參數①最大反向漏電流ID和額定反向關斷電壓VWM。VWM是TVS比較大連續工作的直流或脈沖電壓，當這個反向電壓加入TVS的兩極間時，它處于反向關斷狀態，流過它的電流應小于或等于其最大反向漏電流ID。②**小擊穿電壓VBR和擊穿電流IRVBR是TVS**小的雪崩電壓。25℃時，在這個電壓之前，TVS是不導通的。當TVS流過規定的1mA電流（IR）時，加入TVS兩極間的電壓為其**小擊穿電壓VBR。按TVS的VBR與標準值的離散程度，可把TVS分為±5%VBR和±10%VBR兩種。對于±5%VBR來說，VWM=0.85VBR；對于±10%VBR來說，VWM=0.81VBR。來明電子可根據客戶要求，為客戶定制各類TVS產品。湖北SMCJTVSSMAF

反向擊穿性PN結加反向電壓時，空間電荷區變寬，區中電場增強。反向電壓增大到一定程度時，反向電流將突然增大。如果外電路不能限制電流，則電流會大到將PN結燒毀。反向電流突然增大時的電壓稱擊穿電壓。基本的擊穿機構有兩種，即隧道擊穿（也叫齊納擊穿）和雪崩擊穿，前者擊穿電壓小于6V，有負的溫度系數，后者擊穿電壓大于6V，有正的溫度系數。雪崩擊穿：阻擋層中的載流子漂移速度隨內部電場的增強而相應加快到一定程度時，其動能足以把束縛在共價鍵中的價電子碰撞出來，產生自由電子—空穴對，新產生的載流子在強電場作用下，再去碰撞其它中性原子，又產生新的自由電子—空穴對，如此連鎖反應，使阻擋層中的載流子數量急劇增加，像雪崩一樣。雪崩擊穿發生在摻雜濃度較低的PN結中，阻擋層寬，碰撞電離的機會較多，雪崩擊穿的擊穿電壓高。浙江P6KETVSSMAFTVS是一種鉗位型的過壓保護器件。

PN 結構成了幾乎所有半導體功率器件的基礎，常用的半導體功率器件如DMOS，IGBT，SCR 等的反向阻斷能力都直接取決于 PN 結的擊穿電壓，因此，PN 結反向阻斷特性的優劣直接決定了半導體功率器件的可靠性及適用范圍。在 PN結兩邊摻雜濃度為固定值的條件下，一般認為除 super junction 之外平行平面結的擊穿電壓在所有平面結中具有比較高的擊穿電壓。實際的功率半導體器件的制造過程一般會在 PN 結的邊緣引入球面或柱面邊界，該邊界位置的擊穿電壓低于平行平面結的擊穿電壓，使功率半導體器件的擊穿電壓降低。由此產生了一系列的結終端技術來消除或減弱球面結或柱面結的曲率效應，使實際制造出的 PN 結的擊穿電壓接近或等于理想的平行平面結擊穿電壓。

這里說的TVS管包括防ESD用的小功率TVS管（本文簡稱ESD管）和防浪涌用的大功率TVS管（本文簡稱浪涌管）。這里說的浪涌測試標準指TVS器件規格書上標明的測試標準：IEC61000-4-2Level4ESDProtection——靜電測試標準，必須通過，提供測試數據IEC61000-4-4Level4EFTprotection——部分廠家才會提供數據IEC61000-4-5（8/20us）——浪涌測試標準，必須通過，提供測試數據下面是安森美ESD5481MUT5G，用在一般信號線上的ESD管規格書提供的信息，人家一個小管子，完成了三個標準的測試。來明電子具有大量常用TVS現貨產品。

過電應力當瞬態脈沖能量超過TVS所能承受能量時會引起TVS器件過電應力損傷，特別是當瞬態脈沖能量達到TVS所能承受能量的數倍時會直接導致TVS器件過電應力燒毀，失效模式表現為短路。過電應力短路失效的TVS芯片在掃描電鏡下觀察。可發現pn結表面邊緣的熔融區域或體內硅片的上表面和下表面的黑斑。試驗表明，發生在結表面邊緣過電應力短路失效通常是由持續時間極短(ns級)的高能量瞬態脈沖所致，例如:EMP、ESD產生的脈沖:體內過電應力失效通常是由持續時間稍長(us級以上)高能量脈沖所致，例如:電快速瞬變，雷電產生的脈沖。如果高能量瞬態脈沖持續時間介于ns級和μs級之間，則短路可能發生在結邊緣表面，也可能發生在體內。來明電子可提供多個品牌的TVS產品。北京P4KETVS定制

車規級TVS的制作工藝更加嚴格，一般要用車規級的硅片。湖北SMCJTVSSMAF

PN結加反向電壓時截止如果電源的正極接N區，負極接P區，外加的反向電壓有一部分降落在PN結區，PN結處于反向偏置。則空穴和電子都向遠離界面的方向運動，使空間電荷區變寬，電流不能流過，方向與PN結內電場方向相同，加強了內電場。內電場對多子擴散運動的阻礙增強，擴散電流大大減小。此時PN結區的少子在內電場作用下形成的漂移電流大于擴散電流，可忽略擴散電流，PN結呈現高阻性。在一定的溫度條件下，由本征激發決定的少子濃度是一定的，故少子形成的漂移電流是恒定的，基本上與所加反向電壓的大小無關，這個電流也稱為反向飽和電流。PN結加正向電壓時，呈現低電阻，具有較大的正向擴散電流；PN結加反向電壓時，呈現高電阻，具有很小的反向漂移電流。由此可以得出結論：PN結具有單向導電性。湖北SMCJTVSSMAF

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