靜電的危害：對人體：在日常生活中，由于環境干燥、摩擦、穿戴化纖衣物等原因，經常導致身體產生靜電，在與金屬接觸時，會產生疼痛感，給人們帶來較大的心理壓力。有研究表明，當人體長期處于靜電的輻射下時，人會出現精神緊張、焦躁、胸悶等不適癥狀，影響正常的工作和生活。02對工業：比如在加油站，汽油屬于易燃液體，當環境溫度升高或出現異常情況時，油品揮發出的可燃蒸汽與空氣就會形成性混合物。一旦有火花出現，就可能發生火災，甚至，而靜電放電時則恰恰能夠提供火花。由此可見，靜電作為能夠提供火花的一種點火源，且其隱蔽性、潛在性、隨機性和復雜性為油庫火災或危害埋下了重大的安全隱患。ESD脈沖頻譜的高頻信號特征和高頻電路分布參數的嚴格約束使得在高頻電路中防護器件的可選擇性很小。山東USB2.0ESD保護元件應用

降低防護器件結電容的設計方法當防護器件的并聯結電容較大時，將對高頻信號產生“衰耗”作用，此時需要改進防護電路的設計，降低結電容對信號質量的影響。常用的設計方法有;A二極管偏置法二極管結電容隨反向偏升高而降低，對防護一極管施加話當的反向偏壓可適用更高頻率電路。B.二極管串聯法一-兩個相同防護二極管串聯可使接入電容減小一半。C阻抗匹配法一-當防護二極管的結電容太大，可以對防護器件并聯小電感，使之和二極管結電容并聯諧振在工作信號頻率點，這時保護電路對工作頻率呈高阻抗，從而減小對高頻電路四配的影響，并有利于加強防護。山東USB2.0ESD保護元件應用靜電源控制，絕緣材料的靜電通過連接地和等電位連接無法消除，因此必須對敏感器件周邊進行靜電源控制。

ESD防護電路對高頻信號質量的影響與改進。ESD防護電路的引入會影響電路的信號傳輸質量，使信號的時延、頻響、電平等發生變化。在高頻電路中，防護電路引起電路參數的改變而影響電路的阻抗匹配，防護器件的導通特性也會引起信號的衰減、畸變、限幅等效應。防護器件的結電容、箱位電壓(成導通電壓)是影響高頻信號質量的關鍵因素。信號頻率高于1GHz時，直接采用TVS和開關二極管作ESD防護，其結電容很難滿足線路信號質量的要求，此時需要采用降低防護電路并聯結電容的措施或采用LC高通濾波器結構。

MOV具有ns級的快速響應，但是結電容一般在數十pF以上;GDT具有pF級以下的結電容，但是響應時間在數百ns以上;TSS的響應速度很快，可達ps級，其結電容一般也在數十pF以上;TVS的響應速度很快，可達ps級，其結電容目前比較低可以做到兒個pF;快速開關二極管的響應速度與TVS相同，其結電容可達到1pF以下?？梢姡琈OV、GDT和TSS都不能用于高頻電路的ESD防護;TVS可以直接使用在數百MHz的信號接口進行ESD防護，當用于GHz以上的信號接口必須采用降低結電容的措施:低容值的快速開關二極管可以直接或采用降低結電容的優化措施后用于數GHz的信號接口。SCR的高It2使得器件可以以很小的寬度達到芯片的抗ESD要求。

電阻衰減網絡可以采用圖2中(b)的n形結構，也可以采用T型結構。多階LC高通濾波器可以獲得較好的濾波矩形系數，當濾波器截止頻率高于ESD脈沖主能量成分的頻率，可以把絕人部分ESD能量濾除，因此在較高頻率的高頻端口使用LC高通濾波器，可以獲得很好的SD防護效果。電阻衰減網絡和品通濾波器屬于線性無源網絡，不存在響應速度的問題，根據高頻電路阻抗特征進行優良的四配設計也有利于改善高頻接口的駐波性能。為了提高ESD防護效果，ESD防護電路應盡可能靠近高頻端口，而被保護器件應盡量遠離端口，同時應盡可能地減小并聯保護網絡的串聯寄生電感，如圖2(a)中的L1和L2，大的寄生電感將抗拒ESD脈沖電流的快速變化，使ESD電流大部分流入被防護器件。單級防護電路的防護效果不能滿足要求時，可以采用防護二極管、濾波器、衰減器等多級級聯的防護結構。在選用TVS、開關二極管和R/L/C元件設計ESD防護電路時，要注意選用的元件、特別是R/L/C元件的能量承受能力要足夠強，不被ESD脈沖損壞，提高防護電路的可靠性。在中低頻IC內部的I/O端口都可以設計ESD防護電路以提高器件的抗ESD能力。河南USB TYPE C ESD保護元件選型

ESD靜電放電機器模型MM的典型**如帶電絕緣的機器人手臂、車輛、絕緣導體等。山東USB2.0ESD保護元件應用

現代通信技術和微電子技術推動半導體器件向微型化、高頻高速、高集成度、微功耗方向發展，從而促進半導體材料和工藝的不斷更新。具有良好高頻特性的GaAsSiGeInGaPInP以及一些新型半導體化合物材料通常屬于ESD高敏感材料:高集成度芯片內部的細引線、小間距、薄膜化使器件尺寸進一步縮小，氧化層進一步減薄，導致器件抗ESD能力越來越低高速數字電路、高頻模擬電路普遍使用的CMOS、HBT、MESFET、PHEMT、BiCMOS等工藝，采這些工藝制作的器件明顯具有ESD高敏感特性。IC中的線寬和間距越來越窄(從兒un到0.07m)，電源電壓越來越低(從15V到15V)，IC抗ESD損壞的閾值電壓越來越低。例如，現在通信設備中大量使用的高速CMOS和BiCMOS器件，采用GaAsFETHBT和PHEMT工藝制作的RFIC和MMIC，使用InGaP、InP材料制作的光器件，高頻芯片中集成的MIM電容等，它們的靜電敏感電壓都在數百伏，低達100V，成為ESD高損傷率器件。山東USB2.0ESD保護元件應用

上海來明電子有限公司是一家集研發、制造、銷售為一體的****，公司位于靈山路1000弄2號808，成立于2010-08-11。公司秉承著技術研發、客戶優先的原則，為國內{主營產品或行業}的產品發展添磚加瓦。主要經營TVS、ESD、MOV，放電管、保險絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容等產品服務，現在公司擁有一支經驗豐富的研發設計團隊，對于產品研發和生產要求極為嚴格，完全按照行業標準研發和生產。上海來明電子有限公司研發團隊不斷緊跟TVS、ESD、MOV，放電管、保險絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容行業發展趨勢，研發與改進新的產品，從而保證公司在新技術研發方面不斷提升，確保公司產品符合行業標準和要求。上海來明電子有限公司注重以人為本、團隊合作的企業文化，通過保證TVS、ESD、MOV，放電管、保險絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容產品質量合格，以誠信經營、用戶至上、價格合理來服務客戶。建立一切以客戶需求為前提的工作目標，真誠歡迎新老客戶前來洽談業務。