整流橋（橋堆）整流橋（橋堆）內部由多個二極管組成，外用絕緣塑料封裝而成，主要作用是整流，調整電流方向。不同的應用場合選擇不同的橋堆，我司可提供普通整流橋、快恢復整流橋、高效恢復整流橋、超快恢復整流橋、肖特基橋等。產品封裝形式有DBF、TO-227、D3K、DBF、ABS、DB-S、DB-M，GBPC、GBU、KBJ、KBL、KBP、KBPC-6、KBPC-8、WOM、GBJ、GBL、GBP、KBPC、KBU、MBF、MBS等，電流高達50A，電壓達從幾百伏至幾千伏，電流可達幾十安培。二極管具有單向導電的特性，在正偏壓下PN結導通，在導通狀態下的電阻很小，約為幾十至幾百歐。上海雙向觸發二極管符號

SiC高壓SBD由于Si和GaAs的勢壘高度和臨界電場比寬帶半導體材料低，用其制作的SBD擊穿電壓較低，反向漏電流較大。碳化硅（SiC）材料的禁帶寬度大(～)，臨界擊穿電場高（2V/cm～4×106V/cm），飽合速度快（2×107cm/s。熱導率高為（cm·K），抗化學腐蝕性強，硬度大，材料制備和制作工藝也比較成熟，是制作高耐壓、低正向壓降和高開關速度SBD的比較理想的新型材料。SBD的正向壓降和反向漏電流直接影響SBD整流器的功率損耗，關系到系統效率。低正向壓降要求有低的肖特基勢壘高度，而較高的反向擊穿電壓要求有盡可能高的勢壘高度，這是相矛盾的。因此，對勢壘金屬必須折衷考慮，故對其選擇顯得十分重要。對N型SiC來說，Ni和Ti是比較理想的肖特基勢壘金屬。由于Ni/SiC的勢壘高度高于Ti/SiC，故前者有更低的反向漏電流，而后者的正向壓降較小。為了獲得正向壓降低和反向漏電流小的SiCSBD，采用Ni接觸與Ti接觸相結合、高/低勢壘雙金屬溝槽（DMT）結構的SiCSBD設計方案是可行的。采用這種結構的SiCSBD，反向特性與Ni肖特基整流器相當，在300V的反向偏壓下的反向漏電流比平面型Ti肖特基整流器小75倍，而正向特性類似于NiSBD。采用帶保護環的6H－SiCSBD，擊穿電壓達550V。 吉林二極管功率鍺二極管，開啟電壓為0.2V，導通電壓UD約為0.3V。

肖特基二極體比較大的缺點是其反向偏壓較低及反向漏電流偏大，像使用硅及金屬為材料的肖特基二極體，其反向偏壓額定耐壓比較高只到50V，而反向漏電流值為正溫度特性，容易隨著溫度升高而急遽變大，實物設計上需注意其熱失控的隱憂。為了避免上述的問題，肖特基二極體實際使用時的反向偏壓都會比其額定值小很多。不過肖特基二極體的技術也已有了進步，其反向偏壓的額定值比較大可以到200V。肖特基二極管分為有引線和表面安裝（貼片式）兩種封裝形式。采用有引線式封裝的肖特基二極管通常作為高頻大電流整流二極管、續流二極管或保護二極管使用。它有單管式和對管（雙二極管）式兩種封裝形式。肖特基對管又有共陰（兩管的負極相連）、共陽（兩管的正極相連）和串聯（一只二極管的正極接另一只二極管的負極）三種管腳引出方式。采用表面封裝的肖特基二極管有單管型、雙管型和三管型等多種封裝形式。

TVS和齊納穩壓管都能用作穩壓，但是齊納擊穿電流更小，大于10V的穩壓只有1mA，相對來說要比齊納二極管擊穿電流要大不少，但是齊納二極管穩壓精度可以做的比較高。在電路中一般工作于反向截止狀態，此時它不影響電路的任何功能。TVS在規定的反向應用條件下，當電路中由于雷電、各種電器干擾出現大幅度的瞬態干擾電壓或脈沖電流時，它在極短的時間內（比較高可達到1×10-12秒）迅速轉入反向導通狀態，并將電路的電壓箝位在所要求的安全數值上，從而有效的保護電子線路中精密元器件免受損壞。干擾脈沖過去后，TVS又轉入反向截止狀態。由于在反向導通時，其箝位電壓低于電路中其它器件的最高耐壓，因此起到了對其它元器件的保護作用。TVS能承受的瞬時脈沖功率可達上千瓦，其箝位時間<1ns[1]。TVS根據極性可分為單向和雙向TVS。單向TVS一般適用于直流電路，雙向TVS一般適用于交流電路中。由于TVS起保護作用時動作迅速、壽命長、使用方便，因此在瞬變電壓防護領域有著非常***的應用。二極管就是由一個PN結加上相應的電極引線及管殼封裝而成的。

    SBD具有開關頻率高和正向壓降低等優點，但其反向擊穿電壓比較低，大多不高于60V，比較高*約100V，以致于限制了其應用范圍。像在開關電源（SMPS）和功率因數校正（PFC）電路**率開關器件的續流二極管、變壓器次級用100V以上的高頻整流二極管、RCD緩沖器電路中用600V～，只有使用快速恢復外延二極管（FRED）和超快速恢復二極管（UFRD）。UFRD的反向恢復時間Trr也在20ns以上，根本不能滿足像空間站等領域用1MHz～3MHz的SMPS需要。即使是硬開關為100kHz的SMPS，由于UFRD的導通損耗和開關損耗均較大，殼溫很高，需用較大的散熱器，從而使SMPS體積和重量增加，不符合小型化和輕薄化的發展趨勢。因此，發展100V以上的高壓SBD，一直是人們研究的課題和關注的熱點。近幾年，SBD已取得了突破性的進展，150V和200V的高壓SBD已經上市，使用新型材料制作的超過1kV的SBD也研制成功，從而為其應用注入了新的生機與活力。 SBD*****的特點為反向恢復時間極短（可以小到幾納秒），正向導通壓降*0.4V左右。上海雙向觸發二極管符號

穩壓管是一種特殊的面接觸型半導體硅二極管，具有穩定電壓的作用。上海雙向觸發二極管符號

熟悉二極管的特性就知道，二極管***的一個特性就是單向導電性。當電流流過二極管處時，由于二極管的單向導電性，阻止了電流流過，此時的負載無法構成回路，對負載電路沒有任何影響。假如沒有這個防電源接反二極管，當電源接反時，此時負載電路構成回路，負載流過的電流與正常情況不一樣，從而導致負載電路燒毀。一般情況下，電路板輸入電源中都會加二極管來防止電源接反時，而燒毀電路板。防反二極管一般接在電源輸入端的正極上，當然也可接在負極上。 上海雙向觸發二極管符號

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