電路振蕩過程：接通電源后，三極管VT導通，有變化Ic電流流過VT，它包含著微弱的0～∞各種頻率的信號。這些信號加到C1、C2、X1構成的選頻電路，選頻電路從中選出f0信號，在X1、C1、C2兩端有f0信號電壓，取C2兩端的f0信號電壓反饋到VT的基-射極之間進行放大，放大后輸出信號又加到選頻電路，C1、C2兩端的信號電壓增大，C2兩端的電壓又送到VT基-射極，如此反復進行，VT輸出的信號越來越大，而VT放大電路的放大倍數逐漸減小，當放大電路的放大倍數與反饋電路的衰減系數相等時，輸出信號幅度保持穩定，不會再增大，該信號再送到其他的電路。在通常工作條件下，普通的晶振頻率***精度可達百萬分之五十。湖南高負載電容型晶振可調性

晶振振動模式與頻率關系：基頻1～35MHz3次泛音10～75MHz5次泛音50～150MHz7次泛音100～200MHz9次泛音150～250MHz2、晶體電阻：對于同一頻率，當工作在高次泛音振動時其電阻值將比工作在低次振動時大。"信號源+電平表"功能由網絡分析儀完成Ri、R0：儀器內阻：一般為50ΩR1--濾波器輸入端外接阻抗，阻抗值為匹配阻抗減去50Ω。R2--濾波器輸出端外接阻抗，阻抗值為匹配阻抗減去50Ω。晶振振動模式與頻率關系：基頻1～35MHz3次泛音10～75MHz5次泛音50～150MHz7次泛音100～200MHz9次泛音150～250MHz2、晶體電阻：對于同一頻率，當工作在高次泛音振動時其電阻值將比工作在低次振動時大。"信號源+電平表"功能由網絡分析儀完成Ri、R0：儀器內阻：一般為50ΩR1--濾波器輸入端外接阻抗，阻抗值為匹配阻抗減去50Ω。R2--濾波器輸出端外接阻抗，阻抗值為匹配阻抗減去50Ω。河南陶瓷封裝型晶振負載晶振具有壓電效應，即在晶片兩極外加電壓后晶體會產生變形，如外力使晶片變形，兩極上金屬片又會產生電壓。

開機特性（頻率穩定預熱時間）：指開機后一段時間（如5分鐘）的頻率到開機后另一段時間（如1小時）的頻率的變化率，表示了晶振達到穩定的速度。頻率老化率：在恒定的環境條件下測量振蕩器頻率時，振蕩器頻率和時間之間的關系。這種長期頻率漂移是由晶體元件和振蕩器元件的緩慢變化造成的。因此，其頻率偏移的速率叫老化率，可用規定時限后的比較大變化率（如±10ppb/天，加電72小時后），或規定的時限內比較大的總頻率變化（如：±1ppm/（***年）和±5ppm/（十年））來表示。

無源晶振是有2個引腳的無極性元件需要借助于時鐘電路才能產生振蕩信號，自身無法振蕩起來無源晶振需要用DSP片內的振蕩器，在datasheet上有建議的連接方法。無源晶振沒有電壓的問題，信號電平是可變的，也就是說是根據起振電路來決定的，同樣的晶振可以適用于多種電壓，可用于多種不同時鐘信號電壓要求的DSP，而且價格通常也較低，因此對于一般的應用如果條件許可建議用晶體，這尤其適合于產品線豐富批量大的生產者。無源晶振相對于晶振而言其缺陷是信號質量較差，通常需要精確匹配外圍電路（用于信號匹配的電容、電感、電阻等），更換不同頻率的晶體時周邊配置電路需要做相應的調整。使用時建議采用精度較高的石英晶體，盡可能不要采用精度低的陶瓷晶體。具有年產各類晶振2億只的能力。是目前國內產量比較大的音叉諧振器生產廠家之一。

判斷反饋電路的類型，因為信號是反饋到VT1發射極，現假設VT1發射極電壓瞬時極性為“+”，集電極電壓極性為“+”（發射極與集電極是同相關系，當發射極電壓上升時集電極電壓也上升），VT2的基極電壓極性為“+”，發射極電壓極性也為“+”，該極性的電壓通過X1反饋到VT1的發射極，反饋電壓極性與假設的電壓極性相同，故該反饋為正反饋。接通電源后，三極管VT1、VT2導通，VT2發射極輸出變化的Ie電流中包含各種頻率的信號，石英晶體X1對其中的f0信號阻抗很小，f0信號經X1、RP1反饋到VT1的發射極，該信號經VT1放大后從集電極輸出，又加到VT2放大后從發射極輸出，然后又通過X1反饋到VT1放大，如此反復進行，VT2輸出的f0信號幅度越來越大，VT1、VT2組成的放大電路放大倍數越來越小，當放大倍數等于反饋衰減系數時，輸出f0信號幅度不再變化，電路輸出穩定的f0信號。如果給晶片加上適當的交變電壓，晶片就會產生諧振。河南普通型晶振相噪

陶瓷晶振芯片和電路不受周圍環境影響，絕緣性和氣密性好，其氣密性能滿足高密封的高要求。湖南高負載電容型晶振可調性

有一些電子設備需要頻率高度穩定的交流信號，而LC振蕩器穩定性較差，頻率容易漂移（即產生的交流信號頻率容易變化）。在振蕩器中采用一個特殊的元件——石英晶體，可以產生高度穩定的信號，這種采用石英晶體的振蕩器稱為晶體振蕩器。1.外形、結構與圖形符號在石英晶體上按一定方位切下薄片，將薄片兩端拋光并涂上導電的銀層，再從銀層上連出兩個電極并封裝起來，這樣構成的元件叫石英晶體諧振器，簡稱石英晶體。石英晶振封裝按生產工藝可以劃分為：Seam金屬封裝，Glass玻璃封裝，Resistance Welded 電阻焊，沖壓；湖南高負載電容型晶振可調性

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