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天津3000W瞬態抑制二極管功率計算

來源: 發布時間:2023-02-08

熱電擊穿:當pn結施加反向電壓時,流過pn結的反向電流要引起熱損耗。反向電壓逐漸增大時,對于一定的反向電流所損耗的功率也增大,這將產生大量熱量。如果沒有良好的散熱條件使這些熱能及時傳遞出去,則將引起結溫上升。這種由于熱不穩定性引起的擊穿,稱為熱電擊穿。擊穿電壓的溫度特性:溫度升高后,晶格振動加劇,致使載流子運動的平均自由路程縮短,碰撞前動能減小,必須加大反向電壓才能發生雪崩擊穿具有正的溫度系數,但溫度升高,共價鍵中的價電子能量狀態高,從而齊納擊穿電壓隨溫度升高而降低,具有負的溫度系數。利用TVS 二極管,可有效吸收會造成器件損壞的脈沖,并能消除由總線之間開關所引起的干擾。天津3000W瞬態抑制二極管功率計算

TVS的封裝類型有:2)SMA/DO-214AC封裝:SMAJ系列(400W)、P4SMA系列(400W)、TPSMAJ系列(400W)、SMA6J系列(600W);3)SMB/DO-214AA封裝:SMBJ系列(600W)、P6SMB系列(600W)、TPSMBJ系列(600W)、SMB10J系列(1000W)、SACB系列、SACA系列;5)SOD-123封裝:SMF系列(200W)、TPSMF系列(200W)、SMF4L系列(400W);6)DO-41封裝:P4KE系列(400W);7)DO-15封裝:SA系列(500W)、P6KE系列(600W)、SAC系列;。。。。浙江8000W瞬態抑制二極管應用要減少 TVS 短路失效,首先應加強 TVS 制造工藝過程的控制,以減少或消除 TVS 的固有缺陷。

PN結構成了幾乎所有半導體功率器件的基礎,常用的半導體功率器件如DMOS,IGBT,SCR等的反向阻斷能力都直接取決于PN結的擊穿電壓,因此,PN結反向阻斷特性的優劣直接決定了半導體功率器件的可靠性及適用范圍。在PN結兩邊摻雜濃度為固定值的條件下,一般認為除superjunction之外平行平面結的擊穿電壓在所有平面結中具有比較高的擊穿電壓。實際的功率半導體器件的制造過程一般會在PN結的邊緣引入球面或柱面邊界,該邊界位置的擊穿電壓低于平行平面結的擊穿電壓,使功率半導體器件的擊穿電壓降低。由此產生了一系列的結終端技術來消除或減弱球面結或柱面結的曲率效應,使實際制造出的PN結的擊穿電壓接近或等于理想的平行平面結擊穿電壓。

TVS是一種二極管形式的高效能保護器件。當TVS二極管的兩極受到反向瞬態高能量沖擊時,它能以10的負12次方秒量級的速度,將其兩極間的高阻抗變為低阻抗,吸收高達數千瓦的浪涌功率,使兩極間的電壓箝位于一個預定值,有效地保護電子線路中的精密元器件,免受各種浪涌脈沖的損壞。由于它具有響應速度快、瞬態功率大、漏電流低、擊穿電壓偏差小、箝位電壓較易控制、無損壞極限、體積小等優點,被廣泛應用于各類電子電路中浪涌保護或靜電保護。將TVS 二極管放置在信號線及接地間,能避免數據及控制總線受到不必要的噪聲影響。

比較大峰值脈沖功耗PMPM是TVS能承受的比較大峰值脈沖耗散功率。其規定的試驗脈沖波形和各種TVS的PM值,請查閱有關產品手冊。在給定的比較大箝位電壓下,功耗PM越大,其浪涌電流的承受能力越大;在給定的功耗PM下,箝位電壓VC越低,其浪涌電流的承受能力越大。另外,峰值脈沖功耗還與脈沖波形、持續時間和環境溫度有關。而且TVS所能承受的瞬態脈沖是不重復的,器件規定的脈沖重復頻率(持續時間與間歇時間之比)為0.01%,如果電路內出現重復性脈沖,應考慮脈沖功率的“累積”,有可能使TVS損壞。雙向TVS可在正反兩個方向吸收瞬時大脈沖功率,并把電壓箝制到預定水平。浙江8000W瞬態抑制二極管應用

TVS是一種二極管形式的高效能保護器件。天津3000W瞬態抑制二極管功率計算

對于做汽車電子硬件設計的工程師來說,ISO7627-2這個標準是***不會陌生,這個測試項目就是電源線瞬態傳導抗擾度,只因為電源線瞬態傳導抗擾度的這幾個測試波形太出名了,分別是波形1,2a,2b,3a,3b,4,5a,5b(如下截圖是從ISO7637-22004版中截取的,在2011版的ISO7637中波形1和2a這兩個的測試脈沖數已經改成500了)。對于從1到4的幾個波形,基本上都是一些時間極短的脈沖,雖然正負電壓的幅值很高,但是能量很小,基本上電路上不用做太多特殊的防護,單靠一般的電源芯片的電氣特性就能防護下來,而對5a,5b波形,就需要做專門的應對了,而應對方法就是增加一個防浪涌的TVS管了。天津3000W瞬態抑制二極管功率計算

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