④應有良好的抗干擾能力、溫度穩定性及與主電路的電氣隔離；⑤觸發脈沖型式應有助于晶閘管元件的導通時間趨于一致。在高電壓大電流晶閘管串聯電路中，要求串聯的元件同一時刻導通，宜采用強觸發的形式。[1]晶閘管觸發方式主要有三種：①電磁觸發方式，將低電位觸發信號經脈沖變壓器隔離后送到高電位晶閘管門極。這種觸發方式成本較低，技術比較成熟。但要解決多路脈沖變壓器的輸出一致問題，同時觸發時的電磁干擾較大。②直接光觸發方式，將觸發脈沖信號轉變為光脈沖，直接觸發高位光控晶閘管。這種觸發方式只適用于光控晶閘管，且該種晶閘管的成本較高，不適宜采用；③間接光觸發方式，利用光纖通信的方法，將觸發電脈沖信號轉化為光脈沖信號，經處理后耦合到光電接受回路，把光信號轉化為電信號。既可以克服電磁干擾，又可以采用普通晶閘管，降低了成本。[1]晶閘管串聯技術當需要耐壓很高的開關時，單個晶閘管的耐壓有限，單個晶閘管無法滿足耐壓需求，這時就需要將多個晶閘管串聯起來使用，從而得到滿足條件的開關。在器件的應用中，由于各個元件的靜態伏安特性和動態參數不同，因此將引起各元件間電壓分配不均勻而導致發生損壞器件的事故。 晶閘管在導通情況下，只要有一定的正向陽極電壓，不論門極電壓如何，即晶閘管導通后，門極失去作用。廣西Infineon英飛凌晶閘管模塊廠家電話

    光控晶閘管又稱光觸發晶閘管，是利用一定波長的光照信號來代替電信號對器件進行觸發。光控晶閘管的伏安特性和普通晶閘管一樣，只是隨著光照信號變強其正向轉折電壓逐漸變低。[1]中文名光控晶閘管外文名LightTriggeredThyristor簡稱LTT別稱光觸發晶閘管特點以光信號代替電信號進行觸發導通學科電子技術目錄1簡述2結構3工作原理4特性光控晶閘管簡述編輯光控晶閘管又稱光觸發晶閘管，它是一種以光信號代替電信號來進行觸發導通的特殊觸發型晶閘管，其伏安特性曲線與普通晶閘管完全一樣，只是觸發方式不同。而由于它采用光信號觸發，避免了主回路對控制回路的干擾，適用于要求信號源與主回路高度絕緣的大功率高壓裝置，如高壓直流輸電裝置、高壓核聚變裝置等。[2]光控晶閘管是利用一定波長的光照信號控制的開關器件，其結構也是由四層半導體(PNPN)構成。小功率光控晶閘管只有兩個電極(陽極A和陰極K)，而大功率光控晶閘管除陽極和陰極之外，還帶有光纜，光纜上裝有發光二極管或半導體激光器作為觸發光源。光控晶閘管結構編輯光控晶閘管也稱GK型光開關管，是一種光敏器件。通常晶閘管有3個電極，控制極G、陽極A和陰極K。由于圖1光控晶閘管光控晶閘管的控制信號來自光的照射。 陜西Infineon英飛凌晶閘管模塊代理商金屬封裝晶閘管又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種。

    晶閘管晶體閘流管簡稱為品閘管，也叫做可控硅，是一種具有三個PN結的功率型半導體器件。因為它可以像閘門一樣控制電流，所以稱之為“晶體閘流管”。晶體閘流管是常用的功率型半導體控制器件之一，具有的用途。如圖4-42所爾為部分常見晶體閘流管。晶體閘流管種類和規格很多，適用于各種不同的場合。根據控制特性的不同，晶體閘流管可分為單向晶閘管、雙向晶閘管、可關斷晶閘管、正向阻斷晶閘管、反向阻斷晶閘管、光控晶閘管等。根據電流容量的不同，晶體閘流管可分為小功率管、功率管和大功率管。根據關斷速度的不同，晶體閘流管可分為普通晶閘管和高頻晶閘管（工作頻率>lOkHz）。根據封裝和外觀形式的不同，晶體閘流管可分為塑封式、陶瓷封裝式、金屬殼封裝式、大功率螺栓式和平板式等。雙向晶閘管是在單向晶閘管的基礎之上開發出來的，是一種交流型功率控制器件。雙向品閘管不僅能夠取代兩個反向并聯的單向晶閘管，而且只需要一個觸發電路，使用很方便。可關斷晶閘管也稱為門控晶閘管，是在普通晶閘管基礎上發展起來的功率型控制器件。怎樣識別晶閘管晶體閘流管的文字符號為“VS”，圖形符號如圖4-43所示。國產晶體閘流管的型號見表4-3。

    產生波形失真和噪聲。可關斷晶閘管克服了上述缺陷，它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優點，以具有自關斷能力，使用方便，是理想的高壓、大電流開關器件。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管（GTR），只是工作頻率比GTR低。目前，GTO已達到3000A、4500V的容量。大功率可關斷晶閘管已用于斬波調速、變頻調速、逆變電源等領域，顯示出強大的生命力。可關斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件，其結構及等效電路和普通晶閘管相同，因此圖1繪出GTO典型產品的外形及符號。大功率GTO大都制成模塊形式。盡管GTO與SCR的觸發導通原理相同，但二者的關斷原理及關斷方式截然不同。這是由于普通晶閘管在導通之后即處于深度飽和狀態，而GTO在導通后只能達到臨界飽和，所以GTO門極上加負向觸發信號即可關斷。GTO的一個重要參數就是關斷增益，βoff，它等于陽極大可關斷電流IATM與門極大負向電流IGM之比，有公式βoff=IATM/IGMβoff一般為幾倍至幾十倍。βoff值愈大，說明門極電流對陽極電流的控制能力愈強。很顯然，βoff與昌盛的hFE參數頗有相似之處。下面分別介紹利用萬用表判定GTO電極、檢查GTO的觸發能力和關斷能力、估測關斷增益βoff的方法。判定GTO的電極將萬用表撥至R×1檔。 晶閘管的工作特性可以概括為∶正向阻斷，觸發導通，反向阻斷。

    那么右邊從下往上看的N3—P1—N1—P2部分就成為反向，它們之間正好是一正一反地并聯在一起。我們把這種聯接叫做反向并聯。因此，從電路功能上可以把它等效成圖3(c)，也就是說，一個雙向晶閘管在電路中的作用是和兩只普通晶閘管反向并聯起來等效的。這也正是雙向晶閘管為什么會有雙向控制導通特性的根本原因。雙向晶閘管不象普通晶閘管那樣，必須在陽極和陰極之間加上正向電壓，管子才能導通。對雙向晶閘管來說，無所謂陽極和陰極。它的任何一個主電極，對圖3(b)中的兩個晶閘管管子來講，對一個管子是陽極，對另一個管子就是陰極，反過來也一樣。因此，雙向晶閘管無論主電極加上的是正向或是反向電壓，它都能被觸發導通。如此，雙向晶閘管還有一個重要的特點，這就是：不管觸發信號的極性如何，也就是不管所加的觸發信號電壓UG對T1是正向還是反向，雙向晶閘管都能被觸發導通。雙向晶閘管的這個特點是普通晶閘管所沒有的。快速晶閘管普通晶閘管不能在較高的頻率下工作。因為器件的導通或關斷需要一定時間，同時陽極電壓上升速度太快時，會使元件誤導通；陽極電流上升速度太快時，會燒毀元件。人們在制造工藝和結構上采取了一些改進措施，做出了能適應于高頻應用的晶閘管。 體閘流管簡稱為品閘管，也叫做可控硅，是一種具有三個PN結的功率型半導體器件。廣西Infineon英飛凌晶閘管模塊廠家電話

塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。廣西Infineon英飛凌晶閘管模塊廠家電話

    顯示阻值為無窮大(∞)。用鑷子或導線將晶閘管的陽極A與門極短路(見圖2)，相當于給G極加上正向觸發電壓，此時若電阻值為幾歐姆至幾十歐姆(具體阻值根據晶閘管的型號不同會有所差異)，則表明晶閘管因正向觸發而導通。再斷開A極與G極的連接(A、K極上的表筆不動，只將G極的觸發電壓斷掉)。若表針示值仍保持在幾歐姆至幾十歐姆的位置不動，則說明此晶閘管的觸發性能良好。特殊的晶閘管/晶閘管編輯雙向晶閘管TRIAC晶閘管從外表上看，雙向晶閘管和普通晶閘管很相似，也有三個電極。但是，它除了其中一個電極G仍叫做控制極外，另外兩個電極通常卻不再叫做陽極和陰極，而統稱為主電極Tl和T2。它的符號也和普通晶閘管不同，是把兩個晶閘管反接在一起畫成的，如圖2所示。它的型號，在我國一般用“3CTS”或“KS”表示；國外的資料也有用“TRIAC”來表示的。從內部結構來看，雙向晶閘管是一種N—P—N—P—N型五層結構的半導體器件，見圖3(a)。為了便于說明問題，我們不妨把圖3(a）看成是由左右兩部分組合而成的，如圖3(b)。這樣一來，原來的雙向晶閘管就被分解成兩個P—N—P—N型結構的單向晶閘管了。如果把左邊從下往上看的p1—N1—P2—N2部分叫做正向的話。 廣西Infineon英飛凌晶閘管模塊廠家電話