穩壓二極管，是指利用PN結反向擊穿狀態，其電流可在很大范圍內變化而電壓基本不變的現象，制成的起穩壓作用的二極管。，穩壓二極管的伏安特性曲線的正向特性和普通二極管差不多，反向特性是在反向電壓低于反向擊穿電壓時，反向電阻很大，反向漏電流極小。但是，當反向電壓臨近反向電壓的臨界值時，反向電流驟然增大，稱為擊穿，在這一臨界擊穿點上，反向電阻驟然降至很小值。盡管電流在很大的范圍內變化，而二極管兩端的電壓卻基本上穩定在擊穿電壓附近，從而實現了二極管的穩壓功能。 SBD適用于在非常高的頻率下（如X波段、C波段、S波段和Ku波段）用于檢波和混頻。江西瞬態電壓抑制二極管原理

    SBD具有開關頻率高和正向壓降低等優點，但其反向擊穿電壓比較低，大多不高于60V，比較高*約100V，以致于限制了其應用范圍。像在開關電源（SMPS）和功率因數校正（PFC）電路**率開關器件的續流二極管、變壓器次級用100V以上的高頻整流二極管、RCD緩沖器電路中用600V～，只有使用快速恢復外延二極管（FRED）和超快速恢復二極管（UFRD）。UFRD的反向恢復時間Trr也在20ns以上，根本不能滿足像空間站等領域用1MHz～3MHz的SMPS需要。即使是硬開關為100kHz的SMPS，由于UFRD的導通損耗和開關損耗均較大，殼溫很高，需用較大的散熱器，從而使SMPS體積和重量增加，不符合小型化和輕薄化的發展趨勢。因此，發展100V以上的高壓SBD，一直是人們研究的課題和關注的熱點。近幾年，SBD已取得了突破性的進展，150V和200V的高壓SBD已經上市，使用新型材料制作的超過1kV的SBD也研制成功，從而為其應用注入了新的生機與活力。 云南快恢復二極管作用二極管是電路中基本的電子元器件。

整流橋（橋堆）整流橋（橋堆）內部由多個二極管組成，外用絕緣塑料封裝而成，主要作用是整流，調整電流方向。不同的應用場合選擇不同的橋堆，我司可提供普通整流橋、快恢復整流橋、高效恢復整流橋、超快恢復整流橋、肖特基橋等。產品封裝形式有DBF、TO-227、D3K、DBF、ABS、DB-S、DB-M，GBPC、GBU、KBJ、KBL、KBP、KBPC-6、KBPC-8、WOM、GBJ、GBL、GBP、KBPC、KBU、MBF、MBS等，電流高達50A，電壓達從幾百伏至幾千伏，電流可達幾十安培。

典型的肖特基整流管的內部電路結構是以N型半導體為基片，在上面形成用砷作摻雜劑的N-外延層。陽極使用鉬或鋁等材料制成阻檔層。用二氧化硅（SiO2）來消除邊緣區域的電場，提高管子的耐壓值。N型基片具有很小的通態電阻，其摻雜濃度較H-層要高100%倍。在基片下邊形成N+陰極層，其作用是減小陰極的接觸電阻。通過調整結構參數，N型基片和陽極金屬之間便形成肖特基勢壘，如圖1所示。當在肖特基勢壘兩端加上正向偏壓（陽極金屬接電源正極，N型基片接電源負極）時，肖特基勢壘層變窄，其內阻變??；反之，若在肖特基勢壘兩端加上反向偏壓時，肖特基勢壘層則變寬，其內阻變大。 硅二極管的正向導通壓降約為0.6~0.8V。

    變容二極管(VaractorDiodes)又稱"可變電抗二極管"，是利用PN結反偏時結電容大小隨外加電壓而變化的特性制成的。反偏電壓增大時結電容減小、反之結電容增大，變容二極管的電容量一般較小，其比較大值為幾十pF到幾百pF，比較大電容與**小電容之比約為5:1。它主要在高頻電路中用作自動調諧、調頻、調相等、例如在電視接收機的調諧回路中作可變電容。變容二極管的作用是利用PN結之間電容可變的原理制成的半導體器件，在高頻調諧、通信等電路中作可變電容器使用。圖2變容二極管與反向偏壓變容二極管屬于反偏壓二極管，改變其PN結上的反向偏壓，即可改變PN結電容量。反向偏壓越高，結電容則越少，反向偏壓與結電容之間的關系是非線性的，如圖2所示。2、變容二極管的電容值與反向偏壓值的關系圖解：(a)反向偏壓增加，造成電容減少；(b)反向偏壓減少，造成電容增加。電容誤差范圍是一個規定的變容二極管的電容量范圍。數據表將顯示**小值、標稱值及比較大值，這些經常繪在圖上。 發光二極管在汽車以及大型機械中得到廣泛應用。陜西發光二極管正負

因紅外發光二極管呈透明狀，所以管殼內的電極清晰可見。江西瞬態電壓抑制二極管原理

二極管是用半導體材料(硅、硒、鍺等)制成的一種電子器件，它具有單向導電性能，在各種電子電路中，利用二極管和電阻、電容、電感等元器件進行合理的連接，構成不同功能的電路，可以實現對交流電整流、對調制信號檢波、限幅和鉗位以及對電源電壓的穩壓等多種功能。我們可提供的二極管類型有：普通整流二極管，快恢復二極管，高效整流二極管、超快恢復二極管、肖特基二極管、瞬態抑制二極管、穩壓二極管，開關二極管、觸發二極管等。江西瞬態電壓抑制二極管原理

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