高溫當TVS器件工作溫度超過其比較大允許工作溫度時，易發生短路失效且通常發生在pn結表面。這是因為，在高溫條件工作下，表面可動離子的數量**增加[5]，表面電流也隨之增大，表面功率密度和溫度比體內高，使pn結邊緣結溫超過200℃，邊緣局部區域晶格遭受致命性的損壞。TVS在高溫反偏篩選中短路失效情況統計表明:高擊穿電壓(150V以上)TVS器件更容易發生短路失效。這是因為在相同額定功率的TVS系列中，在承受相同功率時，高擊穿電壓TVS芯片溫升更高。TVS 的比較大箝位電壓VC 應小于被保護電路的損壞電壓。甘肅600W瞬態抑制二極管封裝

反向擊穿性PN結加反向電壓時，空間電荷區變寬，區中電場增強。反向電壓增大到一定程度時，反向電流將突然增大。如果外電路不能限制電流，則電流會大到將PN結燒毀。反向電流突然增大時的電壓稱擊穿電壓。基本的擊穿機構有兩種，即隧道擊穿（也叫齊納擊穿）和雪崩擊穿，前者擊穿電壓小于6V，有負的溫度系數，后者擊穿電壓大于6V，有正的溫度系數。雪崩擊穿：阻擋層中的載流子漂移速度隨內部電場的增強而相應加快到一定程度時，其動能足以把束縛在共價鍵中的價電子碰撞出來，產生自由電子—空穴對，新產生的載流子在強電場作用下，再去碰撞其它中性原子，又產生新的自由電子—空穴對，如此連鎖反應，使阻擋層中的載流子數量急劇增加，像雪崩一樣。雪崩擊穿發生在摻雜濃度較低的PN結中，阻擋層寬，碰撞電離的機會較多，雪崩擊穿的擊穿電壓高。吉林8000W瞬態抑制二極管將TVS 二極管加在信號及電源線上，能防止微處理器或單片機因瞬間的脈沖。

TVS的瞬態功率一般以8/20us或10/1000us的波形來衡量。8/20us是雷擊浪涌的一種波形通常以內阻2歐姆的一個短路電流波形,上升前沿在8uS,峰值電流下降沿1/2處保持在20uS.即充電1KV輸出500A的電流波形.現在較多的已經是組合波模式,即短路電流波形為8/20uS,開路電壓波形為1.2/50uS..10/1000uS也是一種浪涌波形,以現在執行的標準是短路電流波形與開路電壓波形都需要符合前沿時間10uS半值時間1000uS,內阻10歐姆.即充電1KV輸出100A的電壓及電流波形。

TVS的封裝類型有：2）SMA/DO-214AC封裝：SMAJ系列（400W）、P4SMA系列（400W）、TPSMAJ系列（400W）、SMA6J系列（600W）；3）SMB/DO-214AA封裝：SMBJ系列（600W）、P6SMB系列（600W）、TPSMBJ系列（600W）、SMB10J系列（1000W）、SACB系列、SACA系列；5）SOD-123封裝：SMF系列（200W）、TPSMF系列（200W）、SMF4L系列（400W）；6）DO-41封裝：P4KE系列（400W）；7）DO-15封裝：SA系列（500W）、P6KE系列（600W）、SAC系列；。。。。單向TVS一般適用于直流電路，雙向TVS一般適用于交流電路中。

TVS臺面缺陷造成的失效常常是批次性的。TVS制造工藝過程中造成芯片臺面損傷的原因主要有兩個:1)芯片在酸蝕成型時，由于氫氟酸、硝酸混合液配方過濃或溫度過高而反應劇烈。2、燒焊過后進行堿腐蝕清洗時，腐蝕液濃度過大、溫度過高而造成堿腐蝕清洗過重。臺面缺陷或損傷的TVS器件經過溫度循環和箝位沖擊等篩選試驗后，進行電參數測試時通常表現為短路或擊穿特性異常，從而被剔除。但輕微臺面損傷的TVS器件在篩選后電參數測試時不易被發現，可能被列為良品出廠。這些TVS器件在使用過程中經受長時間熱、電、機械等應力的作用后，臺面缺陷加劇，在缺陷處形成載流子產生-復合中心，使表面反向漏電流**增加。大的表面反向漏電流使pn結邊緣溫度升高，產生熱電綜合效應，**終導致pn結邊緣半導體材料溫度過高燒毀。SMA/DO-214AC封裝的TVS一般有MAJ，P4SMA，TPSMAJ，SMA6J等系列。甘肅600W瞬態抑制二極管封裝

雙向TVS可在正反兩個方向吸收瞬時大脈沖功率，并把電壓箝制到預定水平。甘肅600W瞬態抑制二極管封裝

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