壓敏電阻基本性能：（1）保護特性，當沖擊源的沖擊強（或沖擊電流Isp=Usp/Zs)不超過規定值時，壓敏電阻的限制電壓不允許超過被保護對象所能承受的沖擊耐電壓（Urp）。（2）耐沖擊特性，即壓敏電阻本身應能承受規定的沖擊電流，沖擊能量，以及多次沖擊相繼出現時的平均功率。（3）壽命特性有兩項，一是連續工作電壓壽命，即壓敏電阻在規定環境溫度和系統電壓條件應能可靠地工作規定的時間（小時數）。二是沖擊壽命，即能可靠地承受規定的沖擊的次數。（4）壓敏電阻介入系統后，除了起到"安全閥"的保護作用外，還會帶入一些附加影響，這就是所謂"二次效應"，它不應降低系統的正常工作性能。這時要考慮的因素主要有三項，一是壓敏電阻本身的電容量（幾十到幾萬PF），二是在系統電壓下的漏電流，三是壓敏電阻的非線性電流通過源阻抗的耦合對其他電路的影響。 壓敏電阻的響應時間為ns級。塑封壓敏電阻MOV電性

ZnO壓敏電阻的電性能ZnO壓敏電阻**重要的是其非線性的I-V特性，如圖所示2.3，從功能上看，在電壓值達到稱為擊穿電壓或閥值電壓的數值以前，壓敏電阻接近于絕緣體;而在電壓值超過這個數值以后就成為導體。使ZnO壓敏電阻設計人員感興趣的電性能是:在導電狀態的非線性或者叫非歐姆性，以及穩態工作電壓下的漏電流很小，觀看一下曲線上三個重點的區段，對ZnO壓敏電阻的這些特點就可以更明顯了。曲線可以劃分為三個階段:預擊穿區、非線性區、上升區。貼片壓敏電阻MOV價格壓敏電阻具有多種引線腳型。

壓敏電阻導電機理：晶界由晶粒的邊界線和晶間相共同組成,也稱晶界相。多晶陶瓷的晶界是氣體和離子遷移的快速通道，也是摻雜物聚集的地方。從微觀結構看ZnO晶界層組分和結構的變化常會引起氧化物晶體的能帶畸變，這是在晶界處產生肖特基勢壘的根本原因,從而使ZnO壓敏電阻具有非線性電特性。同時，與氧的平衡壓相對應，晶粒邊界部分發生氧化或還原其空間電荷分布發生變化。具有自發介電極化的晶粒界面電荷在平衡狀態下因獲得離子或電子而中和,這些缺陷將影響ZnO壓敏電阻的穩定性。因此，晶界的性質對ZnO電阻的性能起決定性的使用ZnO壓敏電阻器的壓敏電壓和能量吸收能力以及老化性能等可以通過對晶界的控制而得到改善和提高。

氧化鋅壓敏電阻器的瓷體，屬于半導體，包括了94％-98％的氧化鋅和2-6％的添加劑(例如，氧化鉍、氧化鈷、氧化錳、氧化鎳、氧化銻、氧化硼、氧化鉻、氧化硅等氧化物)。但是，氧化鋅壓敏電阻器的表面電阻率低和存在氧化物顆粒，電鍍時容易產生金屬ni和sn鍍在瓷體上，即產生“爬鍍”現象，從而使兩個端電極短路，導致變阻器成為導體。為避免爬鍍現象的發生，一般需要對瓷體進行表面處理，使其表面絕緣化，且不易產生爬鍍。玻璃包封工藝，是一種常用的表面處理技術，具體是先制備玻璃粉，以玻璃粉為主要成分加入有機添加劑等制備成玻璃漿料，然后通過噴涂設備對產品進行多面多次的噴涂方式在電子元器件上包覆一層絕緣玻璃層。這種方法工藝不僅繁瑣、操作次數多，需要特定的噴涂設備和裝置，而且在噴涂漿料的過程中，容易出現漿料流掛、不均勻的現象，導致后續電鍍出現爬鍍、燒結后產品外觀出現凹坑、粘片、脫落等問題。高分子絕緣材料進行涂覆包裹的方法在實際生產中也需要特定的夾具和設備，操作要求高，對于小型化器件處理不利于操作。顯然，這兩種表面處理的使用方面受到了限制，并不適用于簡單、批量化處理電子元器件。壓敏電阻是一種過壓保護元件，一般用于交流電路浪涌保護。

壓敏電阻基本參數：標稱壓敏電壓(V)：指通過規定持續時間的脈沖電流（一般為1mA持續時間一般小于400mS）時壓敏電阻器兩端的電壓值。2．電壓比：指壓敏電阻器的電流為1mA時產生的電壓值與壓敏電阻器的電流為0.1mA時產生的電壓值之比。3．比較大限制電壓(V)：在壓敏能承受的比較大脈沖峰值電流Ip及規定波形下壓敏電阻兩端電壓峰值。4．殘壓比：通過壓敏電阻器的電流為某一值時，在它兩端所產生的電壓稱為這一電流值的殘壓。殘壓比則是殘壓與標稱電壓之比。5．通流容量(kA)：通流容量也稱通流量，是指在規定的條件（規定的時間間隔和次數，施加標準的沖擊電流）下，允許通過壓敏電阻器上的比較大脈沖（峰值）電流值。6．漏電流(mA)：漏電流也稱等待電流，是指壓敏電阻器在規定的溫度和比較大直流電壓***過壓敏電阻器電流。壓敏電阻可通過并聯的方式來增加整體通流能力。貼片壓敏電阻MOV價格

10D壓敏電阻腳間距一般為7.5mm。塑封壓敏電阻MOV電性

在壓敏電阻各種不同的應用中，要用到I-V特性曲線的所有區段，小電流線性區決定了功耗，即決定外加穩態電壓時的工作電壓。非線性區決定著施加瞬態浪涌時的限制電壓。高電流區的特性**了保護大電流沖擊比如雷電的極限情況。因此對于高電流運用情況，我們希望元件的上升出現在盡可能高的電流密度區段，這樣會使元件電壓上升**小。以下將介紹壓敏電阻器的主要應用參數及其功能。研究表明在室溫下ZnO晶粒的電阻率為()x10m，晶界區的電阻率約為(108~1010Ωm，而晶界的厚度基本是一定的，并且研究表明不同的材料、配方以及不同測定晶界電阻率的測試技術的情況下，所得到的晶界電阻率基本上是很接近的。因此決定壓敏電壓高低的主要因素是元件的尺寸和晶粒的尺寸。晶粒大小是獲得所要求的元件的電壓的構成單元。也就是說，這是壓敏電壓的體積效應。為提高壓敏電壓，只要增加元件尺寸(晶粒尺寸一定)或者減少晶粒尺寸(元件尺寸一定)。對于一個固定的配方，晶粒大小的主要影響因素有:燒結溫度、保溫時間、原料的顆粒度。此外還可以在配方中引入一些新的添加劑，在燒結過程中抑制晶粒的長大或者改變晶界電阻率來提高元件的電壓梯度。塑封壓敏電阻MOV電性