在高頻高速信號(hào)電路中，電路的特征阻抗較低，分布電容和分布電感對(duì)電路的阻抗匹配、信號(hào)質(zhì)量會(huì)產(chǎn)生較大的影響，這要求設(shè)計(jì)的ESD防護(hù)電路具有很小的寄生參數(shù)，對(duì)信號(hào)質(zhì)量和阻抗匹配產(chǎn)生**小的影響，即要保證高頻信號(hào)盡量無損失地通過防護(hù)電路，同時(shí)ESD防護(hù)電路要對(duì)寬頻譜的ESD信號(hào)具有較好的吸收和衰減性能，阻止ESD脈沖進(jìn)入被保護(hù)電路。在中低頻IC內(nèi)部的I/O端口都可以設(shè)計(jì)ESD防護(hù)電路以提高器件的抗ESD能力，但是射頻器件和高速數(shù)字IC內(nèi)部的I/0端口一般無法直接設(shè)計(jì)ESD防護(hù)電路，因?yàn)榉雷o(hù)電路的寄生參數(shù)(主要是結(jié)電容)將影響I/0端口的阻抗匹配、改變器件的頻響特性。在ESD設(shè)計(jì)中，Diode是一種常見的器件。江西BNC接口ESD保護(hù)元件電容

ESD防護(hù)電路對(duì)高頻信號(hào)質(zhì)量的影響與改進(jìn)。ESD防護(hù)電路的引入會(huì)影響電路的信號(hào)傳輸質(zhì)量，使信號(hào)的時(shí)延、頻響、電平等發(fā)生變化。在高頻電路中，防護(hù)電路引起電路參數(shù)的改變而影響電路的阻抗匹配，防護(hù)器件的導(dǎo)通特性也會(huì)引起信號(hào)的衰減、畸變、限幅等效應(yīng)。防護(hù)器件的結(jié)電容、箱位電壓(成導(dǎo)通電壓)是影響高頻信號(hào)質(zhì)量的關(guān)鍵因素。信號(hào)頻率高于1GHz時(shí)，直接采用TVS和開關(guān)二極管作ESD防護(hù)，其結(jié)電容很難滿足線路信號(hào)質(zhì)量的要求，此時(shí)需要采用降低防護(hù)電路并聯(lián)結(jié)電容的措施或采用LC高通濾波器結(jié)構(gòu)。湖北USB TYPE C ESD保護(hù)元件參數(shù)靜電源包裝，出ESD防護(hù)區(qū)的器件必須使用防靜電包裝，以防外界靜電源的影響。

ESD靜電放電機(jī)器模型,機(jī)器模型的等效電路與人體模型相似，但等效電容是200pF，等效電阻為0，機(jī)器模型與人體模型的差異較大，實(shí)際上機(jī)器的儲(chǔ)電電容變化較大，但為了描述的統(tǒng)一，取200pF。由于機(jī)器模型放電時(shí)沒有電阻，且儲(chǔ)電電容大于人體模式，同等電壓對(duì)器件的損害，機(jī)器模式遠(yuǎn)大于人體模型。靜電放電充電器件模型,半導(dǎo)體器件主要采用三種封裝型式(金屬、陶瓷、塑料)。它們?cè)谘b配、傳遞、試驗(yàn)、測(cè)試、運(yùn)輸及存貯過程中，由于管殼與其它絕緣材料(如包裝用的塑料袋、傳遞用的塑料容器等)相互磨擦，就會(huì)使管殼帶電。器件本身作為電容器的一個(gè)極板而存貯電荷。CDM模型就是基于已帶電的器件通過管腳與地接觸時(shí)，發(fā)生對(duì)地放電引起器件失效而建立的。

常見人體帶電過程如下：(1)人從椅子上站起來，或擦拭墻壁等過程(**初的電荷分離發(fā)生在衣物或其他相關(guān)物體外表面，然后，人體由感應(yīng)帶電。(2)人在高電阻率材料制成的地毯等絕緣地板上走動(dòng)(**初的電荷分離發(fā)生在鞋和地板之間，然后，對(duì)于導(dǎo)電性鞋，人體由電荷傳遞而帶電；對(duì)于絕緣鞋，人體是因感應(yīng)而帶電)。(3)脫下外衣時(shí)的靜電。這是發(fā)生在外層衣物與內(nèi)層衣物之間的接觸起電，人體則經(jīng)過電荷傳遞或感應(yīng)而帶電。(4)液體或粉體從人拿著的容器內(nèi)倒出(該液體或粉體把一種極性的電荷帶走，將等量異性的電荷留在人體上。(5)與帶電材料接觸。如對(duì)高度帶電粉體取樣時(shí)的帶電。當(dāng)存在連續(xù)起電過程時(shí)，由于電荷泄漏和放電，使得人體比較高電位被限制在約50kV以下。在中低頻IC內(nèi)部的I/O端口都可以設(shè)計(jì)ESD防護(hù)電路以提高器件的抗ESD能力。

國際電工委員會(huì)(Internationa1日ectrotechnicalCommission，IEC)制定了測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)IEC61000-4-2來評(píng)價(jià)電子設(shè)備的ESD抗擾度等級(jí)。但人們?cè)谘芯快o電放電的危害時(shí)，主要關(guān)心的是靜電放電產(chǎn)生的注入電流對(duì)電火工品、電子器件、電子設(shè)備及其他一些靜電敏感系統(tǒng)的危害，忽視了靜電放電的電磁脈沖效應(yīng)，直到20世紀(jì)90年代初Wilson才***提出ESD過程中產(chǎn)生的輻射場(chǎng)影響。IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)雖幾經(jīng)修改，規(guī)范了ESD模擬器對(duì)水平耦合板和垂直耦合板的放電方式，但沒有關(guān)于ESD輻射場(chǎng)的明確規(guī)定，對(duì)ESD模擬器也*規(guī)定了放電電流的典型波形和4個(gè)關(guān)鍵點(diǎn)參數(shù)。通常被測(cè)設(shè)備(equip—mentundertest，EUT)是易受電磁場(chǎng)影響的。許多學(xué)者在實(shí)際測(cè)試時(shí)發(fā)現(xiàn)，由于ESD模擬器內(nèi)部繼電器與接地回路等因素的影響，符合IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)要求的不同END模擬器所得測(cè)試結(jié)果并不相同。ESD防護(hù)主要采用“過壓防護(hù)”的原理，通過隔離電路、鉗位電路、衰減電路等方式降低ESD的沖擊電壓。山東SD卡ESD保護(hù)元件電壓

ESD靜電保護(hù)元件可以做成陣列式，同時(shí)保護(hù)幾路數(shù)據(jù)線免遭ESD的損壞。江西BNC接口ESD保護(hù)元件電容

現(xiàn)代通信技術(shù)和微電子技術(shù)推動(dòng)半導(dǎo)體器件向微型化、高頻高速、高集成度、微功耗方向發(fā)展，從而促進(jìn)半導(dǎo)體材料和工藝的不斷更新。具有良好高頻特性的GaAsSiGeInGaPInP以及一些新型半導(dǎo)體化合物材料通常屬于ESD高敏感材料:高集成度芯片內(nèi)部的細(xì)引線、小間距、薄膜化使器件尺寸進(jìn)一步縮小，氧化層進(jìn)一步減薄，導(dǎo)致器件抗ESD能力越來越低高速數(shù)字電路、高頻模擬電路普遍使用的CMOS、HBT、MESFET、PHEMT、BiCMOS等工藝，采這些工藝制作的器件明顯具有ESD高敏感特性。IC中的線寬和間距越來越窄(從兒un到0.07m)，電源電壓越來越低(從15V到15V)，IC抗ESD損壞的閾值電壓越來越低。例如，現(xiàn)在通信設(shè)備中大量使用的高速CMOS和BiCMOS器件，采用GaAsFETHBT和PHEMT工藝制作的RFIC和MMIC，使用InGaP、InP材料制作的光器件，高頻芯片中集成的MIM電容等，它們的靜電敏感電壓都在數(shù)百伏，低達(dá)100V，成為ESD高損傷率器件。江西BNC接口ESD保護(hù)元件電容