組成的強迫換流電路,從而使裝置體積增大,成本增加,而且系統更為復雜、可靠性降低。二是因為此類器件立足于分立元件結構,開通損耗大,工作頻率難以提高,限制了其應用范圍。1970年代末,隨著可關斷晶閘管(GTO)日趨成熟,成功克服了普通晶閘管的缺陷,標志著電力電子器件已經從半控型器件發展到全控型器件。 北京Infineon英飛凌晶閘管推薦貨源