直接補償型。直接補償型TCXO是由熱敏電阻和阻容元件組成的溫度補償電路，在振蕩器中與石英晶體振子串聯而成的。在溫度變化時，熱敏電阻的阻值和晶體等效串聯電容容值相應變化，從而抵消或削減振蕩頻率的溫度漂移。該補償電路簡單，成本較低，節省印制電路板（PCB）尺寸和空間，適用于小型和低壓小電流場合。但當要求晶體振蕩器精度小于±1×10-6時，直接補償方式并不適合。普通晶體振蕩器。普通晶體振蕩器（SPXO）是一種簡單的晶體振蕩器，通常稱為鐘振。它是一種完全由晶體自由振蕩完成工作的晶體振蕩器。這類晶振主要應用于穩定度要求不高的場合。圖8所示為普通晶體振蕩器。對石英晶體振子頻率溫度漂移的補償方法主要有直接補償和間接補償兩種類型。天津中精度型晶振老化

有源晶振型號眾多，而且每一種型號的引腳定義都有所不同，接法也不同，下面我介紹一下有源晶振引腳識別，以方便大家：有個點標記的為1腳，按逆時針（管腳向下）分別為2、3、4。通常的用法：一腳懸空，二腳接地，三腳接輸出，四腳接電壓。有源晶振是用石英晶體組成的，石英晶片之所以能當為振蕩器使用，是基于它的壓電效應：在晶片的兩個極上加一電場，會使晶體產生機械變形；在石英晶片上加上交變電壓，晶體就會產生機械振動，同時機械變形振動又會產生交變電場，雖然這種交變電場的電壓極其微弱，但其振動頻率是十分穩定的。當外加交變電壓的頻率與晶片的固有頻率（由晶片的尺寸和形狀決定）相等時，機械振動的幅度將急劇增加，這種現象稱為“壓電諧振”。陶瓷晶振工作電壓晶振激勵電平的影響：一般來講，AT切晶體激勵電平的增大，其頻率變化是正的。

晶振工作溫度范圍與溫度頻差：在提出溫度頻差時，應考慮設備工作引起的溫升容限。當對溫度頻差要求很高，同時空間和功率都允許的情況下，應考慮恒溫工作，恒溫晶體振蕩器就是為此而設計的。4、負載電容與頻率牽引：在許多應用中，都有用一負載電抗元件來牽引晶體頻率的要求，這在鎖相環回路及調頻應用中非常必要，大多數情況下，這個負載電抗呈容性，當該電容值為CL時，則相對負載諧振頻率偏移量為：DL=C1/[2（C0+CL）]。而以CL作為可調元件由DL1調至DL2時，相對頻率牽引為：DL1，L2=C1（CL1－CL2）/[2（C0+CL1）（C0+CL2）]。

壓控晶體振蕩器(VCXO)：通過施加外部控制電壓使振蕩頻率可變或是可以調制的石英晶體振蕩器。主要應用***電子儀器，5G基建，無線通信信號塔，精密儀表，智能監控等，光纖，服務器，接收器等。恒溫晶體振蕩器(OCXO)：利用恒溫槽使晶體振蕩器或石英晶體振子的溫度保持恒定，將由周圍溫度變化引起的振蕩器輸出頻率變化量削減到**小的晶體振蕩器。主要應用在通信基站、3C電子、汽車電子、醫療設備、工業設備、儀器儀表、航空航天、****、科研等眾多領域。石英晶振封裝按生產工藝可以劃分為：金屬封裝，玻璃封裝， 電阻焊。

徹底損壞時的解決辦法，徹底損壞時，可將其拆下，與正常同型號集成電路對比測其每一引腳對地的正、反向電阻，總能找到其中一只或幾只引腳阻值異常；具有不穩定性的解決辦法，咨詢專業的晶振供應商，算出正確電容匹配值更換晶振，或者是更換**電容。更換精度合適的晶振，如果是其它問題引起的不穩定，用無水酒精冷卻被懷疑的集成電路，如果故障發生時間推遲或不再發生故障，即可判定。通常只能更換新集成電路來排除。12兆赫茲晶振，現在的部分主板上出現了12兆的晶振，這款晶振主要用于USB接口。若有損壞，則可能導致USB接口失靈等問題。晶振的主要參數有標稱頻率、負載電容、頻率精度、頻率穩定度等。陶瓷晶振工作電壓

如不需要太高的精確度，則也可以使用陶瓷諧振器取代石英晶體諧振器。天津中精度型晶振老化

標稱頻率。不同的晶振標稱頻率不同，標稱頻率大都標注在晶振外殼上。②負載電容。負載電容是指晶振的兩條引線連接的集成電路（IC）內部及外部所有有效電容之和，可看作晶振片在電路中串接電容。負載電容不同，振蕩器的振蕩頻率不同。但標稱頻率相同的晶振，負載電容不一定相同。一般來說，有低負載電容（串聯諧振晶體）和高負載電容（并聯諧振晶體）之分。因此，標稱頻率相同的晶體互換時還必須要求負載電容一致，不能輕易互換，否則會造成電路工作不正常。天津中精度型晶振老化

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