功率型NTC熱敏電阻多用于電源抑制浪涌。抑制浪涌用NTC熱敏電阻器，是一種大功率的圓片式熱敏電阻器，常用于有電容器、加熱器和馬達啟動的電子電路中。在電路電源接通瞬間，電路中會產生比正常工作時高出許多倍的浪涌電流，而NTC熱敏電阻器的初始阻值較大，可以抑制電路中過大的電流，從而保護其電源電路及負載。當電路進入正常工作狀態時，熱敏電阻器由于通過電流而引起阻體溫度上升，NTC電阻值下降至很小，不會影響電路的正常工作。面積和厚度較小的熱敏電阻恢復相對較快；而面積和厚度較大的熱敏電阻恢復相對較慢。寧夏插件熱敏電阻參數

環境溫度對高分子PTC熱敏電阻的影響高分子PTC熱敏電阻是一種直熱式、階躍型熱敏電阻，其電阻變化過程與自身的發熱和散熱情況有關，因而其維持電流（ihold）、動作電流（itrip）及動作時間受環境溫度影響。當環境溫度和電流處于a區時，熱敏電阻發熱功率大于散熱功率而會動作；當環境溫度和電流處于b區時發熱功率小于散熱功率，高分子PTC熱敏電阻由于電阻可恢復，因而可以重復多次使用。圖6為熱敏電阻動作后，恢復過程中電阻隨時間變化的示意圖。電阻一般在十幾秒到幾十秒中即可恢復到初始值1.6倍左右的水平，此時熱敏電阻的維持電流已經恢復到額定值，可以再次使用了。面積和厚度較小的熱敏電阻恢復相對較快；而面積和厚度較大的熱敏電阻恢復相對較慢。貴州溫度傳感型熱敏電阻廠家工作溫度范圍寬，常溫器件-55℃～315℃，高溫器件大于315℃，低溫器件-273℃～-55℃。

⑥額定功率PM：在規定的技術條件下，熱敏電阻器長期連續負載所允許的耗散功率。在實際使用時不得超過額定功率。若熱敏電阻器工作的環境溫度超過25℃，則必須相應降低其負載。⑦額定工作電流IM：熱敏電阻器在工作狀態下規定的名義電流值。⑧測量功率Pc：在規定的環境溫度下，熱敏電阻體受測試電流加熱而引起的阻值變化不超過0.1%時所消耗的電功率。⑨最大電壓：對于NTC熱敏電阻器，是指在規定的環境溫度下，不使熱敏電阻器引起熱失控所允許連續施加的比較大直流電壓；對于PTC熱敏電阻器，是指在規定的環境溫度和靜止空氣中，允許連續施加到熱敏電阻器上并保證熱敏電阻器正常工作在PTC特性部分的比較大直流電壓。⑩最高工作溫度Tmax：在規定的技術條件下，熱敏電阻器長期連續工作所允許的最高溫度。

NTC熱敏電阻的電阻雖溫度變化的行為一般用Arrhenius公式來描述:ρ=ρ0exp(Ea/kT)。在實際使用中一般使用兩個基本電學參數來表示NTC熱敏電阻的電學參數：(1)ρ25°C，即25°C時的電阻率；(2)B值，定義為B=Ea/k，它表示電阻值隨溫度變化而變化的程度。在NTC熱敏電阻的實際使用過程中，通常要求提供生產企業提供不同參數的電阻值和B值產品，這就需要對陶瓷芯片的配方進行調整和設計，因此開發出了不同組成的材料體系。常見的材料體系有Ni-Mn-O、Cu-Mn-O、Co-Mn-O二元系及在此基礎上添加其它元素組成的三元甚至多元體系。這些材料體系在一定的成份范圍內和溫度下均可以形成以尖晶石結構為主晶相的陶瓷燒結體，且其電阻值和熱敏常數B值在一定的范圍內變化可調。這些豐富的材料體系為工業上不同型號的NTC熱敏電阻的實際生產提供了充分而多樣的配方設計保證。熱敏電阻是一種傳感器電阻，其電阻值隨著溫度的變化而改變。

NTC負溫度系數熱敏電阻構成NTC（NegativeTemperatureCoefficient）是指隨溫度上升電阻呈指數關系減小、具有負溫度系數的熱敏電阻現象和材料．該材料是利用錳、銅、硅、鈷、鐵、鎳、鋅等兩種或兩種以上的金屬氧化物進行充分混合、成型、燒結等工藝而成的半導體陶瓷，可制成具有負溫度系數（NTC）的熱敏電阻．其電阻率和材料常數隨材料成分比例、燒結氣氛、燒結溫度和結構狀態不同而變化．現在還出現了以碳化硅、硒化錫、氮化鉭等為**的非氧化物系NTC熱敏電阻材料。NTC熱敏半導瓷大多是尖晶石結構或其他結構的氧化物陶瓷，具有負的溫度系數，電阻值可近似表示為：式中RT、RT0分別為溫度T、T0時的電阻值，Bn為材料常數．陶瓷晶粒本身由于溫度變化而使電阻率發生變化，這是由半導體特性決定的。NTC已被***用于溫度測量與控制、穩壓、補償、抑制浪涌電流以及流量流速測量等諸多領域。負溫度系數熱敏電阻電壓

功率型NTC熱敏電阻多用于電源抑制浪涌。寧夏插件熱敏電阻參數

電子跳躍模型(electronhoppingmodel)是目前在Ni-Mn-O系NTC熱敏陶瓷中被***認可和接受的導電機理。該模型認為在該體系中電子導電存在兩個條件：(1)金屬離子的價態是可以變價的；(2)變價的金屬離子在晶體學中占據相同的位置。對于Ni-Mn-O材料體系而言，一般都含有可變價的Mn離子，存在+4、+3、+2等諸多價態，其中Mn4++和Mn3+離子一般傾向于進入尖晶石結構中的B位，而Mn2+離子則會傾向進入A位。在尖晶石結構中，由于B-B位之間的距離略小于A-A位之間的距離，所以電子會在距離較短的B位Mn4+離子和Mn3+離子之間進行跳躍，產生跳約導電。寧夏插件熱敏電阻參數

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