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來源: 發(fā)布時間:2023-02-13

TVS長時間工作耗損對篩選合格的TVS器件進行浪涌壽命試驗,發(fā)現(xiàn)TVS器件經(jīng)過成千上萬次標(biāo)準(zhǔn)指數(shù)脈沖(所能承受的浪涌脈沖次數(shù)與質(zhì)量等級相關(guān))沖擊后失效,失效模式通常為短路。對失效樣品進行解剖后,在掃描電鏡下觀察芯片,發(fā)現(xiàn)結(jié)邊緣發(fā)生熔融現(xiàn)象和結(jié)邊緣焊料結(jié)構(gòu)發(fā)生了變化,且結(jié)**邊緣處**為嚴(yán)重。失效機理可能結(jié)邊緣焊料形成金屬化合物而脆化,使管芯與底座熱沉逐漸分離,結(jié)邊緣的散熱能力降低,長時間工作結(jié)溫持續(xù)增大導(dǎo)致過熱燒毀。RS485接口一般采用SMAJ6.0CA進行浪涌保護。山東ATHTVSSMBF

TVS的瞬態(tài)功率一般以8/20us或10/1000us的波形來衡量。8/20us是雷擊浪涌的一種波形通常以內(nèi)阻2歐姆的一個短路電流波形,上升前沿在8uS,峰值電流下降沿1/2處保持在20uS.即充電1KV輸出500A的電流波形.現(xiàn)在較多的已經(jīng)是組合波模式,即短路電流波形為8/20uS,開路電壓波形為1.2/50uS..10/1000uS也是一種浪涌波形,以現(xiàn)在執(zhí)行的標(biāo)準(zhǔn)是短路電流波形與開路電壓波形都需要符合前沿時間10uS半值時間1000uS,內(nèi)阻10歐姆.即充電1KV輸出100A的電壓及電流波形。重慶低漏流TVSSMBTVS的結(jié)電容與TVS的功率成正比,相同電壓下功率越大,結(jié)電容也越大。

單向TVS的V-I特性,單向TVS的正向特性與普通穩(wěn)壓二極管相同,,反向擊穿拐點近似“直角”為硬擊穿,為典型的PN結(jié)雪崩器件。,雙向TVS的V-I特性,雙向TVS的V-I特性曲線如同兩只單向TVS“背靠背”組合,,其正反兩個方向都具有相同的雪崩擊穿特性和箝位特性,正反兩面擊穿電壓的對稱關(guān)系為:,0.9≤V(BR)(正)/V(BR)(反)≤1.1,,一旦加在它兩端的干擾電壓超過箝位電壓Vc就會立刻被抑制掉,雙向TVS在交流回路應(yīng)用十分方便。。。。。

常用電路保護器件的主要失效模式為短路,瞬變電壓抑制器(TVS)亦不例外。TVS一旦發(fā)生短路失效,釋放出的高能量常常會將保護的電子設(shè)備損壞,這是TVS生產(chǎn)廠家和使用方都想極力減少或避免的情況通過對TVS篩選和使用短路失效樣品進行解剖觀察獲得其失效部位的微觀形貌特征 結(jié)合器件結(jié)構(gòu),材料、制造工藝、工作原理、篩選或使用時所受的應(yīng)力等,采用理論分析和試驗證明等方法分析導(dǎo)致TVS器件短路失效的原因,分析結(jié)果表明引發(fā)TVS短路失效的內(nèi)在質(zhì)量因素包括粘結(jié)界面空洞、臺面缺陷,表面強耗盡層或強積累層、芯片裂紋和雜質(zhì)擴散不均勻等,使用因素包括過電應(yīng)力、高溫和長時間使用耗損等。當(dāng)超過TVS的承受能力的能量通過TVS,TVS的芯片喲可能發(fā)熱二擊穿,從而呈現(xiàn)出短路的失效模式。

對于做汽車電子硬件設(shè)計的工程師來說,ISO7627-2這個標(biāo)準(zhǔn)是***不會陌生,這個測試項目就是電源線瞬態(tài)傳導(dǎo)抗擾度,只因為電源線瞬態(tài)傳導(dǎo)抗擾度的這幾個測試波形太出名了,分別是波形1,2a,2b,3a,3b,4,5a,5b(如下截圖是從ISO7637-2 2004版中截取的,在2011版的ISO7637中波形1和2a這兩個的測試脈沖數(shù)已經(jīng)改成500了)。對于從1到4的幾個波形,基本上都是一些時間極短的脈沖,雖然正負電壓的幅值很高,但是能量很小,基本上電路上不用做太多特殊的防護,單靠一般的電源芯片的電氣特性就能防護下來,而對5a,5b波形,就需要做專門的應(yīng)對了,而應(yīng)對方法就是增加一個防浪涌的TVS管了。TVS的正向?qū)ㄌ匦灶愃朴诙O管的正向伏安特性,可通過較大的浪涌電流。福建低電容TVSSMC

TVS的短路擊穿分為軟擊穿和硬擊穿,硬擊穿一般是漏電流增大。山東ATHTVSSMBF

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