LED是利用注入有源區(qū)的載流子自發(fā)輻射復合發(fā)光，而LD是受激輻射復合發(fā)光。發(fā)光二極管發(fā)出的光子的方向，相位是隨機的，激光二極管發(fā)出的光子是同方向，同相位。LED的**顯著特點是使用壽命長，光電轉換效能高。其原下上在某些半導體材料的PN結中，注入的少數載流子與多數載流子復合時會把多余的能量以光的形式釋放出來，從而把電能直接轉換為光能。LD是激光二極管的英文縮寫，激光二極管的物理架構是在發(fā)光二極管的結間安置一層具有光活性的半導體，其端面經過拋光后具有部分反射功能，因而形成一光諧振腔。半導體雷射二極管的工作原理，理論上與氣體雷射器相同。激光二極管在電腦上的CD光驅，激光印表機中的列印頭等小功率光電裝置中得到了***的應用。二者在原理、架構、效能上的差別。（1）在工作原理上的差別：LED是利用注入有源區(qū)的載流子自發(fā)輻射復合發(fā)光，而LD是受激輻射復合發(fā)光。（2）在架構上的差別：LD有光學諧振腔，使產生的光子在腔內振蕩放大，LED沒有諧振腔。（3）效能上的差別：LED沒有臨界值特徴，光譜密度比LD高幾個數量級，LED匯出光功率小，發(fā)散角大。 常用的高反壓開關二極管有RLS系列（表面封裝）和1SS系列（有引線塑封)。浙江小信號整流二極管電壓

測量雙向觸發(fā)二極管的轉折電壓的方法：先用萬用表測出市電電壓U，然后將被測雙向觸發(fā)二極管串入萬用表的交流電壓測量回路后，接入市電電壓，讀出電壓值U1，再將雙向觸發(fā)二極管的兩極對調連接后并讀出電壓值U2。測量雙向觸發(fā)二極管的轉折電壓的方法：用0~50V連續(xù)可調直流電源，將電源的正極串接1只20kΩ電阻器后與雙向觸發(fā)二極管的一端相接，將電源的負極串接萬用表電流檔（將其置于1mA檔）后與雙向觸發(fā)二極管的另一端相接。逐漸增加電源電壓，當電流表指針有較明顯擺動時（幾十微安以上），則說明此雙向觸發(fā)二極管已導通，此時電源的電壓值即是雙向觸發(fā)二極管的轉折電壓。江蘇二極管作用由于SBD比PN結二極管更容易受熱擊穿，反向漏電流比PN結二極管大。

由于多種原因，當前***使用的是可視激光二極管(英文簡稱"VLD""Visible Laser Diode")。激光二極管的可靠性非常好，壽命要比氦氖激光長幾倍，而且工作電壓很低（通常只有2伏），沒有特殊供電要求。它們的封裝非常小而輕，并且密封堅固。由于耗能非常小，它們可用在直接從計算機甚至電池取電的條形碼讀碼器中。之所以選用可視激光而不是紅外激光，是因為IR類型的掃描儀不能識讀打印在某些特殊材質上的條形碼。盡管條碼本身在人眼看來是暗條打印在淺色背景上，紅外激光與可見光的被吸收程度是不同的。

TVS瞬態(tài)抑制二極管是一種二極管形式的高效能保護器件。當TVS二極管的兩極受到反向瞬態(tài)高能量沖擊時，它能以10的負12次方秒量級的速度，將其兩極間的高阻抗變?yōu)榈妥杩梗崭哌_數千瓦的浪涌功率，使兩極間的電壓箝位于一個預定值，有效地保護電子線路中的精密元器件，免受各種浪涌脈沖的損壞。由于它具有響應速度快、瞬態(tài)功率大、漏電流低、擊穿電壓偏差小、箝位電壓較易控制、無損壞極限、體積小等優(yōu)點，已廣泛應用于計算機系統(tǒng)、通訊設備、交/直流電源、汽車、電子鎮(zhèn)流器、家用電器、儀器儀表（電度表），RS232/422/423/485、I/O、LAN、ISDN、ADSL、USB、MP3、PDAS、GPS、CDMA、GSM、數字照相機的保護、共模/差模保護、RF耦合/IC驅動接收保護、電機電磁波干擾抑制、聲頻/視頻輸入、傳感器/變速器、工控回路、繼電器、接觸器噪音的抑制等各個領域。 高反壓開關二極管的反向擊穿電壓均在220V以上，但其零偏壓電容和反向恢復時間值相對較大。

觸發(fā)二極管又稱雙向觸發(fā)二極管（DIAC）屬三層結構，具有對稱性的二端半導體器件。常用來觸發(fā)雙向可控硅，在電路中作過壓保護等用途。測量雙向觸發(fā)二極管的轉折電壓的方法：將兆歐表的正極（E）和負極（L）分別接雙向觸發(fā)二極管的兩端，用兆歐表提供擊穿電壓，同時用萬用表的直流電壓檔測量出電壓值，將雙向觸發(fā)二極管的兩極對調后再測量一次。比較一下兩次測量的電壓值的偏差（一般為3~6V）。此偏差值越小，說明此二極管的性能越好。 當發(fā)光二極管正向偏置通過電流時會發(fā)出光來，這是由于電子與空穴直接復合時放出能量的結果。浙江小信號整流二極管電壓

開關二極管從截止（高阻狀態(tài)）到導通（低阻狀態(tài)）的時間叫開通時間。浙江小信號整流二極管電壓

新型高壓SBD的結構和材料與傳統(tǒng)SBD是有區(qū)別的。傳統(tǒng)SBD是通過金屬與半導體接觸而構成。由于電子比空穴遷移率大，為獲得良好的頻率特性，故選用N型半導體材料作為基片。為了減小SBD的結電容，提高反向擊穿電壓，同時又不使串聯(lián)電阻過大，通常是在N+襯底上外延一高阻N－薄層。大家知道，金屬導體內部有大量的導電電子。當金屬與半導體接觸（二者距離只有原子大小的數量級）時，金屬的費米能級低于半導體的費米能級。在金屬內部和半導體導帶相對應的分能級上，電子密度小于半導體導帶的電子密度。因此，在二者接觸后，電子會從半導體向金屬擴散，從而使金屬帶上負電荷，半導體帶正電荷。由于金屬是理想的導體，負電荷只分布在表面為原子大小的一個薄層之內。而對于N型半導體來說，失去電子的施主雜質原子成為正離子，則分布在較大的厚度之中。電子從半導體向金屬擴散運動的結果，形成空間電荷區(qū)、自建電場和勢壘，并且耗盡層只在N型半導體一邊（勢壘區(qū)全部落在半導體一側）。勢壘區(qū)中自建電場方向由N型區(qū)指向金屬，隨熱電子發(fā)射自建場增加，與擴散電流方向相反的漂移電流增大，**終達到動態(tài)平衡，在金屬與半導體之間形成一個接觸勢壘，這就是肖特基勢壘。浙江小信號整流二極管電壓

上海來明電子有限公司是一家一般項目: 電子產品、電子元器件、電動工具、機電設備、儀器儀表、通訊器材(除衛(wèi)星電視廣播地面接收設施)、音響設備及器材、金屬材料、日用百貨的銷售，電子元器件的制造。加工(以上限分支機構經營)。(除依法須經批準的項目外。憑營業(yè)執(zhí)照依法自主開展經營活動) 許可項目: 貨物進出口;技術進出口:進出口代理。(依法須經批準的項目，經相關部門批準后方可開展經營活動，具體經營項目以相關部門批準文件或許可證件為準)的公司，致力于發(fā)展為創(chuàng)新務實、誠實可信的企業(yè)。公司自創(chuàng)立以來，投身于TVS、ESD、MOV，放電管、保險絲、繼電器，二三極管MOS管、晶振，NTC，PPTC，電容，是電子元器件的主力軍。來明電子致力于把技術上的創(chuàng)新展現(xiàn)成對用戶產品上的貼心，為用戶帶來良好體驗。來明電子始終關注自身，在風云變化的時代，對自身的建設毫不懈怠，高度的專注與執(zhí)著使來明電子在行業(yè)的從容而自信。