箝位時間TCTC是TVS兩端電壓從零到**小擊穿電壓VBR的時間。對單極性TVS一般是1×10-12秒；對雙極性TVS一般是1×10-11秒。TVS器件可以按極性分為單極性和雙極性兩種，按用途可分為各種電路都適用的通用型器件和特殊電路適用的**型器件。如：各種交流電壓保護器、4~200mA電流環保器、數據線保護器、同軸電纜保護器、電話機保護器等。若按封裝及內部結構可分為：軸向引線二極管、雙列直插TVS陣列（適用多線保護）、貼片式、組件式和大功率模塊式等。TVS的正向導通特性類似于二極管的正向伏安特性，可通過較大的浪涌電流。湖南SMAJTVSSMAF

當TVS管兩端經受瞬間的高能量沖擊時，它能以極高的速度（比較高達1/(10^12)秒）使其阻抗驟然降低，同時吸收一個大電流，將其兩端間的電壓箝位在一個預定的數值上，從而確保后面的電路元件免受瞬態高能量的沖擊而損壞。如果是使用的話，TVS有二極管類，和壓敏電阻類。我個人認為壓敏電阻類更有優勢，***用于手機，LCD模組，及一些比較精密的手持設備。特別是出口歐洲的產品一般都要加，來作為靜電防護的主要手段之一。。。。。。。。浙江TVSSOD-123TVS的結電容與TVS的功率成正比，相同電壓下功率越大，結電容也越大。

比較大峰值脈沖功耗PMPM是TVS能承受的比較大峰值脈沖耗散功率。其規定的試驗脈沖波形和各種TVS的PM值，請查閱有關產品手冊。在給定的比較大箝位電壓下，功耗PM越大，其浪涌電流的承受能力越大；在給定的功耗PM下，箝位電壓VC越低，其浪涌電流的承受能力越大。另外，峰值脈沖功耗還與脈沖波形、持續時間和環境溫度有關。而且TVS所能承受的瞬態脈沖是不重復的，器件規定的脈沖重復頻率（持續時間與間歇時間之比）為0.01%，如果電路內出現重復性脈沖，應考慮脈沖功率的“累積”，有可能使TVS損壞。

PN 結構成了幾乎所有半導體功率器件的基礎，常用的半導體功率器件如DMOS，IGBT，SCR 等的反向阻斷能力都直接取決于 PN 結的擊穿電壓，因此，PN 結反向阻斷特性的優劣直接決定了半導體功率器件的可靠性及適用范圍。在 PN結兩邊摻雜濃度為固定值的條件下，一般認為除 super junction 之外平行平面結的擊穿電壓在所有平面結中具有比較高的擊穿電壓。實際的功率半導體器件的制造過程一般會在 PN 結的邊緣引入球面或柱面邊界，該邊界位置的擊穿電壓低于平行平面結的擊穿電壓，使功率半導體器件的擊穿電壓降低。由此產生了一系列的結終端技術來消除或減弱球面結或柱面結的曲率效應，使實際制造出的 PN 結的擊穿電壓接近或等于理想的平行平面結擊穿電壓。相同功率的TVS，工作電壓越高，通流量越低。

TVS是一種二極管形式的高效能保護器件。當TVS二極管的兩極受到反向瞬態高能量沖擊時，它能以10的負12次方秒量級的速度，將其兩極間的高阻抗變為低阻抗，吸收高達數千瓦的浪涌功率，使兩極間的電壓箝位于一個預定值，有效地保護電子線路中的精密元器件，免受各種浪涌脈沖的損壞。由于它具有響應速度快、瞬態功率大、漏電流低、擊穿電壓偏差小、箝位電壓較易控制、無損壞極限、體積小等優點，被廣泛應用于各類電子電路中浪涌保護或靜電保護。當超過TVS的承受能力的能量通過TVS，TVS的芯片喲可能發熱二擊穿，從而呈現出短路的失效模式。北京低漏流TVS廠家

TVS的短路擊穿分為軟擊穿和硬擊穿，硬擊穿一般是漏電流增大。湖南SMAJTVSSMAF

要減少 TVS 短路失效，首先應加強 TVS 制造工藝過程的控制，尤其是對燒焊、臺面成型、堿腐蝕清洗、摻雜等工藝過程的控制，以減少或消除 TVS 的固有缺陷。例如:國際上采用先進的燒焊工藝已能將空洞面積控制在 10 %以下，采用離子注入摻雜能對摻雜過程進行更好的控制，這些都**提高了 TVS 的可靠性。其次，做到 TVS 的正確選型與安裝，比較好對 TVS 進行降額使用，這樣可使 TVS 承受的功率較小，使用可靠性**增加。此外，為使 TVS 發生短路失效時對被保護電子設備的影響降到比較低，通常可在 TVS 前串接一條與之匹配的保險絲。湖南SMAJTVSSMAF

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