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湖北1000W瞬態(tài)抑制二極管功率計算

來源: 發(fā)布時間:2023-02-09

參數(shù)①最大反向漏電流ID和額定反向關(guān)斷電壓VWM。VWM是TVS比較大連續(xù)工作的直流或脈沖電壓,當(dāng)這個反向電壓加入TVS的兩極間時,它處于反向關(guān)斷狀態(tài),流過它的電流應(yīng)小于或等于其最大反向漏電流ID。②**小擊穿電壓VBR和擊穿電流IRVBR是TVS**小的雪崩電壓。25℃時,在這個電壓之前,TVS是不導(dǎo)通的。當(dāng)TVS流過規(guī)定的1mA電流(IR)時,加入TVS兩極間的電壓為其**小擊穿電壓VBR。按TVS的VBR與標(biāo)準(zhǔn)值的離散程度,可把TVS分為±5%VBR和±10%VBR兩種。對于±5%VBR來說,VWM=0.85VBR;對于±10%VBR來說,VWM=0.81VBR。SOD-123封裝的TVS一般有SMF,TPSMF,SMF4L等。湖北1000W瞬態(tài)抑制二極管功率計算

長時間工作耗損對篩選合格的TVS器件進行浪涌壽命試驗,發(fā)現(xiàn)TVS器件經(jīng)過成千上萬次標(biāo)準(zhǔn)指數(shù)脈沖(所能承受的浪涌脈沖次數(shù)與質(zhì)量等級相關(guān))沖擊后失效,失效模式通常為短路。對失效樣品進行解剖后,在掃描電鏡下觀察芯片,發(fā)現(xiàn)結(jié)邊緣發(fā)生熔融現(xiàn)象和結(jié)邊緣焊料結(jié)構(gòu)發(fā)生了變化,且結(jié)**邊緣處**為嚴重。失效機理可能結(jié)邊緣焊料形成金屬化合物而脆化,使管芯與底座熱沉逐漸分離,結(jié)邊緣的散熱能力降低,長時間工作結(jié)溫持續(xù)增大導(dǎo)致過熱燒毀。湖北1000W瞬態(tài)抑制二極管功率計算將TVS 二極管加在信號及電源線上,能防止微處理器或單片機因瞬間的脈沖。

過電應(yīng)力當(dāng)瞬態(tài)脈沖能量超過TVS所能承受能量時會引起TVS器件過電應(yīng)力損傷,特別是當(dāng)瞬態(tài)脈沖能量達到TVS所能承受能量的數(shù)倍時會直接導(dǎo)致TVS器件過電應(yīng)力燒毀,失效模式表現(xiàn)為短路。過電應(yīng)力短路失效的TVS芯片在掃描電鏡下觀察。可發(fā)現(xiàn)pn結(jié)表面邊緣的熔融區(qū)域或體內(nèi)硅片的上表面和下表面的黑斑。試驗表明,發(fā)生在結(jié)表面邊緣過電應(yīng)力短路失效通常是由持續(xù)時間極短(ns級)的高能量瞬態(tài)脈沖所致,例如:EMP、ESD產(chǎn)生的脈沖:體內(nèi)過電應(yīng)力失效通常是由持續(xù)時間稍長(us級以上)高能量脈沖所致,例如:電快速瞬變,雷電產(chǎn)生的脈沖。如果高能量瞬態(tài)脈沖持續(xù)時間介于ns級和μs級之間,則短路可能發(fā)生在結(jié)邊緣表面,也可能發(fā)生在體內(nèi)。

TVS管在穩(wěn)壓管工藝基礎(chǔ)上發(fā)展起來的新產(chǎn)品,是一種新型的高效電路保護器件之一,具有P秒級的響應(yīng)時間和高浪涌吸收能力;而穩(wěn)壓二極管,利用pn結(jié)反向擊穿狀態(tài),在電流變化范圍內(nèi),保持電壓穩(wěn)定所研發(fā)出來穩(wěn)壓作用的二極管。共同點:在一定范圍內(nèi),能限制兩端的電壓;長時間運作耐流值幾乎一樣,均跟體積功耗相關(guān)聯(lián)。工作原理不同:tvs管:雪崩效應(yīng),在高能量的瞬時過壓脈沖時,阻抗能立馬降低到很低的導(dǎo)通值,允許較大電流通過,并將電壓箝制到預(yù)定水平,避免電路中的精密元器件免受損壞。穩(wěn)壓管:齊納隧道效應(yīng),當(dāng)反向電壓達到并超過穩(wěn)定電壓時,反向電流突然增大,而二極管兩端電壓恒定。TVS額定反向關(guān)斷VWM 應(yīng)大于或等于被保護電路的最大工作電壓。

PN結(jié)構(gòu)成了幾乎所有半導(dǎo)體功率器件的基礎(chǔ),常用的半導(dǎo)體功率器件如DMOS,IGBT,SCR等的反向阻斷能力都直接取決于PN結(jié)的擊穿電壓,因此,PN結(jié)反向阻斷特性的優(yōu)劣直接決定了半導(dǎo)體功率器件的可靠性及適用范圍。在PN結(jié)兩邊摻雜濃度為固定值的條件下,一般認為除superjunction之外平行平面結(jié)的擊穿電壓在所有平面結(jié)中具有比較高的擊穿電壓。實際的功率半導(dǎo)體器件的制造過程一般會在PN結(jié)的邊緣引入球面或柱面邊界,該邊界位置的擊穿電壓低于平行平面結(jié)的擊穿電壓,使功率半導(dǎo)體器件的擊穿電壓降低。由此產(chǎn)生了一系列的結(jié)終端技術(shù)來消除或減弱球面結(jié)或柱面結(jié)的曲率效應(yīng),使實際制造出的PN結(jié)的擊穿電壓接近或等于理想的平行平面結(jié)擊穿電壓。SMAJ、SMBJ、SMCJ、SMDJ表示貼片封裝,分別**400W、600W、1.5kW和3kW。湖北1000W瞬態(tài)抑制二極管功率計算

TVS 器件可以按極性分為單極性和雙極性兩種。湖北1000W瞬態(tài)抑制二極管功率計算

來明電子團隊在電路保護領(lǐng)域深耕多年,從產(chǎn)品選型到技術(shù)支持提供一站式解決方案。我們?yōu)榭蛻籼峁┤盗蠺VS產(chǎn)品,瞬態(tài)峰值脈沖功率等級從200W至30000W,另有可替代MOV用超級TVS產(chǎn)品,產(chǎn)品電流可分為3kA,6kA,10kA,可達16kA。產(chǎn)品封裝類型有SOD-123,SOD-123FL,SMA(DO-214AC),SMAF,SMB(DO-214AA),SMC(DO-214AB),SMBF,SMCF,DO-15,DO-41,DO-201,DO-218AB,TO-277等。并可提供車規(guī)級TVS器件,特殊需求可根據(jù)客戶要求定制。。湖北1000W瞬態(tài)抑制二極管功率計算

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