MOSFET存在導通電阻高的缺點,但IGBT克服了這一缺點,在高壓時IGBT仍具有較低的導通電阻。總的來說,MOSFET優點是高頻特性好,可以工作頻率可以達到幾百kHz、上MHz,缺點是導通電阻大在高壓大電流場合功耗較大;而IGBT在低頻及較大功率場合下表現,其導通電阻小,耐壓高。選擇MOS管還是IGBT?在電路中,選用MOS管作為功率開關管還是選擇IGBT管,這是工程師常遇到的問題,如果從系統的電壓、電流、切換功率等因素作為考慮,可以總結出以下幾點:人們常問:“是MOSFET好還是IGBT好?”其實兩者沒有什么好壞之分,i主要的還是看其實際應用情況。關于MOSFET與IGBT的區別,您若還有疑問,可以詳詢冠華偉業。深圳市冠華偉業科技有限公司,主要代理WINSOK微碩中低壓MOS管產品,產品用于、LED/LCD驅動板、馬達驅動板、快充、、液晶顯示器、電源、小家電、醫療產品、藍牙產品、電子秤、車載電子、網絡類產品、民用家電、電腦周邊及各種數碼產品。 第四代IGBT能耐175度的極限高溫。廣東英飛凌infineonIGBT模塊銷售
該電場會阻止P區空穴繼續向N區擴散。倘若我們在發射結添加一個正偏電壓(p正n負),來減弱內建電場的作用,就能使得空穴能繼續向N區擴散。擴散至N區的空穴一部分與N區的多數載流子——電子發生復合,另一部分在集電結反偏(p負n正)的條件下通過漂移抵達集電極,形成集電極電流。值得注意的是,N區本身的電子在被來自P區的空穴復合之后,并不會出現N區電子不夠的情況,因為b電極(基極)會提供源源不斷的電子以保證上述過程能夠持續進行。這部分的理解對后面了解IGBT與BJT的關系有很大幫助。MOSFET:金屬-氧化物-半導體場效應晶體管,簡稱場效晶體管。內部結構(以N-MOSFET為例)如下圖所示。MOSFET內部結構及符號在P型半導體襯底上制作兩個N+區,一個稱為源區,一個稱為漏區。漏、源之間是橫向距離溝道區。在溝道區的表面上,有一層由熱氧化生成的氧化層作為介質,稱為絕緣柵。在源區、漏區和絕緣柵上蒸發一層鋁作為引出電極,就是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。上節我們提到過一句,MOSFET管是壓控器件,它的導通關斷受到柵極電壓的控制。我們從圖上觀察,發現N-MOSFET管的源極S和漏極D之間存在兩個背靠背的pn結,當柵極-源極電壓VGS不加電壓時。 河北代理英飛凌infineonIGBT模塊推薦貨源第五代IGBT命名后綴為5。
該igbt芯片上設置有:工作區域、電流檢測區域和接地區域;其中,igbt芯片還包括第1表面和第二表面,且,第1表面和第二表面相對設置;第1表面上設置有工作區域和電流檢測區域的公共柵極單元,以及,工作區域的第1發射極單元、電流檢測區域的第二發射極單元和第三發射極單元,其中,第三發射極單元與第1發射極單元連接,公共柵極單元與第1發射極單元和第二發射極單元之間通過刻蝕方式進行隔開;第二表面上設有工作區域和電流檢測區域的公共集電極單元;接地區域設置于第1發射極單元內的任意位置處;電流檢測區域和接地區域分別用于與檢測電阻連接,以使檢測電阻上產生電壓,并根據電壓檢測工作區域的工作電流。第二方面,本發明實施例還提供一種半導體功率模塊,半導體功率模塊配置有第1方面的igbt芯片,還包括驅動集成塊和檢測電阻;其中,驅動集成塊與igbt芯片中公共柵極單元連接,以便于驅動工作區域和電流檢測區域工作;以及,還與檢測電阻連接,用于獲取檢測電阻上的電壓。本發明實施例帶來了以下有益效果:本發明實施例提供了igbt芯片及半導體功率模塊,igbt芯片上設置有:工作區域、電流檢測區域和接地區域;其中,igbt芯片還包括第1表面和第二表面,且。
在現代電力電子技術中得到了越來越的應用,在較高頻率的大、率應用中占據了主導地位。IGBT的等效電路如圖1所示。由圖1可知,若在IGBT的柵極和發射極之間加上驅動正電壓,則MOSFET導通,這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態而使得晶體管導通;若IGBT的柵極和發射極之間電壓為0V,則MOS截止,切斷PNP晶體管基極電流的供給,使得晶體管截止。IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型器件,在它的柵極—發射極間施加十幾V的直流電壓,只有在uA級的漏電流流過,基本上不消耗功率。1、IGBT模塊的選擇IGBT模塊的電壓規格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關。其相互關系見下表。使用中當IGBT模塊集電極電流增大時,所產生的額定損耗亦變大。同時,開關損耗增大,使原件發熱加劇,因此,選用IGBT模塊時額定電流應大于負載電流。特別是用作高頻開關時,由于開關損耗增大,發熱加劇,選用時應該降等使用。2、使用中的注意事項由于IGBT模塊為MOSFET結構,IGBT的柵極通過一層氧化膜與發射極實現電隔離。由于此氧化膜很薄,其擊穿電壓一般達到20~30V。因此因靜電而導致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要注意以下幾點:在使用模塊時。 IHV,IHM,PrimePACK封裝(俗稱“黑模塊”):這類模塊的封裝顏色是黑色的,屬于大功率模塊。
晶閘管的正向漏電流比一般硅二極管反向漏電流大,且隨著管子正向陽極電壓升高而增大。當陽極電壓升到足夠大時,會使晶閘管導通,稱為正向轉折或“硬開通”。多次硬開通會損壞管子。2.晶閘管加上正向陽極電壓后,還必須加上觸發電壓,并產生足夠的觸發電流,才能使晶閘管從阻斷轉為導通。觸發電流不夠時,管子不會導通,但此時正向漏電流隨著增大而增大。晶閘管只能穩定工作在關斷和導通兩個狀態,沒有中間狀態,具有雙穩開關特性。是一種理想的無觸點功率開關元件。3.晶閘管一旦觸發導通,門極完全失去控制作用。要關斷晶閘管,必須使陽極電流《維持電流,對于電阻負載,只要使管子陽極電壓降為零即可。為了保證晶閘管可靠迅速關斷,通常在管子陽極電壓互降為零后,加上一定時間的反向電壓。晶閘管主要特性參數1.正反向重復峰值電壓——額定電壓(VDRM、VRRM取其小者)2.額定通態平均電流IT(AV)——額定電流(正弦半波平均值)3.門極觸發電流IGT,門極觸發電壓UGT,(受溫度變化)4.通態平均電壓UT(AV)即管壓降5.維持電流IH與掣住電流IL6.開通與關斷時間晶閘管合格證基本參數IT(AV)=A。 不同封裝形式的IGBT,其實主要就是為了照顧IGBT的散熱。黑龍江進口英飛凌infineonIGBT模塊推薦貨源
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不論漏極-源極電壓VDS之間加多大或什么極性的電壓,總有一個pn結處于反偏狀態,漏、源極間沒有導電溝道,器件無法導通。但如果VGS正向足夠大,此時柵極G和襯底p之間的絕緣層中會產生一個電場,方向從柵極指向襯底,電子在該電場的作用下聚集在柵氧下表面,形成一個N型薄層(一般為幾個nm),連通左右兩個N+區,形成導通溝道,如圖中黃域所示。當VDS>0V時,N-MOSFET管導通,器件工作。了解完以PNP為例的BJT結構和以N-MOSFET為例的MOSFET結構之后,我們再來看IGBT的結構圖↓IGBT內部結構及符號黃塊表示IGBT導通時形成的溝道。首先看黃色虛線部分,細看之下是不是有一絲熟悉之感?這部分結構和工作原理實質上和上述的N-MOSFET是一樣的。當VGE>0V,VCE>0V時,IGBT表面同樣會形成溝道,電子從n區出發、流經溝道區、注入n漂移區,n漂移區就類似于N-MOSFET的漏極。藍色虛線部分同理于BJT結構,流入n漂移區的電子為PNP晶體管的n區持續提供電子,這就保證了PNP晶體管的基極電流。我們給它外加正向偏壓VCE,使PNP正向導通,IGBT器件正常工作。這就是定義中為什么說IGBT是由BJT和MOSFET組成的器件的原因。此外,圖中我還標了一個紅色部分。廣東英飛凌infineonIGBT模塊銷售