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來源: 發布時間:2024-07-13

    MOS管和IGBT管作為開關元件,在電子電路中會經常出現,它們在外形及特性參數上也比較相似,相信有不少人會疑惑為什么有的電路中需要用到MOS管,而有的卻需要用到IGBT管?它們之間有何區別呢?接下來冠華偉業為你解惑!何為MOS管?MOS管即MOSFET,中文全稱是金屬-氧化物半導體場效應晶體管,由于這種場效應管的柵極被絕緣層隔離,所以又叫絕緣柵場效應管。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型”的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET。MOS管本身自帶有寄生二極管,作用是防止VDD過壓的情況下,燒壞mos管,因為在過壓對MOS管造成破壞之前,二極管先反向擊穿,將大電流直接到地,從而避免MOS管被燒壞。何為IGBT?IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由晶體三極管和MOS管組成的復合型半導體器件。IGBT的電路符號至今并未統一,畫原理圖時一般是借用三極管、MOS管的符號,這時可以從原理圖上標注的型號來判斷是IGBT還是MOS管。同時還要注意IGBT有沒有體二極管,圖上沒有標出并不表示一定沒有,除非官方資料有特別說明,否則這個二極管都是存在的。IGBT內部的體二極管并非寄生的。 IGBT工作電流能有150A,200A,300A,400A,450A。江蘇代理英飛凌infineonIGBT模塊貨源充足

    一、IGBT是什么IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。通俗來講:IGBT是一種大功率的電力電子器件,是一個非通即斷的開關,IGBT沒有放大電壓的功能,導通時可以看做導線,斷開時當做開路。三大特點就是高壓、大電流、高速。二、IGBT模塊IGBT是InsulatedGateBipolarTransistor(絕緣柵雙極型晶體管)的縮寫,IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復合而成的一種器件,其輸入極為MOSFET,輸出極為PNP晶體管,它融和了這兩種器件的優點,既具有MOSFET器件驅動功率小和開關速度快的優點,又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優點,其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間,可正常工作于幾十kHz頻率范圍內。 內蒙古代理英飛凌infineonIGBT模塊推薦貨源因為大多數IGBT模塊工作在交流電網通過單相或三相整流后的直流母線電壓下。

    對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發明實施例提供的一種igbt器件的結構圖;圖2為本發明實施例提供的一種電流敏感器件的結構圖;圖3為本發明實施例提供的一種kelvin連接示意圖;圖4為本發明實施例提供的一種檢測電流與工作電流的曲線圖;圖5為本發明實施例提供的一種igbt芯片的結構示意圖;圖6為本發明實施例提供的另一種igbt芯片的結構示意圖;圖7為本發明實施例提供的一種igbt芯片的表面結構示意圖;圖8為本發明實施例提供的另一種igbt芯片的表面結構示意圖;圖9為本發明實施例提供的另一種igbt芯片的表面結構示意圖;圖10為本發明實施例提供的另一種igbt芯片的表面結構示意圖;圖11為本發明實施例提供的另一種igbt芯片的表面結構示意圖;圖12為本發明實施例提供的另一種igbt芯片的表面結構示意圖;圖13為本發明實施例提供的另一種igbt芯片的表面結構示意圖;圖14為本發明實施例提供的另一種igbt芯片的表面結構示意圖;圖15為本發明實施例提供的一種半導體功率模塊的結構示意圖;圖16為本發明實施例提供的一種半導體功率模塊的連接示意圖。圖標:1-電流傳感器;10-工作區域;101-第1發射極單元。

    將igbt模塊中雙極型三極管bjt的集電極和絕緣柵型場效應管mos的漏電極斷開,并替代包含鏡像電流測試的電路中的取樣igbt,從而得到包含無柵極驅動的電流檢測的igbt芯片的等效測試電路,即圖5中的igbt芯片結構,從而得到第二發射極單元201和第三發射極單元202,此時,bjt的集電極單獨引出,即第二發射極單元201,作為測試電流的等效電路,電流檢測區域20只取bjt的空穴電流作為檢測電流,且,空穴電流與工作區域10的工作電流成比例關系,從而通過檢測電流檢測區域20中的電流即可得到igbt芯片的工作區域10的電流,避免了現有方法中柵極對地電位變化造成的偏差,提高了檢測電流的精度。此外,在第1表面上,電流檢測區域20設置在工作區域10的邊緣區域,且,電流檢測區域20的面積小于工作區域10的面積。此外,igbt芯片為溝槽結構的igbt芯片,在電流檢測區域20和工作區域10的對應位置內分別設置多個溝槽,可選的,電流檢測區域20和工作區域10可以同時設置有多個溝槽,或者,工作區域10設置有多個溝槽,本發明實施例對此不作限制說明。以及,當設置有溝槽時,在每個溝槽內還填充有多晶硅。此外,在第1表面和第二表面之間,還設置有n型耐壓漂移層和導電層。 第三代IGBT能耐150度的極限高溫。

    所有人都知道IGBT的標準定義,但是很少有人詳細地、系統地從這句話抽絲剝繭,一層一層地分析為什么定義里說IGBT是由BJT和MOS組成的,它們之間有什么區別和聯系,在應用的時候,什么時候能選擇IGBT、什么時候選擇BJT、什么時候又選擇MOSFET管。這些問題其實并非很難,你跟著我看下去,就能窺見其區別及聯系。為什么說IGBT是由BJT和MOSFET組成的器件?要搞清楚IGBT、BJT、MOSFET之間的關系,就必須對這三者的內部結構和工作原理有大致的了解。BJT:雙極性晶體管,俗稱三極管。內部結構(以PNP型BJT為例)如下圖所示。BJT內部結構及符號如同我上篇文章(IGBT這玩意兒——從名稱入手)講的,雙極性即意味著器件內部有空穴和電子兩種載流子參與導電,BJT既然叫雙極性晶體管,那其內部也必然有空穴和載流子,理解這兩種載流子的運動是理解BJT工作原理的關鍵。由于圖中e(發射極)的P區空穴濃度要大于b(基極)的N區空穴濃度,因此會發生空穴的擴散,即空穴從P區擴散至N區。同理,e(發射極)的P區電子濃度要小于b(基極)的N區電子濃度,所以電子也會發生從N區到P區的擴散運動。這種運動終會造成在發射結上出現一個從N區指向P區的電場,即內建電場。 2單元的半橋IGBT拓撲:以BSM和FF開頭。江西哪里有英飛凌infineonIGBT模塊

這些IGBT是汽車級別的,屬于特種模塊,價格偏貴。江蘇代理英飛凌infineonIGBT模塊貨源充足

    當散熱風扇損壞中散熱片散熱不良時將導致IGBT模塊發熱,而發生故障。因此對散熱風扇應定期進行檢查,一般在散熱片上靠近IGBT模塊的地方安裝有溫度感應器,當溫度過高時將報警或停止IGBT模塊工作。三、IGBT驅動電路IGBT驅動電路的作用主要是將單片機脈沖輸出的功率進行放大,以達到驅動IGBT功率器件的目的。在保證IGBT器件可靠、穩定、安全工作的前提,驅動電路起到至關重要的作用。IGBT的等效電路及符合如圖1所示,IGBT由柵極正負電壓來控制。當加上正柵極電壓時,管子導通;當加上負柵極電壓時,管子關斷。IGBT具有和雙極型電力晶體管類似的伏安特性,隨著控制電壓UGE的增加,特性曲線上移。開關電源中的IGBT通過UGE電平的變化,使其在飽和與截止兩種狀態交替工作。(1)提供適當的正反向電壓,使IGBT能可靠地開通和關斷。當正偏壓增大時IGBT通態壓降和開通損耗均下降,但若UGE過大,則負載短路時其IC隨UGE增大而增大,對其安全不利,使用中選UGEν15V為好。負偏電壓可防止由于關斷時浪涌電流過大而使IGBT誤導通,一般選UGE=-5V為宜。(2)IGBT的開關時間應綜合考慮。快速開通和關斷有利于提高工作頻率,減小開關損耗。但在大電感負載下,IGBT的開頻率不宜過大。 江蘇代理英飛凌infineonIGBT模塊貨源充足