該igbt芯片上設置有：工作區域、電流檢測區域和接地區域；其中，igbt芯片還包括第1表面和第二表面，且，第1表面和第二表面相對設置；第1表面上設置有工作區域和電流檢測區域的公共柵極單元，以及，工作區域的第1發射極單元、電流檢測區域的第二發射極單元和第三發射極單元，其中，第三發射極單元與第1發射極單元連接，公共柵極單元與第1發射極單元和第二發射極單元之間通過刻蝕方式進行隔開；第二表面上設有工作區域和電流檢測區域的公共集電極單元；接地區域設置于第1發射極單元內的任意位置處；電流檢測區域和接地區域分別用于與檢測電阻連接，以使檢測電阻上產生電壓，并根據電壓檢測工作區域的工作電流。第二方面，本發明實施例還提供一種半導體功率模塊，半導體功率模塊配置有第1方面的igbt芯片，還包括驅動集成塊和檢測電阻；其中，驅動集成塊與igbt芯片中公共柵極單元連接，以便于驅動工作區域和電流檢測區域工作；以及，還與檢測電阻連接，用于獲取檢測電阻上的電壓。本發明實施例帶來了以下有益效果：本發明實施例提供了igbt芯片及半導體功率模塊，igbt芯片上設置有：工作區域、電流檢測區域和接地區域；其中。 IGBT模塊是由IGBT（絕緣柵雙極型晶體管芯片）與FWD通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產品。吉林SEMIKRON西門康IGBT模塊銷售廠家

    IGBT裸片是硅基的絕緣柵雙極晶體管芯片。裸片和晶圓級別的芯片可幫助模塊制造商提高產品集成度和功率密度，并有效節約電路板空間。另外，英飛凌還提供完善的單獨塑封IGBT系列：IGBT單管。該系列芯片包括單片IGBT，以及和續流二極管集成封裝的產品，廣泛應用于通用逆變器、太陽能逆變器、不間斷電源（UPS）、感應加熱設備、大型家電、焊接以及開關電源（SMPS）等領域。單管IGBT電流密度高且功耗低，能夠提高能效、降低散熱需求，從而有效降低整體系統成本。功率模塊是比分立式IGBT規模稍大的產品類型，用于構造電力電子設備的基本單元。這類模塊通常由IGBT和二極管組成，可有多種拓撲結構。而即用型組件模塊則于滿足大功率應用的需求。這些組件常被稱作系統，根據具體應用領域采用IGBT功率模塊或單管進行構造。從具有整流器、制動斬波器和逆變器的一體化功率集成模塊，到大功率的組件，英飛凌的產品覆蓋了幾百瓦到幾兆瓦的功率范圍。這些產品高度可靠，性能、效率和使用壽命均很出色，有利于通用驅動器、伺服單元和可再生能源應用（如太陽能逆變器和風力發電應用）的設計。HybridPACK?系列專為汽車類應用研發，可助力電動交通應用的設計。為更好地支持汽車類應用。 吉林SEMIKRON西門康IGBT模塊銷售廠家IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)。

    西門康IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)結構和工作原理絕緣柵雙極型晶體管是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。西門康IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。在西門康IGBT得到大力發展之前，功率場效應管MOSFET被用于需要快速開關的中低壓場合，晶閘管、GTO被用于中高壓領域。MOSFET雖然有開關速度快、輸入阻抗高、熱穩定性好、驅動電路簡單的優點;但是，在200V或更高電壓的場合，MOSFET的導通電阻隨著擊穿電壓的增加會迅速增加，使得其功耗大幅增加，存在著不能得到高耐壓、大容量元件等缺陷。雙極晶體管具有優異的低正向導通壓降特性，雖然可以得到高耐壓、大容量的元件，但是它要求的驅動電流大，控制電路非常復雜，而且交換速度不夠快。

    而是為了保護IGBT脆弱的反向耐壓而特別設置的，又稱為FWD（續流二極管）。二者內部結構不同MOSFET的三個極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。IGBT的三個極分別是集電極(C)、發射極(E)和柵極(G)。IGBT是通過在MOSFET的漏極上追加層而構成的。它們的內部結構如下圖：二者的應用領域不同MOSFET和IGBT內部結構不同，決定了其應用領域的不同。由于MOSFET的結構，通常它可以做到電流很大，可以到上KA，但是前提耐壓能力沒有IGBT強。其主要應用領域為于開關電源，鎮流器，高頻感應加熱，高頻逆變焊機，通信電源等高頻電源領域。IGBT可以做很大功率，電流和電壓都可以，就是一點頻率不是太高，目前IGBT硬開關速度可以到100KHZ，IGBT集中應用于焊機，逆變器，變頻器，電鍍電解電源，超音頻感應加熱等領域。MOSFET與IGBT的主要特點MOSFET具有輸入阻抗高、開關速度快、熱穩定性好、電壓控制電流等特性，在電路中，可以用作放大器、電子開關等用途。IGBT作為新型電子半導體器件，具有輸入阻抗高，電壓控制功耗低，控制電路簡單，耐高壓，承受電流大等特性，在各種電子電路中獲得極的應用。IGBT的理想等效電路如下圖所示，IGBT實際就是MOSFET和晶體管三極管的組合。 IGBT的伏安特性是指以柵源電壓Ugs為參變量時，漏極電流與柵極電壓之間的關系曲線。

    對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發明實施例提供的一種igbt器件的結構圖；圖2為本發明實施例提供的一種電流敏感器件的結構圖；圖3為本發明實施例提供的一種kelvin連接示意圖；圖4為本發明實施例提供的一種檢測電流與工作電流的曲線圖；圖5為本發明實施例提供的一種igbt芯片的結構示意圖；圖6為本發明實施例提供的另一種igbt芯片的結構示意圖；圖7為本發明實施例提供的一種igbt芯片的表面結構示意圖；圖8為本發明實施例提供的另一種igbt芯片的表面結構示意圖；圖9為本發明實施例提供的另一種igbt芯片的表面結構示意圖；圖10為本發明實施例提供的另一種igbt芯片的表面結構示意圖；圖11為本發明實施例提供的另一種igbt芯片的表面結構示意圖；圖12為本發明實施例提供的另一種igbt芯片的表面結構示意圖；圖13為本發明實施例提供的另一種igbt芯片的表面結構示意圖；圖14為本發明實施例提供的另一種igbt芯片的表面結構示意圖；圖15為本發明實施例提供的一種半導體功率模塊的結構示意圖；圖16為本發明實施例提供的一種半導體功率模塊的連接示意圖。圖標：1-電流傳感器；10-工作區域；101-第1發射極單元。 在截止狀態下的IGBT，正向電壓由J2結承擔，反向電壓由J1結承擔。吉林SEMIKRON西門康IGBT模塊銷售廠家

IGBT的驅動方法和MOSFET基本相同，只需控制輸入極N-溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性。吉林SEMIKRON西門康IGBT模塊銷售廠家

    IGBT模塊旁的續流二極管續流二極管二極管通常是指反向并聯在IGBT模塊兩端的一個二極管,它的作用是在電路中電壓或電流出現突變時,對電路中其它元件起保護作用。如在變頻驅動電動機運行時，與IGBT并聯的快恢復二極管使IGBT在關斷時電動機定子繞組中的儲存的能量能提供一個繼續流通的路徑，避免激起高壓損壞IGBT。二極管除繼續流通正向電流外，更重要的反向恢復特性，因為它直接關系到逆變橋上下臂IGBT換流時的動態特性。對于感性負載而言，由于感生電壓的存在，在IGBT的S或D極結點上，總會有流入和流出的電流存在。那個二極管就負責流出電流通路的。從IGBT的結構原理可知，它只能單向導通。另一個方向就要借助和它并聯的二極管實現。電感線圈可以經過它給負載提供持續的電流，以免負載電流突變，起到平滑電流的作用！在IGBT開關電源中，就能見到一個由二極管和電阻串連起來構成的的續流電路。這個電路與變壓器原邊并聯當開關管關斷時，續流電路可以釋放掉變壓器線圈中儲存的能量，防止感應電壓過高，擊穿開關管。電路連接圖IGBT模塊并聯二極管的使用事項一般選擇快速恢復二極管或者肖特基二極管。 吉林SEMIKRON西門康IGBT模塊銷售廠家