PN 結構成了幾乎所有半導體功率器件的基礎，常用的半導體功率器件如DMOS，IGBT，SCR 等的反向阻斷能力都直接取決于 PN 結的擊穿電壓，因此，PN 結反向阻斷特性的優劣直接決定了半導體功率器件的可靠性及適用范圍。在 PN結兩邊摻雜濃度為固定值的條件下，一般認為除 super junction 之外平行平面結的擊穿電壓在所有平面結中具有比較高的擊穿電壓。實際的功率半導體器件的制造過程一般會在 PN 結的邊緣引入球面或柱面邊界，該邊界位置的擊穿電壓低于平行平面結的擊穿電壓，使功率半導體器件的擊穿電壓降低。由此產生了一系列的結終端技術來消除或減弱球面結或柱面結的曲率效應，使實際制造出的 PN 結的擊穿電壓接近或等于理想的平行平面結擊穿電壓。TVS是一種鉗位型的過壓保護器件。湖南1.0SMBTVS批發

選用技巧1、確定被保護電路的比較大直流或連續工作電壓、電路的額定標準電壓和“**”容限。2、TVS額定反向關斷VWM應大于或等于被保護電路的最大工作電壓。若選用的VWM太低，器件可能進入雪崩或因反向漏電流太大影響電路的正常工作。串行連接分電壓，并行連接分電流。3、TVS的比較大箝位電壓VC應小于被保護電路的損壞電壓。4、在規定的脈沖持續時間內，TVS的比較大峰值脈沖功耗PM必須大于被保護電路內可能出現的峰值脈沖功率。在確定比較大箝位電壓后，其峰值脈沖電流應大于瞬態浪涌電流。貼片TVS定制超大功率TVS是采用芯片疊加的方式構成。

比較大箝拉電壓VC和比較大峰值脈沖電流IPP當持續時間為20微秒的脈沖峰值電流IPP流過TVS時，在其兩極間出現的比較大峰值電壓為VC。它是串聯電阻上和因溫度系數兩者電壓上升的組合。VC、IPP反映TVS器件的浪涌抑制能力。VC與VBR之比稱為箝位因子，一般在1.2~1.4之間。電容量C電容量C是TVS雪崩結截面決定的、在特定的1MHZ頻率下測得的。C的大小與TVS的電流承受能力成正比，C過大將使信號衰減。因此，C是數據接口電路選用TVS的重要參數。。。。

220V交流市電經整流濾波后變為高壓直流供給開關變壓器，此高壓直流變化范圍是240V～360V，而由于變壓器漏感和引線電感的存在，關斷過電壓可以高達幾千伏，功率開關管關斷時難于同時承受這兩種電壓。綜合考慮可以選用VWM等于200V左右的TVS，這樣將關斷過電壓控制在300V以內，加上電源電壓，功率開關管選用耐壓為700V的管型即可。當功率開關管關斷時，由于開關變壓器線圈漏感的存在，會產生極高的反電勢，有可能將功率開關管擊穿。當在開關變壓器一次側并接上TVS管后，可以有效地吸收電壓尖峰，保護功率開關管的安全，降低對功率開關管耐壓的要求。來明電子可為客戶國產替代TVS產品。

比較大峰值脈沖功耗PMPM是TVS能承受的比較大峰值脈沖耗散功率。其規定的試驗脈沖波形和各種TVS的PM值，請查閱有關產品手冊。在給定的比較大箝位電壓下，功耗PM越大，其浪涌電流的承受能力越大；在給定的功耗PM下，箝位電壓VC越低，其浪涌電流的承受能力越大。另外，峰值脈沖功耗還與脈沖波形、持續時間和環境溫度有關。而且TVS所能承受的瞬態脈沖是不重復的，器件規定的脈沖重復頻率（持續時間與間歇時間之比）為0.01%，如果電路內出現重復性脈沖，應考慮脈沖功率的“累積”，有可能使TVS損壞。TVS的失效模式通常為短路失效模式。上海低漏流TVS定制

600W的TVS產品一般貼片為SMB封裝或者插件DO-15封裝。湖南1.0SMBTVS批發

PN結加反向電壓時截止如果電源的正極接N區，負極接P區，外加的反向電壓有一部分降落在PN結區，PN結處于反向偏置。則空穴和電子都向遠離界面的方向運動，使空間電荷區變寬，電流不能流過，方向與PN結內電場方向相同，加強了內電場。內電場對多子擴散運動的阻礙增強，擴散電流大大減小。此時PN結區的少子在內電場作用下形成的漂移電流大于擴散電流，可忽略擴散電流，PN結呈現高阻性。在一定的溫度條件下，由本征激發決定的少子濃度是一定的，故少子形成的漂移電流是恒定的，基本上與所加反向電壓的大小無關，這個電流也稱為反向飽和電流。PN結加正向電壓時，呈現低電阻，具有較大的正向擴散電流；PN結加反向電壓時，呈現高電阻，具有很小的反向漂移電流。由此可以得出結論：PN結具有單向導電性。湖南1.0SMBTVS批發

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