根據PN結的材料、摻雜分布、幾何結構和偏置條件的不同，利用其基本特性可以制造多種功能的晶體二極管。如利用PN結單向導電性可以制作整流二極管、檢波二極管和開關二極管，利用擊穿特性制作穩壓二極管和雪崩二極管；利用高摻雜PN結隧道效應制作隧道二極管；利用結電容隨外電壓變化效應制作變容二極管。使半導體的光電效應與PN結相結合還可以制作多種光電器件。如利用前向偏置異質結的載流子注入與復合可以制造半導體激光二極管與半導體發光二極管；利用光輻射對PN結反向電流的調制作用可以制成光電探測器；利用光生伏***應可制成太陽電池。此外，利用兩個PN結之間的相互作用可以產生放大，振蕩等多種電子功能。PN結是構成雙極型晶體管和場效應晶體管的**，是現代電子技術的基礎。在二級管中廣泛應用。在一些低壓低功耗電路，要考慮TVS的漏電流對電路是否有影響。重慶SMCJTVSSMB

參數①最大反向漏電流ID和額定反向關斷電壓VWM。VWM是TVS比較大連續工作的直流或脈沖電壓，當這個反向電壓加入TVS的兩極間時，它處于反向關斷狀態，流過它的電流應小于或等于其最大反向漏電流ID。②**小擊穿電壓VBR和擊穿電流IRVBR是TVS**小的雪崩電壓。25℃時，在這個電壓之前，TVS是不導通的。當TVS流過規定的1mA電流（IR）時，加入TVS兩極間的電壓為其**小擊穿電壓VBR。按TVS的VBR與標準值的離散程度，可把TVS分為±5%VBR和±10%VBR兩種。對于±5%VBR來說，VWM=0.85VBR；對于±10%VBR來說，VWM=0.81VBR。福建定制TVS訂制來明電子可根據客戶要求，為客戶定制各類TVS產品。

實際產品中，**常用的浪涌測試波形為1.2/50us和10/700us，如何將TVS承受浪涌功率從10/1000us波形下換算到其他波形呢，這就需要看Spec中的另一個曲線圖：通過上圖可以查出，1.2/50us波形所對應脈沖寬度50us，對應峰值功率為2200W左右。那么這種情況下，反算脈沖峰值電流為2200W/24.4V=90.16A。如果SMBJ15A放在電源端口，在共模時，浪涌發生器內阻為12歐姆，那么所能承受的電壓為：90.16A*12ohm=1082V;如果SMBJ15A放在電源端口，在差模時，浪涌發生器內阻為2歐姆，那么所能承受的電壓為：90.16A*2ohm=180.3V;如果SMBJ15A放在非對稱信號端口，無論差模共模，浪涌發生器內阻為42歐姆，那么所能承受的電壓為：90.16A*42ohm=3786.9V。從上面我們可以看出，一個TVS所能承受的比較大浪涌電壓，不僅與自身的參數相關(比較大承受功率、鉗位電壓等)，也和其在電路的位置息息相關(浪涌發生器的內阻值非常重要)。

當TVS管兩端經受瞬間的高能量沖擊時，它能以極高的速度（比較高達1/(10^12)秒）使其阻抗驟然降低，同時吸收一個大電流，將其兩端間的電壓箝位在一個預定的數值上，從而確保后面的電路元件免受瞬態高能量的沖擊而損壞。如果是使用的話，TVS有二極管類，和壓敏電阻類。我個人認為壓敏電阻類更有優勢，***用于手機，LCD模組，及一些比較精密的手持設備。特別是出口歐洲的產品一般都要加，來作為靜電防護的主要手段之一。。。。。。。。TVS是一種鉗位型的過壓保護器件。

電壓及電流的瞬態干擾是造成電子電路及設備損壞的主要原因，常給人們帶來無法估量的損失。這些干擾通常來自于電力設備的起停操作、交流電網的不穩定、雷擊干擾及靜電放電等,瞬態干擾幾乎無處不在、無時不有，使人感到防不勝防。幸好,一種高效能的電路保護器件TVS的出現使瞬態干擾得到了有效抑制，TVS（Transient Voltage Suppressor） 或稱瞬態抑制二極管，是在穩壓管工藝基礎上發展起來的一種新產品，其電路符號和普通穩壓二極管相同，外形也與普通二極管無異。TVS被廣泛應用于各類電子電路中，包括計算機系統、通訊設備、交/直流電源、汽車、電子鎮流器、家用電器、儀器儀表（電度表），RS232/422/423/485、I/O、LAN、ISDN、ADSL、USB、MP3、PDAS、GPS、CDMA、GSM、數字照相機的保護、共模/差模保護、RF耦合/IC驅動接收保護、電機電磁波干擾抑制、聲頻/視頻輸入、傳感器/變速器、工控回路、繼電器、接觸器噪音的抑制等各個領域。雙向TVS具有雙向對稱的伏安特性曲線，可用于交變電路浪涌保護。安徽低漏流TVS

超大功率TVS可用于交流電源AC輸入端保護。重慶SMCJTVSSMB

PN結的單向導電性PN結加正向電壓時導通，PN結加正向電壓時導通，（1）PN結加正向電壓時導通，如果電源的正極接P區，負極接N區，外加的正向電壓有一部分降落在PN結區，PN結處于正向偏置。電流便從P型一邊流向N型一邊，空穴和電子都向界面運動，使空間電荷區變窄，電流可以順利通過，方向與PN結內電場方向相反，削弱了內電場。于是，內電場對多子擴散運動的阻礙減弱，擴散電流加大。擴散電流遠大于漂移電流，可忽略漂移電流的影響，PN結呈現低阻性。重慶SMCJTVSSMB

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