而是為了保護IGBT脆弱的反向耐壓而特別設置的,又稱為FWD(續(xù)流二極管)。二者內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同MOSFET的三個極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。IGBT的三個極分別是集電極(C)、發(fā)射極(E)和柵極(G)。IGBT是通過在MOSFET的漏極上追加層而構(gòu)成的。它們的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如下圖:二者的應用領域不同MOSFET和IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同,決定了其應用領域的不同。由于MOSFET的結(jié)構(gòu),通常它可以做到電流很大,可以到上KA,但是前提耐壓能力沒有IGBT強。其主要應用領域為于開關(guān)電源,鎮(zhèn)流器,高頻感應加熱,高頻逆變焊機,通信電源等高頻電源領域。IGBT可以做很大功率,電流和電壓都可以,就是一點頻率不是太高,目前IGBT硬開關(guān)速度可以到100KHZ,IGBT集中應用于焊機,逆變器,變頻器,電鍍電解電源,超音頻感應加熱等領域。MOSFET與IGBT的主要特點MOSFET具有輸入阻抗高、開關(guān)速度快、熱穩(wěn)定性好、電壓控制電流等特性,在電路中,可以用作放大器、電子開關(guān)等用途。IGBT作為新型電子半導體器件,具有輸入阻抗高,電壓控制功耗低,控制電路簡單,耐高壓,承受電流大等特性,在各種電子電路中獲得極的應用。IGBT的理想等效電路如下圖所示,IGBT實際就是MOSFET和晶體管三極管的組合。 第三代IGBT能耐150度的極限高溫。浙江英飛凌infineonIGBT模塊廠家供應
廣泛應用在斬波或逆變電路中,如軌道交通、電動汽車、風力和光伏發(fā)電等電力系統(tǒng)以及家電領域。此外,半導體功率模塊主要包括igbt器件和fwd,在實際應用中,為了保證半導體功率模塊能夠保證安全、可靠的工作,通常在半導體功率模塊的dcb板上增加電流傳感器以及溫度傳感器,以對半導體功率模塊中的器件進行過電流和溫度的實時監(jiān)控,方便電路進行保護。現(xiàn)有技術(shù)中主要通過在igbt器件芯片內(nèi)集成電流傳感器,并利用鏡像電流檢測原理實現(xiàn)電流的實時監(jiān)控,例如,對于圖2中的電流敏感器件,在igbt器件芯片有源區(qū)內(nèi)按照一定面積比如1:1000,隔離開1/1000的源區(qū)金屬電極作為電流檢測的電流傳感器1,該電流傳感器1的集電極和柵極與主工作區(qū)是共用,發(fā)射極則是分開的,因此,在電流傳感器1的源區(qū)金屬上引出電流以測試電極,并在外電路中檢測測試電極中的電流,從而檢測器件工作中電流狀態(tài)。但是,在上述鏡像電流檢測中,受發(fā)射極引線的寄生電阻和電感產(chǎn)生的阻抗的影響,電流檢測精度會降低,因此,現(xiàn)有方法主要采用kelvin連接,如圖3所示,當柵極高電平時,電流傳感器1與主工作區(qū)分別流過電流,電流傳感器1的電流流過檢測電阻40到主工作區(qū)發(fā)射區(qū)金屬后通過主工作區(qū)發(fā)射極引線到地。 天津代理英飛凌infineonIGBT模塊銷售GBT模塊采用預涂熱界面材料(TIM),能讓電力電子應用實現(xiàn)一致性的散熱性能。
igbt功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管(igbt)構(gòu)成的功率模塊。由于igbt模塊為mosfet結(jié)構(gòu),igbt的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現(xiàn)電隔離,具有出色的器件性能。廣泛應用于伺服電機,變頻器,變頻家電等領域。目錄1特點2應用3注意事項4發(fā)展趨勢IGBT功率模塊特點編輯igbt功率模塊是電壓型控制,輸入阻抗大,驅(qū)動功率小,控制電路簡單,開關(guān)損耗小,通斷速度快,工作頻率高,元件容量大等優(yōu)點。實質(zhì)是個復合功率器件,它集雙極型功率晶體管和功率mosfet的優(yōu)點于一體化。又因先進的加工技術(shù)使它通態(tài)飽和電壓低,開關(guān)頻率高(可達20khz),這兩點非常顯著的特性,近西門子公司又推出低飽和壓降()的npt-igbt性能更佳,相繼東芝、富士、ir,摩托羅拉亦己在開發(fā)研制新品種。IGBT功率模塊應用編輯igbt是先進的第三代功率模塊,工作頻率1-20khz,主要應用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路,即dc/ac變換中。例電動汽車、伺服控制器、ups、開關(guān)電源、斬波電源、無軌電車等。問世迄今有十年多歷史,幾乎己替代一切其它功率器件,例,單個元件電壓可達(pt結(jié)構(gòu))一(npt結(jié)構(gòu)),電流可達。IGBT功率模塊注意事項編輯a,柵極與任何導電區(qū)要絕緣,以免產(chǎn)生靜電而擊穿。
對于本領域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明實施例提供的一種igbt器件的結(jié)構(gòu)圖;圖2為本發(fā)明實施例提供的一種電流敏感器件的結(jié)構(gòu)圖;圖3為本發(fā)明實施例提供的一種kelvin連接示意圖;圖4為本發(fā)明實施例提供的一種檢測電流與工作電流的曲線圖;圖5為本發(fā)明實施例提供的一種igbt芯片的結(jié)構(gòu)示意圖;圖6為本發(fā)明實施例提供的另一種igbt芯片的結(jié)構(gòu)示意圖;圖7為本發(fā)明實施例提供的一種igbt芯片的表面結(jié)構(gòu)示意圖;圖8為本發(fā)明實施例提供的另一種igbt芯片的表面結(jié)構(gòu)示意圖;圖9為本發(fā)明實施例提供的另一種igbt芯片的表面結(jié)構(gòu)示意圖;圖10為本發(fā)明實施例提供的另一種igbt芯片的表面結(jié)構(gòu)示意圖;圖11為本發(fā)明實施例提供的另一種igbt芯片的表面結(jié)構(gòu)示意圖;圖12為本發(fā)明實施例提供的另一種igbt芯片的表面結(jié)構(gòu)示意圖;圖13為本發(fā)明實施例提供的另一種igbt芯片的表面結(jié)構(gòu)示意圖;圖14為本發(fā)明實施例提供的另一種igbt芯片的表面結(jié)構(gòu)示意圖;圖15為本發(fā)明實施例提供的一種半導體功率模塊的結(jié)構(gòu)示意圖;圖16為本發(fā)明實施例提供的一種半導體功率模塊的連接示意圖。圖標:1-電流傳感器;10-工作區(qū)域;101-第1發(fā)射極單元。 當開關(guān)頻率很高時:導通的時間相對于很短,所以,導通損耗只能占一小部分。
MOSFET存在導通電阻高的缺點,但IGBT克服了這一缺點,在高壓時IGBT仍具有較低的導通電阻。總的來說,MOSFET優(yōu)點是高頻特性好,可以工作頻率可以達到幾百kHz、上MHz,缺點是導通電阻大在高壓大電流場合功耗較大;而IGBT在低頻及較大功率場合下表現(xiàn),其導通電阻小,耐壓高。選擇MOS管還是IGBT?在電路中,選用MOS管作為功率開關(guān)管還是選擇IGBT管,這是工程師常遇到的問題,如果從系統(tǒng)的電壓、電流、切換功率等因素作為考慮,可以總結(jié)出以下幾點:人們常問:“是MOSFET好還是IGBT好?”其實兩者沒有什么好壞之分,i主要的還是看其實際應用情況。關(guān)于MOSFET與IGBT的區(qū)別,您若還有疑問,可以詳詢冠華偉業(yè)。深圳市冠華偉業(yè)科技有限公司,主要代理WINSOK微碩中低壓MOS管產(chǎn)品,產(chǎn)品用于、LED/LCD驅(qū)動板、馬達驅(qū)動板、快充、、液晶顯示器、電源、小家電、醫(yī)療產(chǎn)品、藍牙產(chǎn)品、電子秤、車載電子、網(wǎng)絡類產(chǎn)品、民用家電、電腦周邊及各種數(shù)碼產(chǎn)品。 34mm封裝(俗稱“窄條”):由于底板的銅極板只有34mm寬。哪里有英飛凌infineonIGBT模塊廠家電話
IGBT屬于功率器件,散熱不好,就會直接燒掉。浙江英飛凌infineonIGBT模塊廠家供應
IGBT模塊旁的續(xù)流二極管續(xù)流二極管二極管通常是指反向并聯(lián)在IGBT模塊兩端的一個二極管,它的作用是在電路中電壓或電流出現(xiàn)突變時,對電路中其它元件起保護作用。如在變頻驅(qū)動電動機運行時,與IGBT并聯(lián)的快恢復二極管使IGBT在關(guān)斷時電動機定子繞組中的儲存的能量能提供一個繼續(xù)流通的路徑,避免激起高壓損壞IGBT。二極管除繼續(xù)流通正向電流外,更重要的反向恢復特性,因為它直接關(guān)系到逆變橋上下臂IGBT換流時的動態(tài)特性。對于感性負載而言,由于感生電壓的存在,在IGBT的S或D極結(jié)點上,總會有流入和流出的電流存在。那個二極管就負責流出電流通路的。從IGBT的結(jié)構(gòu)原理可知,它只能單向?qū)āA硪粋€方向就要借助和它并聯(lián)的二極管實現(xiàn)。電感線圈可以經(jīng)過它給負載提供持續(xù)的電流,以免負載電流突變,起到平滑電流的作用!在IGBT開關(guān)電源中,就能見到一個由二極管和電阻串連起來構(gòu)成的的續(xù)流電路。這個電路與變壓器原邊并聯(lián)當開關(guān)管關(guān)斷時,續(xù)流電路可以釋放掉變壓器線圈中儲存的能量,防止感應電壓過高,擊穿開關(guān)管。電路連接圖IGBT模塊并聯(lián)二極管的使用事項一般選擇快速恢復二極管或者肖特基二極管。 浙江英飛凌infineonIGBT模塊廠家供應