TVS瞬態抑制二極管是一種二極管形式的高效能保護器件。當TVS二極管的兩極受到反向瞬態高能量沖擊時，它能以10的負12次方秒量級的速度，將其兩極間的高阻抗變為低阻抗，吸收高達數千瓦的浪涌功率，使兩極間的電壓箝位于一個預定值，有效地保護電子線路中的精密元器件，免受各種浪涌脈沖的損壞。由于它具有響應速度快、瞬態功率大、漏電流低、擊穿電壓偏差小、箝位電壓較易控制、無損壞極限、體積小等優點，已廣泛應用于計算機系統、通訊設備、交/直流電源、汽車、電子鎮流器、家用電器、儀器儀表（電度表），RS232/422/423/485、I/O、LAN、ISDN、ADSL、USB、MP3、PDAS、GPS、CDMA、GSM、數字照相機的保護、共模/差模保護、RF耦合/IC驅動接收保護、電機電磁波干擾抑制、聲頻/視頻輸入、傳感器/變速器、工控回路、繼電器、接觸器噪音的抑制等各個領域。 肖特基對管又有共陰、共陽和串聯三種管腳引出方式。吉林硅二極管特性

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通常用肖特基二極管作為防反二級管。肖特基二極管，是功耗低、超高速的半導體器件。其*****特點是反向恢復時間極短（可以小到幾納秒），正向導通壓降。其主要用于高頻、低壓、大電流整流二極管、續流二極管、保護二極管，也有在微波通信等電路中作整流二極管、小信號檢波二極管使用。在變頻器、通信電源等應用中比較常見。插件二極管封裝類型有：DO-27、TO-252、DO-41、DO-15、DO-201、R-6、DO-35、DO-41G、TO-220AB等。貼片二極管封裝類型有：SOD-523SOT-416SOD-323SOT-323SOT-343SOT-353SOT-363SOT-23SOT-346SC-61ASC-74ASOT-457SOD-123。DO-213AA(LL-34)SOD-106DO-214ACDO-213ABDO-214DO-214AADO-214AB。

SiC高壓SBD由于Si和GaAs的勢壘高度和臨界電場比寬帶半導體材料低，用其制作的SBD擊穿電壓較低，反向漏電流較大。碳化硅（SiC）材料的禁帶寬度大(～)，臨界擊穿電場高（2V/cm～4×106V/cm），飽合速度快（2×107cm/s。熱導率高為（cm·K），抗化學腐蝕性強，硬度大，材料制備和制作工藝也比較成熟，是制作高耐壓、低正向壓降和高開關速度SBD的比較理想的新型材料。SBD的正向壓降和反向漏電流直接影響SBD整流器的功率損耗，關系到系統效率。低正向壓降要求有低的肖特基勢壘高度，而較高的反向擊穿電壓要求有盡可能高的勢壘高度，這是相矛盾的。因此，對勢壘金屬必須折衷考慮，故對其選擇顯得十分重要。對N型SiC來說，Ni和Ti是比較理想的肖特基勢壘金屬。由于Ni/SiC的勢壘高度高于Ti/SiC，故前者有更低的反向漏電流，而后者的正向壓降較小。為了獲得正向壓降低和反向漏電流小的SiCSBD，采用Ni接觸與Ti接觸相結合、高/低勢壘雙金屬溝槽（DMT）結構的SiCSBD設計方案是可行的。采用這種結構的SiCSBD，反向特性與Ni肖特基整流器相當，在300V的反向偏壓下的反向漏電流比平面型Ti肖特基整流器小75倍，而正向特性類似于NiSBD。采用帶保護環的6H－SiCSBD，擊穿電壓達550V。 晶體二極管為一個由P型半導體和N型半導體形成的PN結，在其界面處兩側形成空間電荷層，并建有自建電場。

測量雙向觸發二極管的轉折電壓的方法：先用萬用表測出市電電壓U，然后將被測雙向觸發二極管串入萬用表的交流電壓測量回路后，接入市電電壓，讀出電壓值U1，再將雙向觸發二極管的兩極對調連接后并讀出電壓值U2。測量雙向觸發二極管的轉折電壓的方法：用0~50V連續可調直流電源，將電源的正極串接1只20kΩ電阻器后與雙向觸發二極管的一端相接，將電源的負極串接萬用表電流檔（將其置于1mA檔）后與雙向觸發二極管的另一端相接。逐漸增加電源電壓，當電流表指針有較明顯擺動時（幾十微安以上），則說明此雙向觸發二極管已導通，此時電源的電壓值即是雙向觸發二極管的轉折電壓。鍺二極管，開啟電壓為0.2V，導通電壓UD約為0.3V。黑龍江小信號整流二極管電路圖

二極管反向擊穿按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。吉林硅二極管特性

1.激光二極管發射的激光有可能對人眼造成傷害。二極管工作時，嚴禁直接注視其端面，不能透過鏡片直視激光，也不能透過反視鏡觀察激光。2.器件需要合適的驅動電源，瞬時反向電流不能超過2uA，反向電壓不得超過3V,否則會損壞器件。驅動電源子在電源通斷時，要防止浪涌電流的措施。用示波器測試驅動電路時，要先斷開電源再連接示波器探頭，若在通電情況下測試探頭，可能引用浪涌電流損壞器件。3.器件應存放或工作于干凈的環境中。4.在較高溫度下工作，會增大閥值電流，較低轉化頻率，加速器件的老化。在調整光輸入量時，要用光功率表檢測，防止超過大額定輸出。5.輸出功率高于指定參數工作，會加速元件老化。6.機器需要充分散熱或在制冷條件下使用，激光二極管的溫度嚴格控制在20度以下，保證壽命。7.二極管屬于靜電敏感器件，在人體有良好的情況下才可以拿取，防靜電可以采用防靜電手鐲的方法。8.激光器的輸出波長受工作電流與散熱的影響，要保持良好的散熱條件，降低工作時管芯的溫度。加散熱器防止激光二極管在工作中溫升過高。吉林硅二極管特性

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