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天津貼片ESD保護元件電壓

來源: 發布時間:2023-01-13

由于這種SCR的觸發要靠Nwell和Pwell結的擊穿來實現,在CMOS工藝中,其擊穿電壓大約有幾十伏,遠高于一般器件的柵氧擊穿電壓,達不到ESD防護的效果。因此對于低壓CMOS芯片而言,SCR的觸發電壓需要通過一些方法降低,以滿足芯片的保護要求。SCR的高It2使得器件可以以很小的寬度達到芯片的抗ESD要求,因此使用SCR器件可以有效的降低由ESD器件帶來的寄生電容,這一點對于RF芯片的ESD設計非常有利。由于這種SCR的觸發要靠Nwell和Pwell結的擊穿來實現,在CMOS工藝中,其擊穿電壓大約有幾十伏,遠高于一般器件的柵氧擊穿電壓,達不到ESD防護的效果。因此對于低壓CMOS芯片而言,SCR的觸發電壓需要通過一些方法降低,以滿足芯片的保護要求。SCR的高It2使得器件可以以很小的寬度達到芯片的抗ESD要求,因此使用SCR器件可以有效的降低由ESD器件帶來的寄生電容,這一點對于RF芯片的ESD設計非常有利。常用的ESD保護器件主要有Diode、Resistor、P/NMOS、BJT、SCR等。天津貼片ESD保護元件電壓

在高頻接口還可以采用電阻衰減網絡和LC濾波電路形成ESD保護。電阻衰減網絡在很寬的頻帶范圍都有較好的適應性,但是它在衰減ESD脈沖的同時,對高頻信號進行同比例衰減,改變了電路系統的增益分配,而且在低噪聲要求的高頻接口不能采用此方法。從圖1的ESD頻譜可見,數百MHz以下的高頻接口很難使用濾波方法實現ESD防護,只有在GHz以上的高頻接口且使用LC高通濾波器才具有可實現性。適用于高頻信號接口的ESD防護電路必須有很小的并聯結電容、較小的串聯電感和很快的響應速度,這對防護器件參數的選取、PCB布局的寄生參數控制、阻抗匹配以及布板面積都有較高的要求,實際實現起來并不簡單。安徽貼片ESD保護元件應用靜電放電可達到高達幾十千伏的放電電壓。

靜電保護元件被廣泛應用于HDMI接口、便攜式視頻設備、LCD等離子電視、USB2.0和IEEE1394接口、GPS系統、便攜設備(PDA、DSC、藍牙)、打印機接口、衛星接收器、DVI、天線等進而改善對敏感電子元件的保護。注意事項編輯 播報1.傳輸速率,也就是電容量的控制,現在隨著工藝的不斷完善,電容量越做越低。2.符合測試要求的標準,不是越高越好,而是適合自已的產品,例如:空氣放電15KV 接觸 8KV。3.設計時考慮PCB板的空間條件。4.安全考慮,yint公司首席技術經理,說過一句很經典的話,在電路中,假如非萬不得已不要增加多余的器件,每增加一個,就是增加失效風險,保護的器件也不例外。ESD器件作為保護器件,它也有失效益機率,所以設計選型時盡量找些資質比較好的供應商。

MOV具有ns級的快速響應,但是結電容一般在數十pF以上;GDT具有pF級以下的結電容,但是響應時間在數百ns以上;TSS的響應速度很快,可達ps級,其結電容一般也在數十pF以上;TVS的響應速度很快,可達ps級,其結電容目前比較低可以做到兒個pF;快速開關二極管的響應速度與TVS相同,其結電容可達到1pF以下。可見,MOV、GDT和TSS都不能用于高頻電路的ESD防護;TVS可以直接使用在數百MHz的信號接口進行ESD防護,當用于GHz以上的信號接口必須采用降低結電容的措施:低容值的快速開關二極管可以直接或采用降低結電容的優化措施后用于數GHz的信號接口。靜電源包裝,出ESD防護區的器件必須使用防靜電包裝,以防外界靜電源的影響。

靜電干擾電流的放電路徑主要有兩條:一條通過外殼流向大地(大部分電流);另一條通過內部PCB流向大地(小部分)。靜電放電電流屬于高頻信號,集膚效應及金屬外殼的低阻抗特性(測試中檢查了金屬外殼的搭接性能,確認良好,如果搭接不好,也將引起額外的干擾,如案例“靜電放電十擾是如何引起的”中描述的那樣)使得大部分的靜電放電干擾電流會從金屬外殼流人大地。既然大部分的靜電放電干擾電流已經通過金屬外殼流人大地,那為什么還會出現ADC的異常工作呢?ADC電路的設計肯定存在較薄弱的環節。檢查電路發現,ADC存在模擬地和數字地,電路設計時為了使數字電路部分的干擾不影響模擬電路部分,在數字地和模擬地之問跨接了磁珠進行隔離。因CMOS使用**為***的工藝之一,所以MOS器件成使用**為普遍的ESD保護器件。福建耳機接口ESD保護元件應用

靜電源控制,絕緣材料的靜電通過連接地和等電位連接無法消除,因此必須對敏感器件周邊進行靜電源控制。天津貼片ESD保護元件電壓

電阻衰減網絡可以采用圖2中(b)的n形結構,也可以采用T型結構。多階LC高通濾波器可以獲得較好的濾波矩形系數,當濾波器截止頻率高于ESD脈沖主能量成分的頻率,可以把絕人部分ESD能量濾除,因此在較高頻率的高頻端口使用LC高通濾波器,可以獲得很好的SD防護效果。電阻衰減網絡和品通濾波器屬于線性無源網絡,不存在響應速度的問題,根據高頻電路阻抗特征進行優良的四配設計也有利于改善高頻接口的駐波性能。為了提高ESD防護效果,ESD防護電路應盡可能靠近高頻端口,而被保護器件應盡量遠離端口,同時應盡可能地減小并聯保護網絡的串聯寄生電感,如圖2(a)中的L1和L2,大的寄生電感將抗拒ESD脈沖電流的快速變化,使ESD電流大部分流入被防護器件。單級防護電路的防護效果不能滿足要求時,可以采用防護二極管、濾波器、衰減器等多級級聯的防護結構。在選用TVS、開關二極管和R/L/C元件設計ESD防護電路時,要注意選用的元件、特別是R/L/C元件的能量承受能力要足夠強,不被ESD脈沖損壞,提高防護電路的可靠性。天津貼片ESD保護元件電壓

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